技术总结
本发明涉及过压保护部件。一种集成电路，包括垂直肖克利二极管和第一垂直晶体管。二极管从半导体衬底的顶部至底部由第一导电类型的第一区域、第二导电类型的衬底、以及具有形成在其中第二导电类型的第三区域的、第一导电类型的第二区域而形成。垂直晶体管也从顶部至底部由第二区域的一部分、以及第二导电类型的第四区域形成。第三和第四区域相互电连接。
技术研发人员：M·罗维瑞;L·穆安德龙;C·巴龙
受保护的技术使用者：意法半导体(图尔)公司
技术研发日：2015.06.26
技术公布日：2019.02.05