用于光传感器的光电组件及其制作方法与流程

技术特征：
1.一种用于光传感器的光电组件的制作方法，其特征在于，包含步骤：提供一第一金属层(11)；设置一半导体层(13)于所述第一金属层(11)上，所述半导体层(13)包括二极管；设置一透明导电层(15)于所述半导体层(13)上；氧化所述半导体层(13)的侧壁，反应形成一阻隔区(131)。2.如权利要求1所述的用于光传感器的光电组件的制作方法，其特征在于，在氧化的步骤中，通入氧气并使用电浆使氧气形成氧离子。3.如权利要求1所述的用于光传感器的光电组件的制作方法，其特征在于，在氧化的步骤中，调整工作压力低于50帕。4.如权利要求1所述的用于光传感器的光电组件的制作方法，其特征在于，在氧化的步骤中，施加功率至少1200瓦特。5.如权利要求1所述的用于光传感器的光电组件的制作方法，其特征在于，在氧化的步骤之前，图案化所述透明导电层(15)。6.如权利要求1所述的用于光传感器的光电组件的制作方法，其特征在于，在氧化的步骤之前，图案化所述半导体层(13)。7.如权利要求6所述的用于光传感器的光电组件的制作方法，其特征在于，在图案化所述半导体层(13)的步骤中，调整氧化速率为每分钟900-1100埃。8.一种用于光传感器的光电组件，其特征在于，其包含：第一金属层(11)；半导体层(13)，设置于所述第一金属层(11)上，且所述半导体层(13)的侧壁具有阻隔区(131)，所述半导体层(13)包括二极管；透明导电层(15)，设置于所述半导体层(13)上。9.如权利要求8所述的用于光传感器的光电组件，其特征在于，所述阻隔区(131)为氧化物。10.如权利要求8所述的用于光传感器的光电组件，其特征在于，所述透明导电层(15)设置于所述半导体层(13)及所述阻隔区(131)上。