技术总结
本发明提供了一种衬底及其制造方法，包括：提供辅助衬底和支撑衬底，所述辅助衬底上至少包括缺陷消除结构、所述缺陷消除结构之上外延层及所述外延层之上的钝化层，所述支撑衬底上至少包括掩埋介质层；将所述辅助衬底键合到所述支撑衬底上；去除所述辅助衬底；进行化学机械平坦化CMP直至所述外延层达到指定厚度。由于该缺陷消除结构能减少外延层缺陷，该钝化层能有效保减小该外延层在键合过程中受到的损伤，避免外延层中产生大量的缺陷，提升利用该外延层制造器件的性能及可靠性。
技术研发人员：王桂磊;亨利·H·阿达姆松;罗军;李俊峰;赵超
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
文档号码：201510708519
技术研发日：2015.10.27
技术公布日：2017.05.03