技术总结
本发明涉及一种碳化硅半导体器件的终端结构，包括以下特征：终端结构可有多于一个浓度斜率掺杂区，以终端区有三个不同浓度斜率为例：终端区包括负责低温，中间温度和高温的终端结构掺杂浓度，然后根据掺杂剂不同温度的离化率把中温的和高温的浓度分布折合为低温的，这样低温的浓度分布最高，中温的次之，高温的最低，接着把低温的浓度分布紧接着有源区，中温的折合浓度分布接在低温之后，高温的接在中温之后，浓度分布接合点是它们相同浓度之处，把重叠浓度的两者之一拿掉，最后形成有三个不同斜率的掺杂区浓度分布的终端区。
技术研发人员：苏冠创;黄升晖
受保护的技术使用者：南京励盛半导体科技有限公司
文档号码：201510716807
技术研发日：2015.10.26
技术公布日：2017.05.03