本公开涉及衬底处理设备，更具体地，涉及利用等离子体的衬底处理设备。
背景技术：
在制造半导体器件中，通过各种各样的方法例如光刻、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积和洗涤，形成具有设计图案的衬底。蚀刻法一般用于从在衬底上形成的膜除去特定的区域。蚀刻通常分类为干蚀刻和湿蚀刻。干蚀刻使用等离子体蚀刻设备实行。等离子体通常通过在腔室中形成电磁场而产生。运行这样的电磁场来激发供应到所述腔室中的加工气体成为等离子态。
等离子体是指离子、电子或原子团形成的离子型气态。等离子体在很高的温度、强电场或RF电磁场下产生。半导体器件制造与利用等离子体的蚀刻过程一起实行。蚀刻过程通过包含在等离子体中的离子型粒子碰撞衬底来实行。
静电吸盘一般包括支承板和金属体。所述支承板通过有机粘结剂例如硅或丙烯酸粘结剂与所述金属体接合。然而，硅的耐热性高但是热阻低。因此，硅类即使对于衬底处理期间的生热都是稳定的，但是不足以阻断金属体和支承板之间的热传递。丙烯酸类热阻高但是缺乏耐热性。丙烯酸类有效阻止支承板和金属体之间的热损失，但是易受到衬底处理期间产生的热的损害。
如上介绍，现今在衬底处理中使用的有机粘结剂不利于耐久并且对于由于静电吸盘的热波动导致的加工温度上升是脆弱的，而且在高温过程期间可以被熔化。
技术实现要素：
本公开的方面是解决至少以上提到的问题和/或缺点和提供至少下面描述的优点。因此，本公开的一个方面是在用于衬底处理的静电吸盘中提供具有高度耐热性的支承装置，其制造方法，和包括所述支承装置的衬底处理设备。
本公开的另一个方面提供了能够确保界面稳定性的支承装置，其制造方法，和包括所述支承装置的衬底处理设备，所述支承装置在用于衬底处理的静电吸盘中钎焊非传导支承板与传导复合材料底板。
本公开的又一个方面提供了支承装置，其制造方法，和包括所述支承装置的衬底处理设备，所述支撑装置能够防止由于传导材料的缺陷导致的瑕疵同时在用于衬底处理的静电吸盘中钎焊非传导支承板与传导复合材料底板。
根据本公开的一个方面，支承衬底的支承装置的制造方法可以包括：提供由非传导材料制成并被构造成支承所述衬底的支承板，提供布置在所述支承板之下并由含有传导材料的材料制成的底板，和在所述底板的底表面上形成金属膜并通过钎焊工艺将所述支承板与所述底板接合。
根据本公开的一个方面，支承衬底的支承装置的制造方法可以包括：提供由非传导材料制成并被构造成支承所述衬底的支承板，提供布置在所述支承板之下并由含有传导材料的材料制成的底板，和在所述底板的顶表面上形成第一金属膜并通过钎焊工艺将所述支承板与所述底板接合。
另外，所述制造方法还可以包括在所述钎焊工艺之前在所述支承板的底表面上沉积第二金属膜，其由与第一金属膜相同的材料制成。
另外，所述制造方法还可以包括通过作为金属板的居间体将所述支承板与所述底板接合，用于缓冲热膨胀。
另外，所述金属板可以含有铝(Al)并可以形成网状物。
另外，所述制造方法还可以包括通过作为金属填料的居间体将所述支承板与所述底板接合。
另外，所述金属填料可以含有铝(Al)。
另外，所述第一金属膜和第二金属膜可以含有铝(Al)。
另外，所述制造方法还可以包括在沉积在所述支承板的底表面上的第三金属膜上沉积所述第二金属膜。
另外，所述第三金属膜可以含有钛(Ti)。
另外，所述底板可以具有传导复合材料，在所述传导复合材料中添加剂与所述传导材料混合以最小化由于底板与支承板之间热膨胀率的差异导致的热应力，其中所述传导材料可以含有铝(Al)，并且其中所述添加剂可以含有碳化硅(SiC)、氧化铝(Al2O3)、硅(Si)、石墨和玻璃纤维之一。
另外，所述传导复合材料可以含有10～40％的铝(Al)。
根据本公开的一个方面，支承装置可以包括非传导材料的支承板，所述支承板包括通过静电力吸附衬底的电极，以及布置在所述支承板之下的底板，所述底板与高频电源连接并通过钎焊工艺与所述支承板接合且具有第一金属膜在其上沉积的顶表面。
另外，所述支承板可以具有底表面，与所述第一金属膜相同材料的第二金属膜在其上沉积。
另外，所述第二金属膜可以在所述支承板的底表面上沉积的第三金属膜中沉积，并且所述第三金属膜可以含有钛(Ti)。
另外，所述底板可以具有传导复合材料，在所述传导复合材料中碳化硅(SiC)、氧化铝(Al2O3)、硅(Si)、石墨和玻璃纤维之一添加到作为传导材料的铝(Al)中，以最小化由于所述支承板与底板之间热膨胀率的差异导致的热应力，并且所述传导复合材料可以含有10～40％的所述传导材料。
另外，所述支承装置还可以包括接合部件，其介于所述金属膜和底板之间并被构造成通过用作居间体的金属板固定所述金属膜和底板。
另外，所述接合部件可以由其中插有金属网的填料形成。
根据本公开的一个方面，衬底处理设备可以包括被构造成具有处理空间的室、放置在所述室中并被构造成支承衬底的支承装置、被构造成将加工气体供应到所述处理空间中的气体供应装置、和被构造成从所述加工气体产生等离子体的等离子体源，其中所述支承装置可以包括与高频电源连接并被构造成具有在其上沉积第一金属膜的顶表面的底板、和放置在所述底板上的非传导支承板，所述非传导支承板被构造成包括通过静电力吸附所述衬底的电极、被构造成具有在其上沉积与所述第一金属膜相同材料的第二金属膜的底表面，所述支承板与所述底板通过钎焊工艺接合。
另外，所述底板可以具有传导复合材料，在所述传导复合材料中碳化硅(SiC)、氧化铝(Al2O3)、硅(Si)、石墨和玻璃纤维之一添加到传导材料中，以最小化由于所述支承板与底板之间热膨胀率的差异导致的热应力，并且所述传导复合材料可以含有10～40％的传导材料。
另外，所述衬底处理设备还可以包括介于所述底板和支承板之间并被构造成通过钎焊工艺将所述支承板与所述底板接合的金属板。
另外，所述衬底处理设备还可以包括介于所述底板和支承板之间并被构造成通过钎焊工艺将所述支承板与所述底板接合的金属填料。
根据本公开的实施方式，可以实现提供具有高度耐热性的支承装置。
根据本公开的实施方式，有可能最小化由支承板和底板之间热膨胀率的差异导致的热应力，从而防止所述支承板断裂、弯曲或其他损伤。
根据实施方式，第一金属膜对于防止由底板传导材料的含量减少到小于50％产生的不稳定性可能特别有效，最小化由于支承板和底板之间热膨胀率的差异导致的弯曲效应。
根据以下详细说明，其结合附图公开了本公开的各种实施方式，本公开的其他方面、优点和显著特点对于本领域技术人员将变得显而易见。
附图说明
根据结合附图的以下描述，本公开某些实施方式的上述和其他方面、特点和优点将更加显而易见，在所述附图中：
图1是示出根据本公开实施方式的衬底处理设备的截面图；
图2是示出图1中显示的支承装置的支承板的平面图；
图3是示出沿着图2的X-X’取的支承装置的支承板的截面图；
图4是示意性示出图1中显示的支承装置的元件的分区图；
图5是显示支承装置制造方法的流程图；
图6是显示通过图5的制造方法互相接合的支承板和底板之间接合部件的显微结构的照片；和
图7是示出静电吸盘的变型的截面图。
具体实施方式
以下将结合附图描述本公开的各种实施方式。然而，本文中描述的各种实施方式可以不有意限制在具体的实施方式中，而是应该解释为包括多种多样的变型、等效和/或替代方案。关于附图的描述，同样的附图标记是指同样的元件。
图1是示出根据本公开实施方式的衬底处理设备的截面图。
参考图1，衬底处理设备10可以用等离子体处理衬底W。例如，衬底处理设备10可以执行若干加工例如蚀刻、洗涤、灰化等等。衬底处理设备可以包括室100、支承装置200、等离子体源300、气体供应装置400和挡板装置500。
室100可以提供处理衬底的空间。室100可以包括用于处理衬底的内部密闭空间。室100可以由金属制成。室100可以由铝制成。室100可以接地。所述室可以在底部具有排气孔102。排气孔102可以与排气管线151连接。在加工期间产生的副产物和在所述室的内部空间中停留的气体可以通过排气管线151向外排出。排气可以调节室100的内部空间以下降到特定的压力。
在实施方式中，室100可以在内部包括内衬130。内衬130可以成型为向上和向下开口的圆筒。可以提供内衬130与内表面接触。内衬130可以保护室100内壁免遭电弧放电。另外，内衬130可以防止在衬底处理期间产生的粒子沉积在室100的内壁上。或者，室100中可以不提供内衬130。
支承装置200可以放置在室100中。支承装置200可以支承衬底W。支承装置200可以包括用静电力吸附衬底W的静电吸盘210。另外，支承装置200可以利用其他机制例如机械夹紧来支承衬底W。包括静电吸盘210的支承装置200将在下文中更详细地描述。
支承装置200可以包括静电吸盘210、底盖250和板270。支承装置200可以在室100中向上与室100的底部分离。
静电吸盘210可以包括支承板220和底板230。
支承板220可以提供到静电吸盘210的顶部。
支承板220可以由非传导材料形成。金属膜226可以沉积在支承板220的底表面上。另外，支承板220可以由具有传导材料和其他添加剂的复合材料形成。在实施方式中，支承板220可以包括圆形介电物质。衬底W可以放置在支承板220的顶表面上。支承板220的顶表面在半径上可以小于衬底W。因此，衬底W的加热边缘可以超出支承板220放置。
图2是示出图1中显示的支承装置的支承板的平面图，图3是示出沿着图2的X-X’取的支承装置的支承板的截面图。
参考图2和3，支承板220可以包括内槽221、外槽222、槛224、凸起227、和第二流路233。内槽221可以位于支承板220的顶部中央。内槽221在顶视图可以具有圆形。内槽221可以具有第一深度d1。
另外，内槽221可以在顶视图中具有第一面积A1。内槽221可以具有第一体积V1。第一体积V1是指在内槽221中被传热气体占据的体积。因此，第一体积V1是指通过在体积上从内槽221减去位于内槽221中的凸起227得到的体积。
外槽222可以在顶视图中具有环形。外槽222可以围绕内槽221。外槽222可以具有第二深度d2。外槽222的第二深度d2可以不同于内槽221的第一深度d1。另外，外槽222的第二深度d2可以与内槽221的第一深度d1相同。
外槽222在顶视图中可以具有第二面积A2。外槽222的第二面积A2可以比内槽221的第一面积A1宽。另外，外槽222的第二面积A2可以与内槽221的第一面积A1相同。外槽222可以具有第二体积V2。第二体积V2是指在外槽222中被传热气体占据的体积。因此，第二体积V2是指通过在体积上从外槽222减去位于外槽222中的凸起227得到的体积。在实施方式中，外槽222的第二体积V2可以不同于内槽221的第一体积V1。另外，外槽222的第二体积V2可以与内槽221的第一体积V1相同。
槛224可以提供在内槽221和外槽222之间。槛224可以充当界定内槽221和外槽222的边界。槛224可以具有与支承板220和凸起227的顶端相同水平的高度。
凸起227可以提供在内槽221和外槽222中。可以提供多个凸起227。凸起227可以包括第一凸起227a和第二凸起227b。第一凸起227a可以布置在内槽221中。可以提供多个第一凸起227a。多个第一凸起227a可以相互以特定的间隔排列。第一凸起227a可以安排成与内槽221的第一深度d1相同。第一凸起227a可以具有与槛224的顶端相同水平的高度。
第二凸起227b可以布置在外槽222中。可以提供多个第二凸起227b。多个第二凸起227b可以相互以特定的间隔排列。第二凸起227b可以安排成与外槽222的第二深度d2相同。第二凸起227b可以具有与槛224的顶端相同水平的高度。
第二流路233可以向衬底W的底表面供应传热气体。第二流路233可以向内槽221和外槽222供应传热气体。第二流路233可以与内槽221和外槽222连接。在实施方式中，第二流路233可以包括内第二流路233a和外第二流路233b。内第二流路233a可以与内槽221连接以将传热气体供应到内槽221中。外第二流路233b可以与外槽222连接以将传热气体供应到外槽222中。
传热气体可以充当衬底W和支承装置200之间的传热介质。传热气体可以被提供有高导热性的流体以帮助在衬底W和支承装置200之间传热。可以控制供应给支承装置200的顶表面的传热气体量，以调节衬底W的温度。如前所述，通过在支承装置200的顶表面上提供深度、宽度和体积不同的多个槽来调节衬底W和支承装置200之间传热气体的量，可能是可实行的。因此，有可能容易根据衬底W的面积控制温度。在实施方式中，传热气体可以含有氦(He)气。
返回图1，支承板220还可以包括铺设在其中的第一电极223和加热器225。
第一电极223可以与第一电源223a电连接。第一电源223a可以包括直流(DC)电源。开关223b介于第一电极223和第一电源223a之间。第一电极223可以通过开关223b的开/关操作与第一电源223a电连接。如果所述开关被扭开，DC可以施加于第一电极223。施加于第一电极223的电流在第一电极223和衬底W之间引起静电力。这种静电力使得衬底W吸附于支承板220。
加热器225可以放置在第一电极223之下。加热器225可以与第二电源225a电连接。加热器225可以通过阻碍从第二电源225a供应的电流而产热。产生的热可以通过支承板220传递到衬底W。衬底W可以通过从加热器225产生的热保持在特定温度下。加热器225可以包括螺旋形线圈。
底板230可以放置在第一电极223之下。支承板220的底表面和底板230的顶表面可以通过靠填料235作为居间体钎焊而相互接合。底板230可以包括传导材料。在实施方式中，底板230可以具有铝。底板230可以包括电极。底板230的顶表面被形成为具有使中央加热区的水平高于边缘加热区的阶。底板230的顶部中央加热区可以与支承板220的底表面对应并可以与支承板220的底表面接触。底板230可以形成有再循环流路231、冷却构件232和第二流路233。
再循环流路231可以提供使传热介质再循环的通路。再循环流路231可以在底板230中螺旋形成。另外，再循环流路231可以构造成具有相同的中心但是半径不同的环形流路。再循环流路231可以相互连接。再循环流路231可以在相同高度的水平。
冷却构件232可以冷却所述本体。冷却构件232可以提供通路，冷却流体通过所述通路再循环。冷却构件232可以在底板230中螺旋形成。此外，冷却构件232可以构造成具有相同的中心但是半径不同的环形流路。冷却构件232可以相互连接。冷却构件232在横截面积上可以大于再循环流路231。冷却构件232可以在相同高度的水平上。冷却构件232可以位于再循环流路231之下。
第二流路233可以从再循环流路231向上延伸到底板230的顶表面。可以提供在数量上与再循环流路231对应的第二流路233。
再循环流路231可以与传热介质储器231a连接。传热介质储器231a可以储存传热介质。传热介质可以含有惰性气体。根据实施方式，传热介质可以含有氦(He)气。氦气可以通过供应管线231b供应到再循环流路231中并可以通过第二流路233、内槽221和外槽222供应到衬底W的底表面。氦气可以充当传热介质，其被从等离子体传递到衬底W，到静电吸盘210。
冷却构件232可以通过冷却流体供应管线232c与冷却流体储器232a连接。冷却流体储器232a可以储存冷却流体。冷却流体储器232a可以包括冷却器232b。冷却器232b可以将冷却流体冷却到特定温度。另外，冷却器232b可以安装在冷却流体供应管线232c上。通过冷却流体供应管线232c供应给冷却构件232的冷却流体可以沿着冷却构件232再循环以冷却底板230。可以将底板230与支承板220和衬底W一起冷却，从而使衬底W可以保持在特定温度。
底板230可以包括金属板。根据实施方式，底板230可以完全由金属板形成。底板230可以与第三电源235a电连接。第三电源235a可以作为高频电源提供以产生高频电力。高频电源可以作为RF电源提供。高频动力可以从第三电源235a施加于底板230。因此，底板230可以起到电极的作用。
聚焦环240可以布置在静电吸盘210的边缘。聚焦环240可以成型为环并可以沿着支承板220的周边布置。聚焦环240的顶表面可以具有阶，由此外部件240a高于顶部内部件240b。聚焦环240的顶部内部件可以在支承板220的顶表面高度相同的水平上。聚焦环240的顶部内部件240b可以支承超出支承板220放置的衬底W边缘。外部件240a可以提供成围绕衬底W的边缘。聚焦环240可以在衬底W的全部面积上控制电磁场到均匀的等离子体密度。因此，等离子体可以在衬底W的全部面积上均匀形成，从而衬底W可以在每个区域中均匀蚀刻。
底盖250可以放置在支承装置200之下。底盖250可以向上与室100的底表面分离。底盖250可以具有朝上开放的内部空间。底盖250的外半径可以与底板230的外半径相同。底盖250的内部空间可以容纳提升销组件(未显示)，其将衬底W从外部运载构件移到静电吸盘210。底盖250的底表面可以由金属制成。
底盖250可以具有联接构件253。联接构件253可以将底盖250的外表面与室100的内壁联接。可以在底盖250的外表面上提供具有特定内部的多个联接构件253。联接构件253可以在室100中支承所述支承装置200。此外，联接构件253可以与室100的内壁连接以使得底盖250电接地。与第一电源223a连接的第一电力线223c、与第二电源225a连接的第二电力线225c、与第三电源235a连接的第三电力线235c、与传热介质储器231a连接的介质供应管线231b和与冷却流体储器232a连接的冷却流体供应管线232c可以通过联接构件235的内部空间延伸到底盖250内部之中。
板270可以介于静电吸盘210和底盖250之间。板270可以覆盖底盖250的顶表面。板270在横截面积上可以与底板230相当。板270可以包括绝缘物质。板270可以将底板230与底盖250电绝缘。
等离子体源可以从加工气体产生等离子体。等离子体源可以电容耦合等离子体(CCP)或电感耦合等离子体(ICP)的形式提供。
以下将按照根据本公开实施方式使用CCP类型等离子体源的衬底处理设备10进行描述。等离子体源可以包括喷头300。另外，等离子体源可以形成为ICP类型。
喷头300可以在室100中放置在支承装置200上方。喷头300可以与支承装置200相对。
喷头300可以包括气体分配板310和支承部件330。气体分配板310可以向下与室100的顶表面分离特定的间隔。气体分配板310和室100的顶表面可以在它们之间形成特定空间。气体分配板310可以提供成具有特定厚度的板。气体分配板310的底表面可以阳极化以防止电弧产生。气体分配板310的截面在形状上可以与支承装置200的截面对应。气体分配板310可以包括多个喷射孔311。喷射孔311可以垂直穿透气体分配板310的顶和底表面。气体分配板310可以含有金属。气体分配板310可以与第四电源351电连接。第四电源351可以作为高频电源提供。另外，气体分配板310可以电接地。气体分配板310可以充当与第四电源351或与地面电连接的电极。
支承部件330可以支承气体分配板310的侧边。支承部件330的顶端可以与室100的顶表面联接，且支承部件330的底端可以与气体分配板310的侧边联接。支承部件330可以含有非金属材料。
喷头300可以充当受电力供应的电极。喷头300和支承装置200的底板230可以分别作为上电极和下电极提供。所述上电极和下电极可以在室100中相互平行上下配置。这两个电极之一可以施加高频电力，而另一个可以接地。这两个电极之间的空间可以在电磁场中调节，供应到所述空间中的加工气体可以激发成等离子态。这种等离子体可以用于衬底处理。
根据实施方式，所述下电极可以施加高频电力，同时所述上电极可以接地。另外，所述上电极和下电极可以都施加高频电力。由于这种条件，在所述上电极和下电极之间产生电磁场。该电磁场可以作用以激发供应到室100中的加工气体成为等离子态。
气体供应装置400可以将加工气体供应到室100中。气体供应装置400可以包括气体供应喷嘴410、气体供应管线420和气体储器430。气体供应喷嘴410可以安装在室100的顶部中央。气体供应喷嘴410的底表面可以形成有注入器。注入器可以将加工气体供应到室100中。气体供应管线420可以将气体供应喷嘴410与气体储器430连接。气体供应管线420可以将加工气体从气体储器430供应到气体供应喷嘴410。气体供应管线420可以装有阀421。阀421可以打开或关闭气体供应管线420，并且可以调节通过气体供应管线420供应的加工气体的通量。
挡板装置500可以放置在支承装置200和室100的内壁之间。挡板装置500可以包括挡板510。挡板510可以成型为环。挡板510中可以形成多个通孔511。提供到室100中的加工气体可以通过通孔511并可以排出到排气孔102。加工气体的流量可以由挡板510和通孔511的形状来控制。
下文将描述图1支承装置的制造方法。
图4是示意性示出图1中显示的支承装置的元件的分区图。图5是显示支承装置制造方法的流程图。
为了便于图示起见，图4中未显示在支承板220的顶表面上形成的槽、槛、凸起和流路。此外，虽然图4按照第一金属膜和第二金属膜比金属网290厚来图示，但如图6中所示所述金属网比第一金属膜和第二金属膜厚可能是可实行的。
支承装置的静电吸盘210可以包括支承板220、底板230和接合部件。接合部件可以是利用第一金属膜282和第二金属膜284、以及所述金属膜之间的金属网290作为接合居间体，通过钎焊工序形成的接合层。虽然这种实施方式按照接合部件包括金属网290来图示和描述，但所述接合部件甚至可以用金属板而不是金属网来提供。
为了最小化由于支承板220和底板230之间热膨胀率的差异导致的热应力，底板230可具有添加剂与传导材料混合的传导复合材料。添加剂可以由热膨胀率小于传导材料和支承板材料之间热膨胀率之差的材料制成。在实施方式中传导材料可以含有钛(Ti)或铝(Al)，优选铝(Al)。添加剂可以含有碳化硅(SiC)、氧化铝(Al2O3)、硅(Si)、石墨、玻璃纤维等之一。在传导材料铝(Al)含量等于或大于50％的情况下，传导复合材料可能由于热膨胀率的差异引起的弯曲效应，不足以制造静电吸盘。在传导材料铝(Al)小于50％(优选10-40％)的情况下，传导复合材料可能由于充当钎焊源材料的Al含量欠缺，不足以形成稳定的钎焊。为了解决这种问题，在根据本公开实施方式的底板230中，可以用铝(Al)的第一金属膜282实行钎焊工艺以得到稳定的钎焊界面(S10)。
如前所述，通过用含有含量小于10-40％的铝(Al)的传导复合材料制造底板230和然后通过在第一金属膜282的顶表面上形成第一金属膜282，可能可容许当实行钎焊工艺来接合支承板220与底板230时减少由支承板220和底板230之间的热膨胀率差异引起的热应力，并可容许由第一金属膜282提供稳定的钎焊界面。以这种方式，降低了由于所述支承板和所述底板之间热膨胀率的差异导致的热应力，从而防止支承板220由于热膨胀率差导致的断裂或弯曲。
同时，底板230可以独立地制造成上底板230-1和下底板230-2，用于提供作为冷却液再循环通路的冷却构件232，然后上底板230-1和下底板230-2可以通过钎焊工艺相互接合。钎焊上底板230-1和下底板230-2的温度可以高于钎焊底板230和支承板220的温度。
第二金属膜284可以沉积在由非传导材料制成的支承板220的底表面上(S10)。第二金属膜284可以用与第一金属膜282相同的材料提供。支承板220可以包括在第二金属膜284和支承板220底表面之间的第三金属膜286。第三金属膜286可以在第二金属膜284沉积在支承板220的底表面上之前，通过真空蒸镀或电镀沉积在其上。第三金属膜286可以由钛(Ti)制成，但也可以由镍(Ni)或银(Ag)制成。
同时，在支承板220和由传导材料制成的底板230之间可以提供金属网290(S20)。在实施方式中，金属网290可以具有20-80％的孔隙率。金属网290可以含有铝(Al)。可以利用金属网290作为居间体实行钎焊工艺(S30)。
在钎焊工艺中，金属网290可以插入要接合的支承板220和底板230之间，并可以加热直到足以熔化其金属的温度并冷却，然后可以冷却形成如图6中所示的强接合部件。支承板220和底板230通过所述钎焊工艺相互接合(S40)。因为支承板220与底板230接合，静电吸盘210可以表现出在高温过程下高度耐热性的特征。
虽然上述描述是关于支承板220和底板230之间通过钎焊工艺接合，但支承板220和底板230也可以通过其他各种方式相互接合。在实施方式中，可以在支承板220和底板230之间提供接合层。
在另一种实施方式中，无需所述接合部件和底板230的第一金属膜，在第二金属膜284沉积在支承板220的底表面上的条件下，支承板220和底板230可以相互接合。
图7是示出静电吸盘的变形的截面图。
图7中示出的静电吸盘210a可以包括支承板220、底板230和接合部件。接合部件可以通过伴以填料235作为居间体的钎焊工艺与其接合，其与前述静电吸盘不同在于金属网290被插入填料235中。
虽然在这种实施方式中，所述接合部件被构造成金属网290插入填料235中，但静电吸盘可以不用填料235作为居间体，通过利用材料(铝)的固态扩散钎焊工艺，用其它方式形成接合结构，例如在底板230的第一金属膜282和支承板220的第二金属膜284之间没有这种附加填料的缓冲金属层。
虽然本公开的实施方式已经参考其附图进行了显示和描述，但本领域技术人员将会了解，在不背离如所附权利要求书以及它们的等同体限定的本公开的精神和范围情况下，可以在其中作出形式和细节上的各种改变和修改。例如，即使本公开的实施方式用对于本公开的实施方式所公开的要素以分散的形式、或用所述要素以组合的形式实行，但对于实现期望的结果可能是可容许的。因此，本公开的技术范围应该基本由所附权利要求的发明构思限定，但没有对权利要求在文字上的限制，并且应该解释为包括所附权利要求的其他实施、其他实施方式和等同体。