技术总结
本发明涉及用于切换射频信号的切换设备。该切换设备包括至少一个第一场效应晶体管，该第一场效应晶体管包括第一源极节点、第一栅极节点和第一漏极节点，其中在半导体基板上，第一栅极节点布置在第一漏极区域和第一源极区域之间。该切换设备包括至少一个第二场效应晶体管，该第二场效应晶体管包括第二源极节点、第二栅极节点和第二漏极节点，其中在同一个半导体基板上，第二栅极节点布置在第二漏极区域和第二源极区域之间。第一晶体管的第一源极区域直接连接至第二晶体管的第二漏极区域，以形成该切换设备的公共节点。该切换设备的输入节点和输出节点直接连接至公共节点。该切换设备由公共半导体基板上的偶数个场效应晶体管形成。
技术研发人员：西蒙·施密德
受保护的技术使用者：罗德施瓦兹两合股份有限公司
文档号码：201511020609
技术研发日：2015.12.30
技术公布日：2016.12.07