1.一种绝缘体上硅(SOI)晶圆的制造方法，将于绝缘层上形成SOI层的SOI晶圆的该SOI层减少至预定的厚度，使该SOI层的膜厚度达到目标值，该SOI晶圆的制造方法至少包含下列步骤：
(a)在氧化性气体氛围下进行热处理，于该SOI层的表面形成热氧化膜；
(b)测定该热氧化膜形成后的SOI层的膜厚度；
(c)对该SOI层进行批次(batch)式洗净，该批次式洗净包括将该SOI层浸泡于对于该SOI层具蚀刻性的洗净液，借由因应于该步骤(b)所测定的SOI层的膜厚度来调整该SOI层的蚀刻量，而将经该批次式洗净后的SOI层的膜厚度调整成比该目标值较厚；
(d)测定经该批次洗净后的SOI层的膜厚度；以及
(e)对该SOI层进行单片式洗净，该单片式洗净包括将该SOI层浸泡于对于该SOI层具蚀刻性的洗净液，借由因应于该步骤(d)所测定的SOI层的膜厚度来调整该SOI层的蚀刻量，而将经该单片式洗净后的SOI层的膜厚度调整成该目标值，
其中，于该步骤(a)之后且于该步骤(b)之前，或于该步骤(b)之后且于该步骤(c)之前，去除在该步骤(a)所形成的热氧化膜。
2.如权利要求1所述的SOI晶圆的制造方法，其中该步骤(b)的膜厚度的测定是在未去除该步骤(a)所形成的热氧化膜下进行，于该步骤(b)之后且于该步骤(c)之前，在将该步骤(a)所形成的热氧化膜用含有HF的水溶液以批次式洗净去除之后，以不使该经去除热氧化膜的SOI层的表面干燥而将该SOI层浸泡于对于该SOI层具蚀刻性的洗净液的方式进行该步骤(c)的批次式洗净。
3.如权利要求1或2所述的SOI晶圆的制造方法，其中该SOI晶圆是借由离子注入剥离法所制作，该离子注入剥离法至少包括：
接合具有借由注入离子所形成的微小气泡层的接合晶圆与作为支持基板的基底晶圆，以及
以该微小气泡层为边界剥离接合晶圆而于基底晶圆上形成薄膜。
4.如权利要求1至3中任一项所述的SOI晶圆的制造方法，其中该批次式洗净及该单片式洗净，包括浸泡于SC1溶液的洗净。
5.如权利要求1至4中任一项所述的SOI晶圆的制造方法，其中该步骤(c)的批次式洗净后的SOI层的膜厚度的批次内平均值控制于该目标值与该目标值+0.5nm之间。