1.一种方法，该方法包括：
提供基板，基板在基板的表面上具有多个触点；
在表面上形成导电材料层；
在导电材料层上方沉积并图案化光阻层，以使得光阻层的多个部分留在导电材料的在触点上的对应部分上；和
蚀刻导电材料层的暴露的部分，以使得导电材料层的剩余部分在触点上形成导电凸块。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，基板在表面上包括对准标记，该方法进一步包括：
在所述形成之前，在表面上沉积并图案化附加的光阻层，以使得附加的光阻层的多个部分留在对准标记上方；
其中，所述形成包括在表面上和在附加的光阻层的多个部分上方形成导电材料层；
通过移除附加的光阻层的多个部分来剥离导电材料层的形成在对准标记上方的部分；并且
其中，沉积并图案化光阻层包括使用对准标记来图案化形成在导电材料层上方的光阻层。
3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在蚀刻之后移除光阻层的多个部分，并且其中，导电材料层包括铟。
4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在蚀刻之后移除光阻层的多个部分，并且其中，导电材料层包括金属叠层，该金属叠层包括钛、镍、镍合金、铂或金和铟的组合。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，基板包括红外检测器基板、读出集成电路基板或印刷电路基板。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，触点包括导电通孔。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，基板包括红外检测器基板，并且其中，所述导电通孔穿过基板上的覆盖玻璃层。
8.根据权利要求5所述的方法，其中，基板包括红外检测器基板，并且其中，红外检测器基板由从包括InSb、HgCdTe、CdTe、InP、GaAs、GaSb和InGaAs的组中选择的材料形成。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，基板包括晶片基板。
10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括切割晶片基板以形成多个半导体装置，每个半导体装置都具有导电凸块阵列。
11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括将多个半导体装置中的至少一个上的导电凸块阵列联接到附加的半导体装置上的对应的导电触点。
12.一种红外检测器封装，其结合有通过权利要求1所述的方法形成的导电凸块而耦连在一起的检测器装置和读出集成电路。
13.一种红外摄像机，其结合有根据权利要求12所述的所述红外检测器封装。
14.一种方法，该方法包括：
提供成像模块基板；
使用各向异性的回蚀工艺在成像模块基板上形成凸块触点；和
将成像模块的至少一部分上的至少一些凸块触点联接到成像模块部件上的对应的导电触点。
15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括：
在所述形成之后，切割成像模块基板以由成像模块基板的所述一部分形成检测器装置。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，成像模块部件包括具有对应的导电触点的读出集成电路，并且其中，所述联接包括使检测器装置上的凸块触点阵列与读出集成电路上的对应的导电触点耦连。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，对应的导电触点包括读出集成电路上的接触垫。
18.一种红外检测器封装，其结合有通过权利要求16所述的耦连而耦连在一起的检测器装置和读出集成电路。
19.一种红外摄像机，其结合有根据权利要求18所述的所述红外检测器封装。
20.根据权利要求14所述的方法，其中，各向异性的回蚀工艺包括对成像模块基板上的铟层的基于甲烷的等离子体蚀刻或对成像模块基板上的铟层的基于氯的等离子体蚀刻。
21.根据权利要求14所述的方法，其中，各向异性的回蚀工艺包括对成像模块基板上包括金属叠层的层的基于甲烷、基于氯或基于氟的等离子体蚀刻，所述金属叠层包括铟。
22.根据权利要求14所述的方法，其中，各向异性的回蚀工艺包括对成像模块基板上包括钛、镍、镍合金、铂或金和铟的组合的层的基于氯的等离子体蚀刻。
23.一种成像装置，该成像装置包括：
在第一基板上的红外检测器元件的阵列；
在第二基板上的单元读出电路的阵列；和
插入在红外检测器元件的阵列和单元读出电路的阵列之间的铟凸块的阵列，其中，每个单元读出电路通过相关的一个铟凸块联接到对应的一个红外检测器元件，其中，每个铟凸块都具有高度，并且其中，铟凸块的阵列中的铟凸块的高度具有在百分之十五以内的均匀性。
24.根据权利要求23所述的成像装置，进一步包括：
触点金属叠层的阵列，每个触点金属叠层都与对应的一个铟凸块相关，且每个触点金属叠层都由包括钛、镍、镍合金、铂或金的触点金属层的组合形成，其中，触点金属叠层的阵列插入在红外检测器元件的阵列和单元读出电路的阵列之间，并且其中，每个单元读出电路都通过相关的一个触点金属叠层和相关的一个铟凸块联接到对应的一个红外检测器元件。