用于IIIA族N装置的经热处理半导体/栅极电介质界面的制作方法

技术特征：

技术总结
在所描述实例中，一种制作用于功率晶体管装置的栅极堆叠的方法(100)包含对衬底上的IIIA族N层的表面进行热氧化(101)以形成厚度大于5A的氧化物材料的第一电介质层。在所述第一电介质层上沉积(102)为氮化硅或氮氧化硅的第二电介质层。在所述第二电介质层上形成(104)金属栅极电极。

技术研发人员：N·S·德拉斯
受保护的技术使用者：德州仪器公司
技术研发日：2015.11.03
技术公布日：2017.08.29