用于产生载体的方法和用于产生光电子元件的方法与流程

本发明涉及根据专利权利要求1的用于产生用于光电子元件的载体的方法，并且涉及根据专利权利要求8的用于产生光电子元件的方法。

该专利申请要求德国专利申请de102014116370.2的优先权，同此通过引用并入其公开内容。

背景技术：

从现有技术已知具有基于引线框架的外壳的例如发光二极管元件之类的光电子元件。为了产生此类光电子元件，引线框架被嵌入在模制主体中。在这种情况下，通常发生引线框架的接触焊盘被模制主体的模制材料的不期望覆盖，这使得后续的清洁成为必要的。

技术实现要素：

本发明的目的是提供一种用于产生用于光电子元件的载体的方法。该目的通过具有权利要求1的特征的方法来实现。本发明的另一目的是提供一种用于产生光电子元件的方法。该目的通过具有权利要求8的特征的方法来实现。在从属权利要求中详述各种改进。

一种用于产生用于光电子元件的载体的方法包括以下步骤：提供具有上侧和下侧的引线框架；将第一膜布置在引线框架的下侧上；将第二膜布置在引线框架的上侧上；由模塑材料形成模制主体，该引线框架被嵌入在该模制主体中；以及移除第一膜和第二膜。

在该方法中布置在引线框架的下侧上和上侧上的膜可以基本上防止在模制主体的形成期间引线框架的下侧和上侧被用模塑材料覆盖。因此，在该方法中，有利地使用以从引线框架的下侧和/或上侧移除模塑材料的后续清洁步骤不是必要的。这具有以下优点：在该方法中避免与载体的上侧和/或下侧的清洁相关联的载体上的机械和/或化学载荷。因此降低该载体的破裂或其他损伤的风险。以这种方式，可以增加可通过该方法获得的载体的稳定性。

省略清洁步骤还避免使引线框架的上侧和/或下侧变粗糙（这与反射率降低相关联）的风险，以便可通过该方法获得的载体可以具有高的光学反射率。以这种方式，由该载体产生的光电子元件可以具有增加的亮度。

省略清洁步骤还降低对密封引线框架的模塑材料的损伤的风险。这样的损伤可以与加速的老化、降低的反射率和降低的机械稳定性相关联。

避免在模制主体的形成之后的清洁步骤另外降低在载体的焊料接触焊盘上产生刮伤或其他机械损伤的风险。以这种方式，可以增加由载体产生的光电子元件的可靠性。

由于省略移除覆盖引线框架的下侧和/或上侧的模塑材料的清洁步骤，所以可以另外有利地降低用以实现该方法所花费的时间以及该方法的成本。

在本发明的一个实施例中，第一膜和/或第二膜是自粘膜。在这种情况下，该膜的自粘侧可以面向引线框架的下侧和/或上侧。有利地，因此将该膜粘附到引线框架的下侧和/或上侧，以使得实现特别可靠地保护引线框架的上侧和/或下侧免被模制主体的模塑材料覆盖。由于第一膜和/或第二膜到引线框架的粘附紧固，具有粘附到其的膜的引线框架另外特别易于处理，以使得可以特别简单地实现该方法。

在该方法的一个实施例中，第一膜和/或第二膜包括聚酰亚胺、etfe或pet。有利地，根据经验，此类膜适合于在模塑工艺中使用。

在该方法的一个实施例中，借助于模塑方法，特别地借助于传递模塑来形成模制主体。有利地，这允许经济且可重复地实现该生产方法。

在该方法的一个实施例中，以使得引线框架的下侧或上侧的区块保持未被膜覆盖这样的方式来布置第一膜或第二膜。在这种情况下，在未被覆盖的区块处将模塑材料递送在第一膜和第二膜之间。有利地，可以由此来确保整个引线框架在由模塑材料形成的模制主体中的可靠嵌入。

在该方法的一个实施例中，模塑材料包括环氧树脂和/或硅树脂。有利地，该模塑材料因此具有良好的机械性质并且可以被经济地获得。

在该方法的一个实施例中，引线框架包括大量第一引线框架区块和大量第二引线框架区块。这使由引线框架产生用于光电子元件的大量载体成为可能。该方法因此允许经济的大规模生产。

一种用于产生光电子元件的方法包括以下步骤：通过以上提到的类型的方法产生载体；以及将光电子半导体芯片布置在载体的上侧上。该方法使产生具有紧凑外部尺寸的光电子元件成为可能。该方法在这种情况下适合于大规模生产，以使得有利地降低用于生产单独光电子元件的成本。通过以上提到的方法可获得的光电子元件的通过该方法产生的载体有利地具有高机械质量。

在该方法的一个实施例中，光电子半导体芯片被导电连接至第一引线框架区块和第二引线框架区块。因此可以在可通过该方法获得的光电子元件中使用该第一引线框架区块和第二引线框架区块来将电压和电流施加于光电子元件的光电子半导体芯片。同时，可以在可通过该方法获得的光电子元件中使用该第一引线框架区块和第二引线框架区块作为用于电接触光电子元件的电接触焊盘。

在该方法的一个实施例中，光电子半导体芯片被布置在第一引线框架区块上。在这种情况下，由于光电子半导体芯片在第一引线框架区块上的布置，有利地可以在光电子半导体芯片和第一引线框架区块之间同时产生导电连接。有利地，这引起可通过该方法获得的光电子元件的特别紧凑的具体化。

在该方法的一个实施例中，它包括用以致形成在其中嵌入各第一引线框架区块中的一个和各第二引线框架区块中的一个的模制主体区块这样的方式来划分模制主体的另外的步骤。在这种情况下，光电子半导体芯片被布置在模制主体区块上。因此该方法允许在常见的处理步骤中同时生产大量光电子元件。以这种方式，用于产生光电子元件的成本以及产生光电子元件所花费的时间有利地被降低。

附图说明

结合下面对示例性实施例的描述，本发明的以上描述的性质、特征和优点以及实现它们所用的方式将变得清楚并更容易可理解，将结合绘图来更详细地解释该示例性实施例，在该绘图中，分别在示意性表示中

图1示出引线框架的透视图；

图2示出具有布置在下侧上的第一膜的引线框架的视图；

图3示出具有布置在上侧上的第二膜的引线框架；

图4示出形成在各膜之间并且在其中嵌入引线框架的模制主体；

图5示出在移除膜之后模制主体的透视图；以及

图6示出由模制主体的模制主体区块产生的光电子元件的透视图。

具体实施方式

图1示出引线框架100的示意性透视表示。

该引线框架100包括导电材料，例如金属。该引线框架100优选地包括铜。可以在引线框架100的表面上布置用以提高引线框架100的可焊性的涂层。

引线框架100具有基本平坦和平面的形状，具有上侧101以及与该上侧101相对放置的下侧102。可以例如由金属片产生引线框架100。

引线框架100具有从上侧101到下侧102延伸通过引线框架100的开口，通过该开口将引线框架100细分成大量第一引线框架区块110和第二引线框架区块120。可以例如已借助于蚀刻方法形成该开口。除了开口之外，引线框架100可以在其上侧101和/或在其下侧102上具有另外的凹进处，其不完全通过引线框架100延伸。

以规则网格布置将第一引线框架区块110和第二引线框架区块120布置在引线框架110的平面中。每个第一引线框架区块110和邻近第二引线框架区块120形成相关联对。在每个这样的对中，第一引线框架区块110和相关联的第二引线框架区块120彼此不直接连接，而是仅经由相应另外的相邻部连接。

图2示出处于按时间顺序在图1的表示之后的处理状态中的引线框架100的示意性透视表示。

第一膜200已被布置在引线框架100的下侧102上。该膜200具有第一侧201和与第一侧210相对放置的第二侧202。该第一膜200的第一侧201面向引线框架100的下侧102并且优选地完全覆盖引线框架100的下侧102。如果引线框架100的下侧102具有隆起和凹陷区块，则第一膜200仅与下侧102的隆起区块接触。

第一膜200可以例如包括聚酰亚胺。

该第一膜200可以被配置为自粘膜。在这种情况下，第一膜200的面向引线框架100的下侧102的第一侧201被配置成自粘的。第一膜200的第一侧201然后粘附于引线框架100的下侧102。

如果第一膜200没有被配置为自粘膜，则第一膜200优选地被配置成软的且可弯的，以使得可以通过将引线框架100按压到膜200的第一侧201上来确保利用第一膜200对引线框架100的整个下侧102的可靠覆盖。

图3示出处于按时间顺序在图2的表示之后的处理状态中的引线框架100的示意性透视表示。

第二膜300已被布置在引线框架100的上侧101上。第二膜300具有第一侧301和与第一侧301相对放置的第二侧302。该第二膜300的第一侧301面向引线框架100的上侧101。该第二膜300覆盖引线框架100的上侧101的大部分。如果引线框架100的上侧101具有隆起和凹陷区块，则第二膜300仅覆盖引线框架100的上侧101的隆起区块。

第二膜300优选地覆盖除了未被覆盖区块310之外的所有区块中的引线框架100的上侧101，该未被覆盖区块310保持未被第二膜300覆盖。该未被覆盖区块310优选地被布置在引线框架100的边缘区中。例如，该未被覆盖区块310可以沿着引线框架100的边缘延伸。该未被覆盖区块310还可以被布置在引线框架100的拐角区中。

可以以与第一膜200相同的方式来配置第二膜300。第二膜300可以例如包括聚酰亚胺。

该第二膜300可以被配置为自粘膜。在这种情况下，第二膜300的面向引线框架100的上侧101的第一侧301被配置成自粘的。第二膜300的自粘的第一侧301在这种情况下粘附于引线框架100的上侧101，以使得可以实现利用第二膜300对引线框架100的上侧101的可靠覆盖。

如果第二膜300没有被配置为自粘膜，则第二膜300优选地被配置成软的且可弯的，以使得可以通过将引线框架100按压到第二膜300的第一侧301上来实现利用第二膜300对引线框架100的整个上侧101的可靠覆盖，除了在引线框架100的上侧101的未被覆盖区块310中之外。

作为描述的程序的替换方案，可能提供不在引线框架100的上侧310上而在引线框架100的下侧102上的未被覆盖区块310。在这种情况下，以使得第一膜200覆盖除了未被覆盖区块310之外的引线框架100的下侧102的所有隆起区块的这样的方式来将第一膜200布置在引线框架100的下侧102上。以使得第二膜300覆盖引线框架100的上侧101的所有隆起区块这样的方式来将第二膜300布置在引线框架100的上侧101上。

同样地可能省略未被覆盖区块310。在这种情况下，两个膜200、300覆盖引线框架100的上侧101和下侧102的所有隆起区块。

当然，可选地，第二膜300可以在第一膜200之前已经被布置在引线框架100上。

图4示出在按时间顺序在图3的表示之后的处理步骤中被布置在膜200、300之间的引线框架100的示意性表示。

模制主体400已经被形成在第一膜200和第二膜300之间。该引线框架100在这种情况下已经被嵌入在模制主体400中。该模制主体400已经由电绝缘模塑材料形成。该模塑材料可以例如包括环氧树脂和/或硅树脂。模制主体400已经通过模塑方法形成，例如通过传递模塑形成。在这种情况下，已经经由未被覆盖区块310将模塑材料引入到第一膜200和第二膜300之间的区中。作为替换方案，可以已经从引线框架100的侧翼将模塑材料引入到第一膜200和第二膜300之间的区中。

模制主体400已经被形成有上侧401和与该上侧401相对放置的下侧402。已经邻近于第二膜300的第一侧301形成该模制主体400的上侧401。已经邻近于第一膜200的第一侧201形成该模制主体400的下侧402。

在模制主体400的形成期间，被第二膜300保护的引线框架100的上侧101以及被第一膜200保护的引线框架100的下侧102基本没有用模制主体400的材料覆盖。因此，引线框架100的上侧101被暴露在模制主体400的上侧401上，并且与模制主体400的上侧401基本上齐平终止。相应地，引线框架100的下侧102被暴露在模制主体400的下侧402上，并且与模制主体400的下侧402基本上齐平终止。

图5示出处于按时间顺序在图4的表示之后的处理状态中的模制主体400的示意性透视表示。

已经从模制主体400的下侧402移除第一膜200。此外，已经从模制主体400的上侧401移除第二膜300。例如可以已经通过膜200、300的机械收缩来实现第一膜200和第二膜300从模制主体400的移除。

模制主体400，具有嵌入在模制主体400中的引线框架100，包括大量模制主体区块410，其彼此连续连接成一整块。引线框架100的第一引线框架区块110以及相关联的第二引线框架区块120被嵌入在模制主体400的每个模制主体区块410中。可以通过划分模制主体400和嵌入在模制主体400中的引线框架100来使各个模制主体区块410个体化。模制主体400与嵌入在模制主体400中的引线框架100的划分可以例如借助于锯切工艺来实现。

图6示出光电子元件10的示意性透视表示。

光电子元件10包括图5的模制主体400的个体化模制主体区块410，其形成光电子元件10的载体500。模制主体区块410的上侧401形成载体的上侧501。模制主体区块410的下侧402形成载体500的下侧502。

引线框架100的各第一引线框架区块110中的一个和各第二引线框架区块120中的一个被嵌入在形成载体500的模制主体区块410中。嵌入在形成载体500的模制主体区块410中的第一引线框架区块110与嵌入在模制主体区块410中的第二引线框架区块120电绝缘。在载体的上侧501以及下侧502二者上可访问第一引线框架区块110和第二引线框架区块120。

光电子半导体芯片600被布置在光电子元件10的载体500的上侧501上。光电子半导体芯片600可以例如是发光二极管芯片（led芯片）。该光电子半导体芯片600具有上侧601以及与该上侧601相对放置的下侧602。以使得光电子半导体芯片600的下侧602面向载体500的上侧501这样的方式来将光电子半导体芯片600布置在载体500的上侧501上。可以例如借助于焊料连接或粘合剂接合来将光电子半导体芯片600紧固在载体500的上侧501上。

光电子半导体芯片600被导电连接至光电子元件10的载体500的第一引线框架区块110和第二引线框架区块120。在图6中表示的示例中，光电子半导体芯片600被布置在第一引线框架区块110上，以使得在布置于光电子半导体芯片600的下侧602上的光电子半导体芯片600的电接触件与载体500的第一引线框架区块110之间存在导电连接。借助于接合线将布置于光电子半导体芯片600的上侧601上的光电子半导体芯片600的第二电接触件导电连接至第二引线框架区块120。

然而，还可能例如借助于接合线在光电子半导体芯片600和第一引线框架区块110之间产生导电连接。在这种情况下，光电子半导体芯片600的两个电接触件可以被布置在其上侧601上。

同样地，可能：以使得在光电子半导体芯片600的电接触件与载体500的引线框架区块110、120之间存在导电连接这样的方式，在光电子半导体芯片600的下侧602上提供光电子半导体芯片600的两个电接触件，并且以载体500的第一引线框架区块110和第二引线框架区块120上的跨接件的方式布置光电子半导体芯片600。

优选地在将模制主体400分成单独的模制主体区块410之前已经实现了光电子半导体芯片600在由模制主体400的模制主体区块410形成的载体500的上侧501上的布置。在这种情况下，一个光电子半导体芯片600被相应地布置在模制主体400的每个模制主体区块410上，并被导电连接至相应模制主体区块410的第一引线框架区块110和第二引线框架区块120。只有那时模制主体400才被分成单独的模制主体区块410。以这种方式，同时形成大量光电子元件10。然而，作为替换方案，还可能不将光电子半导体芯片600布置在由模制主体区块410形成的载体500的上侧510上，直到在模制主体400的划分之后为止。

被暴露在光电子元件10的载体500的下侧502上的第一引线框架区块110和第二引线框架区块120的区块可以形成光电子元件10的电接触焊盘并且被用于电接触光电子元件10。光电子元件10可以例如被提供为用于表面安装（例如，用于借助于回流焊接进行表面安装）的smt元件。

已经在优选示例性实施例的帮助下详细图示并描述了本发明。然而，本发明不限于所公开的示例。而是，本领域的技术人员可以在不脱离本发明的保护范围的情况下从其导出其他变体。

参考符号列表

10光电子元件

100引线框架

101上侧

102下侧

110第一引线框架区块

120第二引线框架区块

200第一膜

210第一侧

202第二侧

300第二膜

301第一侧

302第二侧

310未被覆盖区块

400模制主体

401上侧

402下侧

410模制主体区块

500载体

501上侧

502下侧

600光电子半导体芯片

601上侧

602下侧

610接合线。