技术特征：
技术总结
本发明涉及一种深紫外LED，其设计波长设为λ，其特征在于，从基板的相反侧按顺序具有Al反射电极层、极薄膜金属层以及透明p型AlGaN接触层，在所述透明p型AlGaN接触层的厚度方向的范围内具有光子晶体周期结构，并且，所述光子晶体周期结构具有光子带隙。
技术研发人员：鹿岛行雄;松浦惠里子;小久保光典;田代贵晴;大川贵史;平山秀树;前田哲利;定昌史;上村隆一郎;长田大和;岛谷聪
受保护的技术使用者：丸文株式会社;东芝机械株式会社;国立研究开发法人理化学研究所;株式会社爱发科;东京应化工业株式会社
技术研发日：2015.07.29
技术公布日：2017.09.26