发光二极管的制作方法

文档序号:11289740阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
提供了一种发光二极管,其包括:柱状层压结构,在所述柱状层压结构中,层压有第一化合物半导体层21、由化合物半导体形成的发光层23、和第二化合物半导体层的第一部分22A;以及第一电极31,所述第一电极31电连接至所述第一化合物半导体层21;以及第二电极32。在所述第二化合物半导体层的所述第一部分22A上形成所述第二化合物半导体层的第二部分22B,所述第二化合物半导体层的所述第二部分22B与所述第二化合物半导体层的所述第一部分22A的边缘部分22a3隔开,至少在所述第二化合物半导体层的所述第二部分22B的顶表面上形成第二电极32,以及至少从所述第二化合物半导体层的所述第二部分22B的所述顶表面22b1和侧表面22b2输出光。

技术研发人员:青柳秀和;荒木田孝博;河崎孝彦;伊藤胜利;中岛真
受保护的技术使用者:索尼公司
技术研发日:2015.10.22
技术公布日:2017.09.26
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