技术领域本发明涉及半导体器件芯片制造技术领域，具体涉及一种硅片裂片崩边阻断方法。能够有效阻断划片过程产生的崩边，避免裂片过程中的崩边剔废，提高芯片质量与合格率。
背景技术：
目前，在半导体芯片制造过程中，存在裂片的工步，结合图1，需要将晶圆按划片线切割成单个芯粒，现芯片切割普遍采用磨轮划片机进行裂片，在芯片裂片过程中，由于所处环境较差，所以由于诸多原因(划片刀损耗、芯片飞带、芯片材质工艺等)，会导致划片过程中产生不可避免的崩边。
技术实现要素：
本发明为解决现有半导体芯片在制造过程中，容易出现崩边的问题，提供一种半导体划片崩边阻断方法。半导体划片崩边阻断方法由以下步骤实现：步骤一、采用光刻技术在硅片槽两侧的硅片上刻出图形；步骤二、在步骤一刻出的图形上进行蒸发铝层，并将所述铝层覆盖至划片槽两侧；所述划片槽两侧的铝层距离划片槽的宽度为22μm；步骤三、采用划片刀沿划片槽进行切割，获得切割图形；所述的铝层厚度为3.5μm至5.5μm；划片刀的刀刃宽度18μm-21μm；划片槽两侧加铝条覆盖后，切割刀痕处与芯片有效区间会存在一个台阶，来阻断崩边向管芯方向的延伸。本发明的有益效果：本发明所述的方法在加铝层后，崩边在遇到增加的铝层后将停止向芯片有效区内延伸。阻止了崩边直接延伸至芯粒内部与芯粒接触，造成的崩边废品。附图说明图1为本发明所述的硅片裂片崩边阻断方法的原理示意图；图2中图2a和图2b分别为采用现有方法和本发明方法进行切割的效果图；图3为本实施方式一中的数据统计示意图；图4为本明所述的硅片裂片崩边阻断方法的实验对比图，其中，图4a为未采用铝进行保护的崩边片，图4b为采用铝片进行保护的崩边片，图4c为去除铝层保护的硅片效果图。具体实施方式具体实施方式一、结合图1至图4说明本实施方式，硅片裂片崩边阻断方法，该方法由以下步骤实现：步骤一、采用光刻技术在硅片槽两侧的硅片上刻出图形；步骤二、在步骤一刻出的图形上进行蒸发铝层，并将所述铝层覆盖至划片槽两侧；所述划片槽两侧的铝层距离划片槽的宽度为22μm；步骤三、采用划片刀沿划片槽进行切割，获得切割图形；所述的铝层厚度为3.5μm至5.5μm；铝层的覆盖宽度根据图形上铝的宽度而定。本实施划片槽两侧加铝层覆盖后，切割刀痕处与硅片有效区间会存在一个台阶，来阻断崩边向管芯方向的延伸。本实施方式所述的方法，在芯片制作过程中，延长四次光刻板铝板长度来覆盖部分划片槽，覆盖后的划片槽宽度为单侧11μm(切割刀刃宽度18μm-21μm)，光刻后蒸发铝来达到阻断崩边的目的。如图3为B132DG品种芯片历史崩边剔废统计，此型号芯片2014年10月后进行的划片线改版，更改后此品种崩边剔废率由0.6％下降至0.08％，芯片质量与合格率提升改善效果十分明显。从以上数据可以看出，本实施方式可以有效的降低崩边剔废率。结合图4说明本实施方式，图4a为更改前未加铝条崩边片，需进行剔废。图4b为增加铝条的崩边片，图4c为将铝条去除后的崩边片。由图4c可以看出铝条可有效阻止崩边延伸至芯片有效区域。