金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构及制造方法与流程

文档序号:13768095阅读:来源:国知局
技术特征:

1.一种金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构,其特征在于:它包括表面声滤波芯片晶圆(1),所述表面声滤波芯片晶圆(1)表面包括电极区域(1.1)和感应区域(1.2),所述表面声滤波芯片晶圆(1)除电极区域(1.1)和感应区域(1.2)外的区域设置有第一绝缘层(2),所述第一绝缘层(2)上设置有贴合晶圆(4),所述贴合晶圆(4)与感应区域(1.2)之间形成空腔(5),所述贴合晶圆(4)在电极区域(1.1)位置处设置有开孔(6),所述贴合晶圆(4)表面设置有第二绝缘层(7),所述开孔(6)内填充有导电胶或电镀金属(8),所述导电胶或电镀金属(8)的表面设置有第二金属层(9)。

2.根据权利要求1所述的一种金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构,其特征在于:所述第二金属层(9)上设置有金属球(10)。

3.根据权利要求1所述的一种金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构,其特征在于:所述贴合晶圆(4)通过粘合胶(3)设置于第一绝缘层(2)上。

4.一种金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法,其特征在于所述方法包括以下工艺步骤:

步骤一、取一片表面声滤波芯片晶圆;

步骤二、制备第一绝缘层

用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层一定厚度的绝缘胶,用光刻,显影的方法将电极区域和芯片感应区域位置的绝缘胶去除;

步骤三、贴合晶圆贴合

取一片贴合晶圆,在贴合晶圆上涂上一层粘合胶,与步骤二制备好第一绝缘层的表面声滤波芯片晶圆贴合在一起,从而在芯片感应区域上方形成空腔;

步骤四、蚀刻

在贴合晶圆面涂光刻胶,并进行曝光,显影,蚀刻,把表面声滤波芯片晶圆的电极区域位置暴露出来,形成开孔;

步骤五、制备第二绝缘层

用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层绝缘胶,用光刻,显影的方法将电极区域位置的绝缘胶去除;

步骤六、埋孔

用导电胶或电镀金属埋入开孔内;

步骤七,制备第二金属层

在导电胶或电镀金属的表面制备第二金属层;

步骤八、切割

切割分成单颗产品。

5.根据权利要求4所述的一种金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法,其特征在于:所述步骤三与步骤四之间对贴合晶圆进行研磨、减薄。

6.根据权利要求4所述的一种金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法,其特征在于:所述步骤七与步骤八之间在第二金属层表面进行植球。

7.根据权利要求4所述的一种金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法,其特征在于:所述第一绝缘层采用B-stage胶,此时不需要在贴合晶圆上涂粘合胶,直接进行贴合。

8.根据权利要求4所述的一种金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法,其特征在于:所述贴合晶圆采用硅晶圆或金属材料晶圆。

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