技术特征：
技术总结
本发明提供的绝缘环、预清洗腔室及半导体加工设备，其应用在预清洗腔室中，在该预清洗腔室内设置有基座，该基座包括用于承载晶片下表面的中心区域的第一承载面。绝缘环设置在基座上，且环绕在第一承载面的边缘处。绝缘环包括环形本体，该环形本体具有第二承载面和环形凸台，其中，第二承载面与晶片下表面的边缘区域相对设置。环形凸台环绕在第二承载面边缘处，且环形凸台的上表面高于晶片的上表面。本发明提供的绝缘环，其可以降低晶片边缘区域的刻蚀速率，从而可以减小晶片边缘区域的刻蚀速率与晶片中心区域的刻蚀速率之间的差异，进而可以提高刻蚀均匀性。
技术研发人员：徐奎;常大磊;陈鹏
受保护的技术使用者：北京北方华创微电子装备有限公司
技术研发日：2016.04.13
技术公布日：2017.10.24