1.一种各向异性导电材料，包括：
基体材料层；以及
所述基体材料层中的多个颗粒，
所述颗粒中的至少一些具有包括导电芯部分和绝缘壳部分的胶囊式结构，
所述导电芯部分包括在高于15℃且低于或等于110℃的温度处于液态的导电材料。
2.根据权利要求1所述的各向异性导电材料，其中所述导电材料包括液态金属。
3.根据权利要求2所述的各向异性导电材料，其中所述液态金属包括镓(Ga)、镓铟(Ga-In)合金、镓铟锡(Ga-In-Sn)合金和镓铟锡锌(Ga-In-Sn-Zn)合金中的至少一种。
4.根据权利要求2所述的各向异性导电材料，其中所述导电材料还包括所述液态金属中包含的纳米填料。
5.根据权利要求4所述的各向异性导电材料，其中所述纳米填料包括碳纳米管、碳纳米纤维、碳黑、富勒烯、石墨烯薄片、石墨烯颗粒、金属纳米线和金属纳米颗粒中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的各向异性导电材料，其中所述导电材料包括包含纳米填料的悬浮液。
7.根据权利要求6所述的各向异性导电材料，其中所述纳米填料包括碳纳米管、碳纳米纤维、碳黑、富勒烯、石墨烯薄片、石墨烯颗粒、金属纳米线和金属纳米颗粒中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的各向异性导电材料，其中所述导电材料包括具有110℃或更低的熔点的焊料。
9.根据权利要求8所述的各向异性导电材料，其中所述焊料包括铋铟(Bi-In)基合金、铋锡(Bi-Sn)基合金、铟铋(In-Bi)基合金、铋铟锡(Bi-In-Sn)基合金、铟铋锡(In-Bi-Sn)基合金和铟锡锌(In-Sn-Zn)基合金中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的各向异性导电材料，其中所述绝缘壳部分包括聚合物或陶瓷。
11.根据权利要求10所述的各向异性导电材料，其中所述聚合物具有0.3GN/m2至35GN/m2的弹性模量。
12.根据权利要求1所述的各向异性导电材料，其中所述绝缘壳部分具有30nm至200nm的厚度。
13.根据权利要求1所述的各向异性导电材料，其中所述颗粒具有1μm至100μm的直径。
14.根据权利要求1所述的各向异性导电材料，还包括：
所述基体材料层中的至少一个自愈合囊。
15.根据权利要求14所述的各向异性导电材料，其中所述自愈合囊包括底部填充材料。
16.一种电子装置，包括：
第一构件；
第二构件；以及
使用根据权利要求1所述的各向异性导电材料电连接所述第一构件和所述第二构件的结构。
17.一种电子装置，包括：
第一构件，其包括至少一个第一电极部分；
第二构件，其包括至少一个第二电极部分，所述第二构件面对所述第一构件；以及
所述第一构件和所述第二构件之间的各向异性导电材料，
所述各向异性导电材料电连接所述第一电极部分至所述第二电极部分，
所述各向异性导电材料包括基体材料层和所述基体材料层中的多个颗粒，
所述颗粒包括导电芯部分和绝缘壳部分，
所述导电芯部分包括在高于15℃且低于或等于110℃的温度处于液态的导电材料，
在所述第一电极部分和所述第二电极部分之间，所述颗粒中的至少一个的所述绝缘壳部分被打破，使得所述第一电极部分和所述第二电极部分通过流出到打破的所述绝缘壳部分之外的所述导电芯部分电连接。
18.根据权利要求17所述的电子装置，其中所述导电材料包括液态金属。
19.根据权利要求18所述的电子装置，其中所述导电材料还包括所述液态金属中包含的纳米填料。
20.根据权利要求17所述的电子装置，其中所述导电材料包括包含纳米填料的悬浮液。
21.根据权利要求19或20所述的电子装置，其中所述纳米填料包括碳纳米管、碳纳米纤维、碳黑、富勒烯、石墨烯薄片、石墨烯颗粒、金属纳米线和金属纳米颗粒中的至少一种。
22.根据权利要求17所述的电子装置，其中所述导电材料包括具有110℃或更低的熔点的焊料。
23.根据权利要求17所述的电子装置，还包括：
金属间化合物，其中
所述金属间化合物在流出的所述导电芯部分与所述第一电极部分和所述第二电极部分中的至少一个之间。
24.根据权利要求17所述的电子装置，其中
所述绝缘壳部分包括聚合物或陶瓷，以及
所述聚合物具有0.3GN/m2至35GN/m2的弹性模量。
25.根据权利要求17所述的电子装置，其中所述绝缘壳部分具有30nm至200nm的厚度。
26.根据权利要求17所述的电子装置，其中所述颗粒具有1μm至100μm的直径。
27.根据权利要求17所述的电子装置，其中所述各向异性导电材料还包括至少一个自愈合囊。
28.根据权利要求17所述的电子装置，其中
所述第一构件包括基板，以及
所述第二构件包括半导体芯片。
29.根据权利要求17所述的电子装置，其中
所述第一构件包括基板或面板，以及
所述第二构件包括驱动器集成电路或驱动器集成电路封装。
30.根据权利要求17所述的电子装置，其中所述电子装置包括显示装置。
31.一种电子装置，包括：
第一构件，其包括至少一个第一电极部分；
第二构件，其包括至少一个第二电极部分，所述第二构件面对所述第一构件；以及
所述第一构件和所述第二构件之间的各向异性导电材料，所述各向异性导电材料电连接所述第一电极部分至所述第二电极部分，
所述各向异性导电材料包括：
在所述第一电极部分和所述第二电极部分之间的金属材料；以及
在所述金属材料与所述第一电极部分和所述第二电极部分中的至少一个之间的金属间化合物。
32.根据权利要求31所述的电子装置，其中
所述各向异性导电材料包括基体材料层中的多个颗粒，
所述颗粒包括导电芯部分和绝缘壳部分，以及
所述导电芯部分包括在高于15℃且低于或等于110℃的温度处于液态的导电材料。
33.根据权利要求32所述的电子装置，其中
在所述第一电极部分和所述第二电极部分之间，所述颗粒中的至少一个的所述绝缘壳部分被打破，使得所述第一电极部分和所述第二电极部分通过流出到打破的所述绝缘壳部分之外的所述导电芯部分电连接，
流出的所述导电芯部分包括所述金属材料，以及
所述金属间化合物在流出的所述导电芯部分与所述第一电极部分和所述第二电极部分中的至少一个之间。