技术总结
根据一些实施例，本发明提供了一种制造集成电路的方法。该方法包括：提供在第一介电材料层中具有第一导电部件的衬底；选择性地蚀刻第一导电部件，从而在第一导电部件上形成凹进的沟槽；在第一介电材料层上、第一导电部件上和凹进的沟槽的侧壁上形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层上形成第二介电材料层；在第二介电材料层中形成开口；并且在第二介电材料层的开口中形成第二导电部件。第二导电部件与第一导电部件电连接。本发明实施例涉及用于互连的结构和方法。
技术研发人员：吕志伟;李忠儒;包天一
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201610596983
技术研发日：2016.07.27
技术公布日：2017.03.01