1.一种摄像装置，包括：
半导体基板，其具有第一侧和第二侧；
光电转换部，其设置在所述半导体基板中；
像素分隔凹槽，其设置在所述半导体基板中并且邻近于所述光电转换部；
多个绝缘膜，其设置为邻近于所述半导体基板的所述第一侧；以及氧化硅膜，
其中，所述多个绝缘膜中的每个绝缘膜包括选自由氧化铪、氧化锆、氧化铝、氧化钛和氧化钽组成的组中的至少一种成分，
所述氧化硅膜接触所述多个绝缘膜中的第一绝缘膜的表面以及所述多个绝缘膜中的第二绝缘膜的表面，
所述多个绝缘膜中的所述第一绝缘膜设置在所述像素分隔凹槽的内部，
所述多个绝缘膜中的所述第二绝缘膜的至少一部分的厚度大于或等于10nm并且小于或等于80nm，并且
所述多个绝缘膜中的所述第一绝缘膜和所述多个绝缘膜中的所述第二绝缘膜由相同材料制成。
2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述多个绝缘膜中的所述第一绝缘膜和所述多个绝缘膜中的所述第二绝缘膜的层数不同。
3.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述多个绝缘膜中的所述第一绝缘膜和所述多个绝缘膜中的所述第二绝缘膜以从所述半导体基板的所述第一侧的层叠顺序形成。
4.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述多个绝缘膜中的所述第二绝缘膜从所述半导体基板的光接收表面侧到所述像素分隔凹槽的壁表面的一部分是连续的。
5.根据权利要求1所述的摄像装置，进一步包括：
设置在所述像素分隔凹槽中的至少一个其他膜，其中所述至少一个其他膜是保护膜。
6.根据权利要求5所述的摄像装置，其中，所述多个绝缘膜中的所述第一绝缘膜包括设置在所述半导体基板和所述至少一个其他膜之间的部分。
7.根据权利要求6所述的摄像装置，其中，所述多个绝缘膜中的所述第一绝缘膜包括设置在所述半导体基板和所述多个绝缘膜中的所述第二绝缘膜之间的部分。
8.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述多个绝缘膜中的所述第一绝缘膜的厚度大于或等于2nm并且小于或等于100nm。
9.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述多个绝缘膜中的所述第一绝缘膜包括设置在所述半导体基板和所述多个绝缘膜中的所述第二绝缘膜之间的部分。
10.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述多个绝缘膜中的所述第一绝缘膜和所述多个绝缘膜中的所述第二绝缘膜包括硅。
11.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述像素分隔凹槽的宽度大于或等于100nm并且小于或等于1000nm。
12.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述像素分隔凹槽的深度大于或等于0.25μm并且小于或等于5μm。
13.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述多个绝缘膜中的所述第一绝缘膜和所述多个绝缘膜中的所述第二绝缘膜是部分层叠的。
14.根据权利要求13所述的摄像装置，其中，所述多个绝缘膜中的所述第一绝缘膜包括多个层。
15.根据权利要求14所述的摄像装置，其中，所述多个绝缘膜中的所述第二绝缘膜的至少一部分设置在所述像素分隔凹槽内。
16.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述多个绝缘膜中的所述第二绝缘膜的至少一部分设置在所述像素分隔凹槽内。
17.根据权利要求15所述的摄像装置，其中，所述多个绝缘膜中的所述第二绝缘膜的设置在所述像素分隔凹槽内的所述至少一部分设置在所述多个绝缘膜中的所述第一绝缘膜的两个层之间。
18.一种电子设备，包括：
摄像装置，所述摄像装置包括：
半导体基板，其具有第一侧和第二侧；
光电转换部，其设置在所述半导体基板中；
像素分隔凹槽，其设置在所述半导体基板中并且邻近于所述光电转换部；
多个绝缘膜，其设置为邻近于所述半导体基板的所述第一侧；以及
氧化硅膜，
其中，所述多个绝缘膜中的每个绝缘膜包括选自由氧化铪、氧化锆、氧化铝、氧化钛和氧化钽组成的组中的至少一种成分，
所述氧化硅膜接触所述多个绝缘膜中的第一绝缘膜的表面以及所述多个绝缘膜中的第二绝缘膜的表面，
所述多个绝缘膜中的所述第一绝缘膜设置在所述像素分隔凹槽的内部，
所述多个绝缘膜中的所述第二绝缘膜的至少一部分的厚度大于或等于10nm并且小于或等于80nm，并且
所述多个绝缘膜中的所述第一绝缘膜和所述多个绝缘膜中的所述第二绝缘膜由相同材料制成；以及
光学系统，所述光学系统包括至少一个光学透镜，其中，所述光学系统被配置为将光引导至所述摄像装置的像素部。
19.一种摄像装置，包括：
半导体基板，其具有第一侧和第二侧，所述半导体基板包括：
光电转换部，以及
像素分隔凹槽，邻近于所述光电转换部；
第一膜，其设置为邻近于所述半导体基板的所述第一侧并且在所述像素分隔凹槽的内部；
第二膜，其设置在所述第一膜上并且在所述像素分隔凹槽的内部；以及
第三膜，其设置在所述第二膜上并且在所述像素分隔凹槽的内部，
其中，
所述第一膜和所述第三膜由相同材料制成，
所述第一膜和所述第三膜包括选自由氧化铪、氧化锆、氧化铝、氧化钛和氧化钽组成的组中的至少一种成分，并且
所述第一膜和所述第三膜中至少一者的厚度大于或等于10nm并且小于或等于80nm。
20.根据权利要求19所述的摄像装置，其中，所述第一膜和所述第三膜的所述材料与所述第二膜的材料不同。
21.根据权利要求19所述的摄像装置，其中，氧化硅膜接触所述第三膜的表面。
22.根据权利要求19所述的摄像装置，其中，所述氧化硅膜形成在所述光电转换部上方。
23.根据权利要求19所述的摄像装置，其中，所述第三膜从所述半导体基板的光接收表面侧到所述像素分隔凹槽的壁表面的一部分是连续的。
24.根据权利要求19所述的摄像装置，其中，所述第一膜包括设置在所述半导体基板和所述第二膜之间的部分。
25.根据权利要求24所述的摄像装置，其中，所述第一膜包括设置在所述半导体基板和所述第三膜之间的部分。
26.根据权利要求19所述的摄像装置，其中，所述第一膜包括设置在所述半导体基板和所述第三膜之间的部分。
27.根据权利要求19所述的摄像装置，其中，所述像素分隔凹槽的宽度大于或等于100nm并且小于或等于1000nm。
28.根据权利要求19所述的摄像装置，其中，所述像素分隔凹槽的深度大于或等于0.25μm并且小于或等于5μm。
29.根据权利要求19所述的摄像装置，其中，所述第一膜、所述第二膜或所述第三膜中的一个或多个包括硅。
30.一种电子设备，包括：
摄像装置，所述摄像装置包括：
半导体基板，其具有第一侧和第二侧，所述半导体基板包括：
光电转换部，以及
像素分隔凹槽，邻近于所述光电转换部；
第一膜，其设置为邻近于所述半导体基板的所述第一侧并且在所述像素分隔凹槽的内部；
第二膜，其设置在所述第一膜上并且在所述像素分隔凹槽的内部；以及
第三膜，其设置在所述第二膜上并且在所述像素分隔凹槽的内部，
其中，
所述第一膜和所述第三膜由相同材料制成，
所述第一膜和所述第三膜包括选自由氧化铪、氧化锆、氧化铝、氧化钛和氧化钽组成的组中的至少一种成分，并且
所述第一膜和所述第三膜中至少一者的厚度大于或等于10nm并且小于或等于80nm；以及
光学系统，所述光学系统包括至少一个光学透镜，其中，所述光学系统被配置为将光引导至所述摄像装置的像素部分。