技术总结
一种含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4um量子阱激光器结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一N 型GaSb衬底；一N型GaSb缓冲层，该缓冲层生长在衬底上；一N型AlGaAsSb覆盖层，该覆盖层生长在N型GaSb缓冲层上；一AlGaAsSb下波导层，该下波导层生长在N型AlGaAsSb覆盖层上；一AlGaAsSb下势垒层，该下势垒层生长在AlGaAsSb下波导层上；一InPSb空穴阻挡层，该空穴阻挡层生长在AlGaAsSb下势垒层上；一InGaAsSb量子阱层，该量子阱层生长在InPSb空穴阻挡层上；一AlGaAsSb上势垒层，该上势垒层生长在InGaAsSb量子阱层上；一AlGaAsSb上波导层，该上波导层生长在AlGaAsSb上势垒层上；一P型AlGaAsSb覆盖层，该覆盖层生长在AlGaAsSb上波导层上；一P型GaSb欧姆接触层，该接触层生长在P型AlGaAsSb覆盖层上。
技术研发人员：于春满;朱海军;张兴
受保护的技术使用者：成都斯科泰科技有限公司
文档号码：201610660268
技术研发日：2016.08.12
技术公布日：2017.01.04