1.一种发光装置，包括：
光波导层，其通过在具有下电极的衬底上顺次层叠下包层、有源层和上包层来形成，其中所述光波导层具有用作光出射面的第一端面和第二端面；以及
上电极，用于将载流子注入至有源层，
其特征在于，从所述第一端面发射出的光表现出与从所述第二端面发射出的光的光束特性不同的光束特性，以及
所述发光装置还包括：
第一光接收部，用于接收从所述第一端面发射出的光的光功率并且生成第一光学信息；
第二光接收部，用于接收从所述第二端面发射出的光的光功率并且生成第二光学信息；以及
控制部，用于根据所述第一光学信息和所述第二光学信息来控制向所述上电极的电流注入量。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述光波导层具有发光谱调制区域。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光装置包括两个以上的上电极。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一光接收部和所述第二光接收部中的至少一个将从所述第一端面或所述第二端面发射出的光会聚至光纤，利用配置在从所述光纤所分支出的末端的光电检测器来接收所会聚的光的光功率，并且根据所述光电检测器所接收到的光来生成光学信息。
5.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一光接收部和所述第二光接收部中的至少一个利用半透半反镜来对从所述第一端面或所述第二端面发射出的光进行分支，利用光电检测器来接收所分支出的光的光功率，并且根据所述光电检测器所接收到的光来生成光学信息。
6.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一光接收部和所述第二光接收部中的至少一个包括所述第一端面或所述第二端面附近整体形成的光电检测器，以接收被所述第一端面或所述第二端面反射的光。
7.根据权利要求4～6中任一项所述的发光装置，其中，所述发光装置设置有用于选择进入所述光电检测器的光的光学波长的波长滤波器。
8.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述有源层具有多量子阱结构，并且用于形成所述多量子阱结构的阱层或势垒层具有在组成或厚度方面不完全相同的非对称量子阱结构。
9.一种根据权利要求1所述的发光装置的控制方法，其特征在于，所述控制部执行以下步骤：
调整步骤，用于调整向所述上电极的电流注入值以将所述第一光学信息中的特定值限制在第一预定范围内；
判断步骤，用于判断所述第二光学信息中的特定值是否被限制在第二预定范围内；以及
输出步骤，用于在判断为所述第二光学信息中的特定值没有被限制在所述第二预定范围内的情况下输出信号。
10.一种根据权利要求3所述的发光装置的控制方法，其特征在于，所述控制部执行以下步骤：
第一判断步骤，用于判断所述第一光学信息中的特定值是否在第一预定范围内；
第一调整步骤，用于在所述第一光学信息中的特定值不在所述第一预定范围内的情况下，调整向所述两个以上的上电极中的一个上电极的注入电流值，以将所述第一光学信息中的特定值限制在所述第一预定范围内；
第二判断步骤，用于判断所述第二光学信息中的特定值是否在第二预定范围内；以及
第二调整步骤，用于在所述第二光学信息中的特定值不在所述第二预定范围内的情况下，调整向所述两个以上的上电极中的另一个上电极的注入电流值，以将所述第二光学信息中的特定值限制在所述第二预定范围内，
其中，所述第一调整步骤和所述第二调整步骤不同时执行。
11.一种光学相干断层成像设备，其特征在于，包括：
根据权利要求1～8中任一项所述的发光装置；
样品测量部，用于将从所述发光装置发射出的光照射在样品上并且传输被所述样品反射的光；
参考部，用于将从所述发光装置发射出的光照射在参考镜上并且传输被所述参考镜反射的光；
干涉部，用于使所述样品测量部所传输的被所述样品反射的光和所述参考部所传输的被所述参考镜反射的光相互干涉；
光检测部，用于检测所述干涉部所生成的干涉光；以及
图像处理部，用于根据所述光检测部所检测到的干涉光的光学信息来获得所述样品的断层图像。