1.一种提高开态电流的隧穿场效应晶体管，包括源区、中间本征区、漏区、极化隧穿区、外延本征区、栅氧层、栅和侧墙，所述极化隧穿区形成于源区内、且与外延本征区接触，其远离中间本征区的一侧与栅远离中间本征区的一侧位于同一直线上，用于增强源区载流子向极化隧穿区的隧穿。
2.一种提高开态电流的隧穿场效应晶体管，包括源区、中间本征区、漏区、极化隧穿区、栅氧层、栅和侧墙，所述极化隧穿区形成于源区内、且与中间本征区接触，其上表面与源区上表面重合，用于增强源区载流子向极化隧穿区的隧穿。
3.根据权利要求1或2所述的提高开态电流的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述极化隧穿区采用具有极化效应的材料形成。
4.根据权利要求1或2所述的提高开态电流的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述极化隧穿区采用InN、InxGa1-xN中的一种或两种形成，0＜x＜1。
5.根据权利要求1所述的提高开态电流的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述极化隧穿区的厚度为10nm以内。
6.根据权利要求2所述的提高开态电流的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述极化隧穿区的长度为10nm以内。
7.根据权利要求1或2所述的提高开态电流的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述源区材料为Ⅲ-Ⅴ族化合物、Ⅱ-Ⅵ族化合物、硅或锗，源区材料的电子亲和势低于极化隧穿区材料的电子亲和势。
8.根据权利要求1所述的提高开态电流的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述外延本征区材料为Ⅲ-Ⅴ族化合物、Ⅱ-Ⅵ族化合物、硅或锗，外延本征区材料的电子亲和势低于极化隧穿区材料的电子亲和势。
9.根据权利要求2所述的提高开态电流的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述中间本征区材料为Ⅲ-Ⅴ族化合物、Ⅱ-Ⅵ族化合物、硅或锗，中间本征区材料的电子亲和势低于极化隧穿区材料的电子亲和势。
10.根据权利要求1或2所述的提高开态电流的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述中间本征区与漏区之间可设置介质层，用于隔离。