技术总结
一种提高开态电流的隧穿场效应晶体管，属于超大规模集成电路中的逻辑器件与电路领域。本发明隧穿场效应晶体管在源区顶部通过InN或InxGa1‑xN材料形成极化隧穿层，利用InN或InxGa1‑xN的极化效应形成极化电场，增强了源区向极化隧穿区的载流子隧穿能力，提高了开态下的隧穿电流；由于关态下外延本征区的导带不变，载流子无法越过势垒漂移扩散至该区域，有效降低了器件的关态电流；外延本征区以及极化隧穿区的厚度都可以做到5nm及以上，有利于工艺的实现。本发明隧穿场效应晶体管在保证低的关态电流的前提下，有效提升了器件的开态电流，且降低了工艺难度。
技术研发人员：王向展;马阳昊;曹建强;谢林森;夏琪;归转转
受保护的技术使用者：电子科技大学
文档号码：201610671901
技术研发日：2016.08.16
技术公布日：2016.12.07