显示装置的制作方法

本发明涉及显示装置。

背景技术：

已知存在有包括发光区域的像素和光透射性的区域相邻地配置，用来自像素的发光显示图像，并且使来自外部的光透射的显示器即所谓透明显示器。

在日本特开2011-142290号公报和日本特开2014-107268号公报中，公开了一种透射区域设置在包括发光区域的两个像素区域之间的有机发光显示装置。

在俯视透明显示器时，例如在发光区域仅从一个方向的两侧夹着透射区域的情况下，容易产生视角特性恶化的现象、颜色赋予至反射的外光这样的现象。

技术实现要素：

本发明鉴于上述问题而作出，其目的在于提供一种抑制了视角特性恶化的现象、颜色赋予至反射了外光而成的光这样的现象的发生的技术。

简单地说明在本申请中公开的发明中的代表性技术方案的概要如下。本发明的显示装置具有：基板，其具有在第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向上排列的多个透射区域；多条第一布线，其配置在所述基板上，并沿所述第一方向延伸；多条第二布线，其配置在所述基板上，并沿所述第二方向延伸；以及多个发光部，其配置在所述基板上。所述多条第一布线和所述多条第二布线包围所述多个透射区域中的每一个，所述多个发光部包括第一发光部和第二发光部，所述第一发光部的至少一部分与所述透射区域相邻，并配置在与所述第一布线重叠的区域，所述第二发光部的至少一部分与所述透射区域相邻，并配置在与所述第二布线重叠的区域。

本发明的另一显示装置具有：多条第一布线，其沿第一方向延伸；多条第二布线，其沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸；透射区域，其由所述多条第一布线和所述多条第二布线包围；以及第一发光部、第二发光部、第三发光部以及第四发光部，其相互分离地配置，且与所述多条第一布线和所述多条第二布线中的某一条重叠，所述透射区域由所述第一发光部、第二发光部、第三发光部以及第四发光部包围。

根据本发明，能够抑制视角特性恶化的现象、颜色赋予至反射的外光这样的现象的发生。

附图说明

图1是表示第一实施方式的有机EL显示装置的等效电路的一例的电路图。

图2是表示第一实施方式的有机EL显示装置中的发光部和透射区域的配置的一例的图。

图3是表示图2所示的有机EL显示装置的阵列基板的一例的俯视图。

图4是图3所示的阵列基板的IV-IV切断线处的剖视图。

图5是表示像素电路的等效电路的电路图。

图6是表示阵列基板的另一例的剖视图。

图7是表示阵列基板的另一例的剖视图。

图8是表示阵列基板的另一例的俯视图。

图9是图8所示的阵列基板上的像素电路的IX-IX切断线处的剖视图。

图10是表示阵列基板的另一例的剖视图。

图11是表示阵列基板的另一例的剖视图。

图12是表示发光部和透射区域的配置的另一例的图。

图13是表示发光部和透射区域的配置的另一例的图。

图14是表示第二实施方式的有机EL显示装置中的发光部和透射区域的配置的一例的图。

图15是表示图14所示的有机EL显示装置的阵列基板的一例的俯视图。

图16是图15所示的阵列基板的XVI-XVI切断线处的剖视图。

图17是表示发光部和透射区域的配置的另一例的图。

图18是表示发光部和透射区域的配置的另一例的图。

图19是表示第三实施方式的有机EL显示装置中的发光部和透射区域的配置的一例的图。

图20是表示图19所示的有机EL显示装置的阵列基板的一例的俯视图。

图21是表示发光部和透射区域的配置的另一例的图。

附图标记的说明

GL、GL1、GL2栅极线，PC、PC1、PC2像素电路，PL电源线，PW电源供给电路，DL、DL1、DL2数据线，XDV、YDV驱动电路，IB、IG、IR、IW发光部，TP透射区域，XW、YW布线区域，BK堤，CE公共电极，CS电容器，CH接触孔，IN1第一绝缘层，IN2第二绝缘层，IN3第三绝缘层，LE发光元件，LM、LM2微型透镜，OL发光层，PE像素电极，PX像素，SB阵列基板，SF封固膜，TFT1、TFT2薄膜晶体管。

具体实施方式

在以下说明中，基于附图说明本发明的实施方式。对出现的构成要素中的具有同一功能的部件标注相同的标号，并省略其说明。在以下说明中，作为本发明的实施方式，说明将本发明应用于作为一种显示装置的有机EL显示装置的情况的例子。

[第一实施方式]

本发明第一实施方式的有机EL显示装置包括：阵列基板SB(参照图4)、与阵列基板SB连接的柔性电路板、以及驱动集成电路。在阵列基板SB上配置有发出RGB等中的每一种颜色的多个发光元件LE(参照图5)，通过控制每一个发光元件LE的亮度来实现全色显示。在本实施方式中，发光元件LE为OLED(Organic Light Emitting Diode：有机发光二极管)，但也可以是其他种类的发光元件。此外，也可以利用白色OLED和滤色片(Color Filter)来实现全色显示。

图1是表示第一实施方式的有机EL显示装置的等效电路的一例的电路图。图1所示的电路物理地形成在阵列基板SB(参照图4)上或驱动集成电路内。在阵列基板SB上，配置有多个像素电路PC、多条栅极线GL、多条数据线DL以及多条电源线PL。多个像素电路PC呈矩阵状配置在阵列基板SB的显示区域内。像素电路PC分别相当于一个单位像素。另外，图像所包括的一个全色的像素PX(参照图2)由发出多种颜色的多个单位像素表现。每一个像素电路PC的行设置有一条栅极线GL，每一条栅极线GL与构成对应的行的像素电路PC连接。另外，每一个像素电路PC的列设置有一条数据线DL，每一条数据线DL与构成对应的列的像素电路PC连接。另外，多条栅极线GL的一端与驱动电路YDV连接，多条数据线DL的一端与驱动电路XDV连接。驱动电路YDV向栅极线GL输出扫描信号，驱动电路XDV向数据线DL供给与单位像素的显示灰阶对应的影像信号的电位。影像信号被输入到由扫描信号选择的像素电路PC。将在后面说明像素电路PC的详细情况。

图2是表示第一实施方式的有机EL显示装置中的发光部IB、IG、IR、IW和透射区域TP的配置的一例的图。在阵列基板SB上，设置有沿图2的纵向延伸并沿横向排列的多个布线区域XW、沿图2的横向延伸并沿纵向排列的多个布线区域YW。在每一个布线区域XW中配置有沿图2的横向排列的1条或多条数据线DL和电源线PL。在每一个布线区域YW中配置有沿图2的纵向排列的1条或1条或多条栅极线GL。另外，在位于阵列基板SB上并由布线区域XW和布线区域YW划分而成的区域内，设置有透射外光的透射区域TP，所述外光入射至阵列基板SB的显示区域。另外，表现全色的每一个像素PX以布线区域XW与布线区域YW交叉的交叉部为中心，具有位于交叉部的上下左右的四个发光部IR、IG、IB、IW。发光部IB、IW设置成俯视时与布线区域XW重叠，发光部IR、IG设置成俯视时与布线区域YW重叠。从上下方向和左右方向上相互相邻的四个透射区域TP看来，布线区域XW与布线区域YW交叉的交叉部位于中央。

发光部IB、IG、IR、IW是分别发光成蓝色、绿色、红色、白色的发光元件LE(参照图5)的发光区域。发光部IB、IG、IR、IW中的每一个相当于单位像素，通过经由数据线DL从驱动电路XDV供给的影像信号的电位，控制发光部IB、IG、IR、IW中的每一个的亮度。在透射区域TP的左右方向的两侧，分别至少发光部IR、IG相邻。在透射区域的上下方向的两侧，至少分别发光部IB、IW相邻。在图2的例子中，蓝的发光部IB和白的发光部IW在上下方向上夹着透射区域TP，红的发光部IR和绿的发光部IG在左右方向上夹着透射区域TP。

进一步说明发光部IB、IG、IR、IW与透射区域TP的关系。图3是表示图2所示的有机EL显示装置的阵列基板SB的一例的俯视图，图4是图3所示的阵列基板SB的IV-IV切断线处的剖视图。在阵列基板SB的显示区域内，配置有沿图3的横向排列并沿纵向延伸的多条数据线DL1、DL2和多条电源线PL，且配置有沿图3的纵向排列并沿横向延伸的多条栅极线GL。在这里，在图2中的每一个布线区域XW中，配置有由数据线DL1中的一条、数据线DL2中的一条以及电源线PL中的一条构成的一个纵布线组。在纵布线组中，数据线DL1、数据线DL2以及电源线PL以从右到左的顺序相邻的方式排列。另外，在图2中的每一个布线区域YW中，配置有由栅极线GL1中的一条和栅极线GL2中的一条构成的一个横布线组。在横布线组中，栅极线GL1中的一条和栅极线GL2中的一条以从下到上的顺序相邻的方式排列。透射区域TP由纵布线组和横布线组包围。透射区域TP的形状是使四方形的角变圆而成的形状。

在上下方向上，与一个透射区域TP的两侧(上下)相邻地配置有两个像素电路PC1。另外，在左右方向上，与一个透射区域TP的两侧(左右)相邻地配置有两个像素电路PC2。在这里，与某个透射区域TP的下方相邻的像素电路PC1也与其下方的透射区域TP相邻，与透射区域TP的右方相邻的像素电路PC2也与其右方的透射区域TP相邻。因此，在一个透射区域TP的周围设置有两个像素电路PC1、两个像素电路PC2。

包括发光部IB、IW的像素电路PC1的行和包括发光部IR、IG的像素电路PC2的行分别与某一条栅极线GL1和某一条栅极线GL2对应。另外，像素电路PC1的列与像素电路PC2的列分别与某一条数据线DL1和某一条数据线DL2对应。像素电路PC1与对应的栅极线GL1和对应的数据线DL1连接，像素电路PC2与对应的栅极线GL2和对应的数据线DL2连接。

像素电路PC1和像素电路PC2分别具有薄膜晶体管TFT1、TFT2、电容器CS以及发光元件LE(参照图5)。发光元件LE包括像素电极PE、发光层OL以及公共电极CE(参照图4)。此外，公共电极CE与其他像素电路PC1、PC2所包括的公共电极CE一体化。俯视时，像素电路PC1与栅极线GL1、GL2重叠，像素电路PC2与数据线DL1、DL2重叠。并且，俯视像素电路PC1、PC2中的每一个时，薄膜晶体管TFT2、电容器CS与发光元件LE所包括的像素电极PE、位于该像素电极PE上的发光部IR、IG、IB、IW中的某一个重叠。另外，发光部IR、IG、IB、IW中的、在透射区域TP的上下方向上相邻的发光部配置成与横布线组所包括的栅极线GL1、GL2重叠，在透射区域TP的左右方向上相邻的发光部配置成与纵布线组所包括的数据线DL1、DL2重叠。

如图4所示，在第一实施方式的阵列基板SB之上，按顺序层叠有半导体层(在图4中未图示)、第一绝缘层IN1、第一导电层(在图4中未图示)、第二绝缘层IN2、第二导电层、第三绝缘层IN3、第三导电层、形成有堤BK的有机绝缘层、发光层OL、公共电极CE的层以及封固膜SF。在半导体层上形成有电容器CS的一个电极、薄膜晶体管TFT1、TFT2的沟道，在第一导电层上形成有电容器CS的另一个电极、栅极线GL1、GL2以及薄膜晶体管TFT1、TFT2的栅极。在第二导电层上，形成有电源线PL、数据线DL1、DL2以及像素电路PC1、PC2内的布线。在第三导电层上形成有像素电极PE。阵列基板SB例如由玻璃等透明材料构成，半导体层例如由多晶硅、氧化物半导体这样的半导体材料构成。第一至第三导电层是图案化而成的金属薄膜，公共电极CE例如是ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)、IZO(Indium Zinc Oxide：氧化铟锌)这样的透明导电膜。第一至第三绝缘层IN1、IN2、IN3由无机绝缘材料构成，堤BK、封固膜SF由有机绝缘材料构成。此外，也可以在半导体层与阵列基板SB之间设置用于防止半导体膜的污染的底层膜。

俯视时，堤BK覆盖像素电极PE中的周缘部，且也覆盖第三绝缘层IN3上的区域中的、位于像素电极PE的外缘至外侧的一定宽度的区域。像素电极PE和发光层OL在像素电极PE上不形成堤BK的区域(堤开口)接触，在该堤开口中，在公共电极CE与像素电极PE之间流过电流。因此，该堤开口成为发光部IB、IG、IR、IW。另一方面，如图3、4所示，在透射区域TP中，不形成用金属形成的导电膜即布线、薄膜晶体管等各种电路，也不设置发光层OL。由此，透射区域TP使从阵列基板SB的上下射来的光透射。此外，也可以不在透射区域中设置公共电极CE。

图5是表示像素电路PC1、PC2的等效电路的电路图。发光元件LE具有阳极和阴极，所述阴极与供给基准电位的电源供给电路PW(参照图1)电连接。发光元件LE的阳极相当于像素电极PE(参照图4)，阴极相当于公共电极CE中的发光部IR、IG、IB、IW上的区域。另外，薄膜晶体管TFT2具有与发光元件LE的阳极电连接的源极、与电源线PL电连接的漏极以及栅极。电容器CS具有与电源线PL电连接的第一电极、与薄膜晶体管TFT2的栅极电连接的第二电极。薄膜晶体管TFT1具有漏极、与薄膜晶体管TFT2的栅极电连接的源极以及栅极。像素电路PC1所包括的薄膜晶体管TFT1的栅极与栅极线GL1电连接，漏极与数据线DL1电连接。另一方面，像素电路PC2所包括的薄膜晶体管TFT1的栅极与栅极线GL2电连接，漏极与数据线DL2电连接。此外，像素电路PC也可以与图5所示的电路不同。另外，源极和漏极根据电压的高低确定，在薄膜晶体管TFT1、TFT2为p型的情况下或采用其他驱动方式的情况下，源极和漏极可以相反。另外，构成TFT的半导体可以是LTPS(低温多晶硅)或TAOS(氧化物半导体)，或使用了LTPS的TFT和使用了TAOS的TFT并存的构成。

在图3的像素电路PC1、PC2中，薄膜晶体管TFT1与栅极线GL1、GL2、数据线DL1、DL2的连接；薄膜晶体管TFT2与电源线PL的连接；另外像素电路PC1、PC2内的连接也同样如此。

在以下说明中，进一步说明图3所示的像素电路PC1。薄膜晶体管TFT1的沟道位于半导体层中，与栅极线GL1的下侧相邻，且从与数据线DL1重叠的部分起向图3的右侧延伸。另外，沟道与栅极线GL1中的向下侧突出的部分交叉。沟道的左端与数据线DL1连接，右端与第二导电层的第一布线连接。接着，第一布线向右延伸，在中途向下侧弯曲。第一布线在向右延伸的区间中的中间部与第二布线连接，所述第二布线与薄膜晶体管TFT2的栅极一体化。电容器CS的第二电极位于半导体层，并与第一布线的下端连接。第二电极从该连接的部分朝向右侧延伸到电源线PL的近前。另外，电容器CS的第一电极位于第一导电层，与第二电极对置并从第一布线的下端的右方延伸到与电源线PL重叠的部分。在图3中看来，薄膜晶体管TFT2设置在电容器CS的上边且第一布线的右侧，位于半导体层的沟道从与电源线PL重叠的部分向左侧延伸。沟道在中间部与薄膜晶体管TFT2的栅极对置。沟道的右端与电源线PL连接，左端与位于第二导电层的第三布线连接。第三布线稍微向左延伸，并经由接触孔CH与像素电极PE连接。

接着，进一步说明图3所示的像素电路PC2。薄膜晶体管TFT1的沟道位于半导体层，在图3看来，与栅极线GL2的上侧相邻，且从与数据线DL2重叠的部分起向右侧延伸。另外，沟道与数据线DL1交叉，并且与栅极线GL2的向上侧突出的部分交叉。沟道的左端与数据线DL2连接，右端与第二导电层的第一布线连接。接着，第一布线向上延伸，在中途向右侧弯曲。第一布线在向上延伸的区域的中间部与第二布线连接，所述第二布线与薄膜晶体管TFT2的栅极一体化。电容器CS的第二电极位于半导体层，并与第一布线的右端连接。第二电极从该连接的部分朝向上侧延伸到像素电路PC1所包括的薄膜晶体管TFT1的近前。另外，电容器CS的第一电极位于第一导电层，与第二电极对置并从第一布线的下端的上边延伸到像素电路PC1所包括的薄膜晶体管TFT1的近前，进一步向左弯曲，并延伸到与电源线PL重叠。薄膜晶体管TFT2设置在电容器CS的左方且第一布线的上侧，位于半导体层的沟道从与电源线PL重叠的部分向右侧延伸，进一步向下延伸到电容器CS的近前。沟道在向下延伸的部分的中间部与薄膜晶体管TFT2的栅极对置。沟道的左端与电源线PL连接，下端与位于第二导电层的第三布线连接。第三布线从与沟道连接的位置稍微向下延伸，并经由接触孔CH与像素电极PE连接。

从一个方向(例如纵向)看，透射区域TP设置在包括发光区域的两个像素区域之间，在与之交叉的方向(例如横向)上，在透射区域TP之间不设置发光区域且只设置布线的构造中，会产生如下问题。在该构造中，实质上，透射区域TP向交叉的方向(例如横向)延伸并配置。即，透射区域TP构成向交叉的方向(例如横向)延伸的缝隙。于是，该缝隙作为衍射光栅发挥功能，会发生视角特性恶化的现象、颜色赋予至反射的外光这样的现象，产生使画质大幅劣化的担心。另一方面，在本实施方式的有机EL显示装置中，通过发光部的配置，透射区域TP的上下左右由发光部包围。于是，透射区域TP不构成缝隙。因此，能够抑制视角特性恶化的现象、颜色赋予至反射的外光这样的现象的发生。

在这里，发光部IR、IG、IB、IW的配置也可以与图2的例子不同。也可以是，在纵向(第一方向)上看，透射区域TP由多个发光部中的某一个的至少一部分夹着，另外，在横向(与第一方向交叉的第二方向)上看，透射区域TP由多个发光部中的某一个的至少一部分夹着。并且，也可以是，以与布线区域XW、YW中的宽度较宽的一方重叠的方式配置绿的发光部IG和白的发光部IW，以与宽度较窄的一方重叠的方式配置红的发光部IR和蓝的发光部IB。在图2中，布线区域XW的宽度形成为比布线区域YW的宽度宽。在这里，设为：布线区域XW的宽度为纵布线组的宽度(在图3看来，从电源线PL的左端到数据线DL1的右端的宽度)，布线区域YW的宽度为横布线组的宽度(在图3看来，从栅极线GL1的下端到栅极线GL2的上端的宽度)。这样，即使增大作为对人的眼睛影响大的颜色(辨识性高的颜色)、相对于高亮度发光是支配性颜色的发光部IG、IW，并减小作为对人的眼睛影响小的颜色(辨识性低的颜色)的发光部IR、IB，也能够尽可能增大透射区域TP，并容易地在维持被人的眼睛认知的画质的同时确保透射区域TP。并且，也可以是，以与布线区域XW、YW中的宽度较宽的一方重叠的方式配置蓝的发光部IB。通过将辨识性低的蓝色的发光部IB配置在宽度较宽的布线区域，能够增大辨识性低的颜色的发光部的面积，能实现辨识性低的颜色的亮度提高。也可以是，以与布线区域XW、YW中的宽度较窄的一方重叠的方式配置发光部IG、IW。这是由于，即使配置在宽度较窄的布线区域且发光部的面积变小，由于是辨识性高的颜色，基本上不会造成画质劣化、高亮度发光的阻碍。

此外，透射区域TP的剖面构造也可以与图4的例子不同。图6是表示阵列基板SB的另一例的剖视图。相对于图4的例子，图6的不同点在于：第一绝缘层IN1、第二绝缘层IN2以及第三绝缘层IN3避开透射区域TP。在图6的例子中，通过除去透射区域TP内的第一绝缘层IN1、第二绝缘层IN2以及第三绝缘层IN3，从而形成凹部。俯视时，在与透射区域TP重叠的凹部中填充有作为平坦化膜发挥功能的封固膜SF。由此，能够使透射区域中的光的透射率进一步提高。

另外，也可以是，发光部IR、IG、IB、IW也设置在凹部的侧面。即，也可以是，在凹部的侧面配置有像素电极PE、发光层OL以及公共电极CE。图7是表示阵列基板SB的另一例的剖视图。在图7的例子中，像素电极PE设置在从第三绝缘层IN3的上表面起，经过第一至第三绝缘层IN1、IN2、IN3的侧面并向该凹部的底面上延伸的区域中，以覆盖像素电极PE的端部的方式设置有也位于该凹部的底面的堤BK。另外，发光层OL也以覆盖像素电极PE且与除去端部的像素电极PE接触的方式设置，像素电极PE中的不被堤BK覆盖的部分成为发光部IR、IG、IB、IW。由此，能够增大发光部IR、IG、IB、IW，显示亮度提高。

图8是表示阵列基板SB的另一例的俯视图，图9是图8所示的阵列基板SB上的像素电路PC1、PC2的IX-IX切断线处的剖视图。相对于图6所示的例子，图8和图9所示的例子的不同点主要在于：在透射区域TP的上方设置有微型透镜LM。在图8和图9的例子中，以俯视时透射区域TP的中央部与微型透镜LM的中央部重叠的方式设置，微型透镜LM设置成不与发光部IR、IG、IB、IW重叠。图9的箭头表示从上方入射的外光进入的路径。从图9可知，利用微型透镜LM，能够使入射到比透射区域TP宽的区域的光透射，与没有微型透镜LM的情况相比使透射率提高。在这里，微型透镜LM可以由SiN形成，也可以与封固膜SF一体地形成。

图10是表示阵列基板SB的另一例的剖视图。相对于图9所示的例子，图10所示的例子的不同点在于：封固膜SF具有凹陷，在该凹陷中埋入微型透镜LM；另外，在透射区域TP内且阵列基板SB与封固膜SF之间设置有另一个微型透镜LM2。即使是图10所示的形状，也能够使入射到比透射区域TP宽的区域的光透射，与没有微型透镜LM、LM2的情况相比使透射率提高。

并且，也可以将微型透镜LM与图7的例子组合。图11是表示阵列基板SB的另一例的剖视图。在图11的例子中，与图7的例子的不同点主要在于：封固膜SF具有凹陷，在该凹陷中埋入有微型透镜LM。在图11的例子中，在透射区域TP的整个面上设置有堤BK。由此，与图4的例子相比，能够在使透射区域TP的透射率提高的同时，也使发光部IR、IG、IB、IW的亮度提高。

图12是表示发光部IR、IG、IB和透射区域TP的配置的另一例的图。图12表示不存在白的发光部IW，利用光的三原色表现全色的像素PX的有机EL显示装置的例子。在图12的例子中，与透射区域TP中的每一个的左右相邻地配置一个绿的发光部IG，在该透射区域TP中的每一个的上下，一个蓝的发光部IB和一个红的发光部IR相邻。在这里，一个蓝的发光部IB和一个红的发光部IR的组合称为横发光组。在图12的左右方向看来，透射区域TP中的每一个由两个绿的发光部IG夹着，在图12的上下方向看来，透射区域TP中的每一个由两个横发光组夹着。将布线区域XW与布线区域YW交叉的位置设为交叉部。在上下相邻的交叉部之间，绿的发光部IG以与布线区域XW重叠的方式设置。在左右相邻的交叉部之间，从左到右的顺序设置有蓝的发光部IB和红的发光部IR，俯视时发光部IB、IR与布线区域XW重叠。

像素PX按每个交叉部设置。在图12中看来，像素PX包括：与交叉部的上方相邻的一个绿的发光部IG、与交叉部的左方相邻的一个红的发光部IR以及与交叉部的右方相邻的一个蓝的发光部IB。虽然省略对像素电路PC的说明，但与图2的例子同样的点在于：发光部IR、IG、IB与薄膜晶体管TFT2、电容器CS重叠，发光部IR、IG、IB与数据线DL1、2或栅极线GL1、2重叠。在这里，绿、蓝、红各发光部的位置不限于本实施方式，能够根据需要适时替换。例如，既可以将辨识性高的颜色的发光部IW配置在宽度宽的布线区域，也可以将辨识性低的颜色的发光部IB或发光部IR配置在宽度宽的布线区域。

图13是表示发光部IB、IG、IR、IW和透射区域TP的配置的另一例的图。在本图的例子中，与图2的例子不同，在上下或左右相邻的两个交叉部之间，配置有发光部IR、IG、IB、IW中的两个。发光部IR、IG、IB、IW中的一个与该两个交叉部中的一方相邻，发光部IR、IG、IB、IW中的另一个与另一方相邻。另外，像素PX按每个交叉部设置，像素PX包括：与交叉部的上方相邻的发光部IB、与交叉部的下方相邻的发光部IR、与交叉部的左方相邻的发光部IW以及与交叉部的右方相邻的发光部IG。虽然省略对像素电路PC的说明，但与图2的例子同样的点在于：发光部IR、IG、IW与薄膜晶体管TFT2、电容器CS重叠，发光部IR、IG、IB、IW与数据线DL1、DL2或栅极线GL1、GL2重叠。

[第二实施方式]

在以下说明中，以与第一实施方式的不同点为中心，说明本发明的第二实施方式的有机EL显示装置。

图14是表示第二实施方式的有机EL显示装置中的发光部IR、IG、IB、IW和透射区域TP的配置的一例的图。在阵列基板SB上，设置有沿图14的纵向延伸的多个布线区域XW、沿图14的横向延伸的多个布线区域YW。在每一个布线区域XW中，配置有数据线DL1(参照图15)和电源线PL。在每一个布线区域YW中配置有栅极线GL1(参照图15)。另外，每一个单位像素与布线区域XW、布线区域YW交叉的交叉部对应地设置。另外，显示全色的像素PX由2行2列的单位像素构成。在像素PX中，右上、左上、右下、左下的单位像素分别与发光部IR、发光部IG、发光部IW、发光部IB对应。

俯视时，发光部IR、IG、IB、IW中的每一个从透射区域TP的上下方向中的一方侧(上侧)向左右方向中的一方侧(左侧)连续地延伸，发光部IR、IG、IB、IW中的每一个的形状为L字形。另外，发光部IR、IG、IB、IW中的每一个配置成与透射区域TP的上侧和左侧相邻。俯视时，发光部IR、IG、IB、IW中的每一个分别与布线区域XW和布线区域YW重叠。

图15是表示图14所示的有机EL显示装置的阵列基板SB的一例的俯视图。图16是图15所示的阵列基板SB的XVI-XVI切断线处的剖视图。图15、16分别与第一实施方式中的图3、4对应。在阵列基板SB的显示区域内，配置有沿图15的横向排列并沿纵向延伸的多条数据线DL1和多条电源线PL，且进一步配置有沿图15的纵向排列并沿横向延伸的多条栅极线GL1。在这里，在图15中的每一个布线区域XW中，配置有由数据线DL1中的一条和电源线PL中的一条构成的一个纵布线组。在纵布线组中，数据线DL1和电源线PL以从右到左的顺序相邻的方式排列。另外，在图15中的每一个布线区域YW中，配置有一个横布线组，所述横布线组包括栅极线GL1中的一条和沿横向延伸的一条布线。

另外，在上下方向上，与一个透射区域TP的两侧(上下)相邻地配置有两个像素电路PC1。在本实施方式中，每一个透射区域TP设置有一个像素电路PC1。像素电路PC1的详细情况与图4所示的相同。俯视时，像素电路PC1所包括的薄膜晶体管TFT2、电容器CS与发光部IR、IG、IB、IW、构成这些发光部的像素电极PE重叠。

另外，相对于图6所示的构造，图16的不同点主要在于不存在数据线DL2。该不同是由不存在像素电路PC2这一点引起的。

发光部IR、IG、IB、IW的形状不限于图14所示的形状。图17是表示发光部IR、IG、IB、IW和透射区域TP的配置的另一例的图。在图17的例子中，发光部IR、IG、IB、IW中的每一个从交叉部沿上下方向延伸，另外，从交叉部向左右方向中的一方延伸。发光部IR、IG、IB、IW的形状是T字状。当改变看法时，关于位于与发光部IR、IG、IB、IW中的每一个重叠的交叉部的左上、右上、左下、右下，并在上下方向和左右方向上相互相邻的四个透射区域TP，其发光部从上下方向上相邻的一对透射区域TP(右上、右下的透射区域TP)之间，向在左右方向上相邻的两对透射区域TP之间连续地延伸。另外，以左右方向成为T字的上下方向的方式配置发光部IR、IG、IB、IW，并且T字的上下方向相同(向右)而不受发光部IR、IG、IB、IW的位置影响。

图18是表示发光部IR、IG、IB、IW和透射区域TP的配置的另一例的图。图18的例子与图17的例子的相同点在于：发光部IR、IG、IB、IW的形状为T字状，发光部IR、IG、IB、IW中的每一个具有从交叉部向上下方向延伸的部分。另一方面，在图18的例子中，位于某行的发光部IR、IG、IB、IW中的每一个从交叉部向左右方向中的一方(例如右方)延伸，但位于其下一行的发光部IR、IG、IB、IW中的每一个从交叉部向左右方向中的另一方(例如左方)延伸。换句话说，以左右方向成为T字的上下方向的方式配置发光部IR、IG、IB、IW，并且以T字的上下方向交替相反的方式(向右的行、向左的行交替呈现)排列。

[第三实施方式]

在以下说明中，以与第二实施方式的不同点为中心，说明本发明的第三实施方式的有机EL显示装置。

图19是表示第三实施方式的有机EL显示装置中的发光部IR、IG、IB、IW和透射区域TP的配置的一例的图。与第二实施方式相同的点在于：每一个单位像素设置成相当于布线区域XW与布线区域YW交叉的交叉部，显示全色的像素PX由2行2列的单位像素构成。另一方面，图19的例子与图14、17、18的例子主要不同点在于发光部IR、IG、IB、IW的形状为十字。在图19的例子中，发光部IR、IG、IB、IW中的每一个存在于该发光部的左上、右上、左下、右下，从在上下方向和左右方向上相互相邻的四个透射区域TP看来位于中央。另外，发光部IR、IG、IB、IW中的每一个从交叉部向上下左右延伸。当改变看法时，发光部IR、IG、IB、IW中的每一个具有：分别在上下方向上相邻的两对透射区域TP之间延伸的第一部分、分别在左右方向上相邻的两对透射区域TP之间延伸的第二部分，第一部分与第二部分在它们的中央连续地连接。在这里，也可以是，省略发光部IW并用发光部IR、IG、IB这三种颜色构成像素，并将其他颜色的发光区域扩展至除去发光部IW的区域。

图20是表示图19所示的有机EL显示装置的阵列基板SB的一例的俯视图。在图20的例子中，与图15的例子主要的不同点在于：与发光部IR、IG、IB、IW的形状相匹配地，像素电极PE的形状成为十字形。在图19的例子中，发光部IR、IG、IB、IW中的每一个与数据线DL1和栅极线GL1重叠，从位于重叠的数据线DL1的左方的数据线DL1向控制该发光部IR、IG、IB、IW的亮度的像素电路PC1供给影像信号。这是由于：连接位于透射区域TP的上方的像素电路PC1和像素电极PE的接触孔CH位于比连接到该像素电路PC1的数据线DL1更接近相邻的数据线DL1的位置。接触孔CH也可以配置成从数据线DL1向与该数据线DL1重叠的像素电路PC1供给影像信号。

图21是表示发光部IR、IG、IB、IW和透射区域TP的配置的另一例的图。图21的例子与图19的例子的不同点在于：发光部IR、IG、IB、IW是去除了角的四方形的形状。该四方形的对角线从交叉部向上下方向和左右方向延伸，并与布线区域XW和布线区域YW重叠。为了避开发光部IR、IG、IB、IW，透射区域TP的形状成为对角线在上下方向和左右方向上延伸的四方形。当改变看法时，发光部IR、IG、IB、IW中的每一个具有：分别在上下方向上相邻的两对透射区域TP之间沿左右方向延伸的第一部分、分别在左右方向上相邻的两对透射区域TP之间沿上下方向延伸的第二部分以及连接第一部分和第二部分的第三部分。第三部分从第一部分向上下方向的两侧延伸，从第二部分向左右方向的两侧延伸。这样，与图19的例子相比，发光部IR、IG、IB、IW的面积变大，能够提高发光亮度。

在上述说明的第一实施方式至第三实施方式的各构造中，也可以是，在包括呈矩阵状配置的透射区域TP的多个像素PX的周围，配置与像素PX不同的、无助于发光的像素即所谓的虚拟像素。该虚拟像素可以是与像素PX相同的构造，也可以设为与像素PX不同的构造。例如，在与包围虚拟像素的布线组重叠的位置可以不配置发光部，透射区域的形状、大小可以与像素PX不同。

在此已经说明了本发明的一些实施方式，可以理解是，可对这些实施方式进行各种更改，并且所附的权利要求覆盖在本发明的精神和范围内的所有这些修改。