1.一种自由集电极纵向PNP管，其特征在于，包括P型衬底，P型衬底中心设有N-阱，N-阱外侧的P型衬底上设有外P+埋层，N-阱中心设有内P+埋层，P型衬底上方覆盖有N-外延层，N-外延层由外向内嵌有外P+隔离区、N+隔离区与内P+隔离区，外P+隔离区、N+隔离区与内P+隔离区间隔设置，外P+隔离区的底部与外P+埋层的顶部相接，N+隔离区的底部与N-阱的顶部相接；内P+隔离区的底部与内P+埋层的顶部相接；N-外延层中心还设有N-基区，N-基区上设有N+基区，N-基区中心设有P+发射区；P+发射区顶部、N+基区顶部与内P+隔离区顶部分别引出发射极、基极与集电极。
2.一种制备权利要求1所述自由集电极纵向PNP管的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1)取P型衬底，在P型衬底上采用N-阱氧化、光刻、腐蚀与磷注入工艺制备N-阱；
S2)采用光刻工艺，在N-阱外侧的P型衬底上以及N-阱中心分别制作外P+埋层图形与内P+埋层图形；
S3)通过外P+埋层图形与内P+埋层图形打开的窗口注入硼杂质，得到外P+埋层与内P+埋层；
S4)在P型衬底上生长单晶硅外延层，即N-外延层，N-外延层将P型衬底、N-阱、外P+埋层与内P+埋层全覆盖；
S5)在N-外延层上生长氧化层；
S6)采用光刻工艺，在N-外延层上制作N+隔离图形；
S7)通过N+隔离图形打开的窗口注入磷杂质，经过退火后，得到N+隔离区，N+隔离区的底部与N-阱的顶部相接；
S8)采用光刻工艺，在N-外延层上制作外P+隔离图形与内P+隔离图形；
S9)通过外P+隔离图形与内P+隔离图形打开的窗口注入硼杂质，得到外P+隔离区与内P+隔离区；外P+隔离区、N+隔离区与内P+隔离区交替间隔设置，外P+隔离区的底部与外P+埋层的顶部相接，内P+隔离区的底部与内P+埋层的顶部相接；
S10)采用光刻工艺，在N-外延层的中心位置制作N-基区图形；
S11) 通过N-基区图形打开的窗口注入硼杂质，得到N-基区；
S12) 通过光刻工艺，在N-基区上制作N+基区图形；
S13) 通过N+基区图形打开的窗口注入磷杂质,得到N+基区；
S14) 通过光刻工艺，在N-基区中心位置制作P+发射区图形；
S15) 通过P+发射区图形打开的窗口注入硼杂质，得到P+发射区；
S16) 制作引线得到权利要求1所述的自由集电极纵向PNP管。