技术总结
本发明公开一种自由集电极纵向PNP管，包括P型衬底，P型衬底中心设有N‑阱，N‑阱外侧的P型衬底上设有外P+埋层，N‑阱中心设有内P+埋层，P型衬底上方覆盖有N‑外延层，N‑外延层由外向内嵌有外P+隔离区、N+隔离区与内P+隔离区，外P+隔离区、N+隔离区与内P+隔离区间隔设置，外P+隔离区的底部与外P+埋层的顶部相接，N+隔离区的底部与N‑阱的顶部相接；内P+隔离区的底部与内P+埋层的顶部相接；N‑外延层中心还设有N‑基区，N‑基区上设有N+基区，N‑基区中心设有P+发射区；发射极与N‑阱通过深磷短接，接器件工作电压，使N‑阱与P型衬底、内P+埋层形成的PN结构处于反偏状态，实现器件纵向集电自由，克服了传统纵向PNP管集电极必须固定在最低电位的缺点。
技术研发人员：姜楠;简崇玺;赵建强;陈计学;赵娟
受保护的技术使用者：华东光电集成器件研究所
文档号码：201610715458
技术研发日：2016.08.25
技术公布日：2017.02.22