1.具有倒台结构脊波导的半导体激光器芯片，其特征在于，包括InP衬底(18)以及从上到下依次设置在InP衬底(18)上的InGaAsP刻蚀停止层(13)、第二InP包覆层(14)、InGaAsP衍射光栅层(15)、第三InP包覆层(16)和有源区(17)，所述InGaAsP刻蚀停止层(13)上设置有脊波导(20)，脊波导(20)的剖面形状为倒梯形。
2.根据权利要求1所述的具有倒台结构脊波导的半导体激光器芯片，其特征在于，所述脊波导(20)的剖面形状左右对称。
3.根据权利要求1所述的具有倒台结构脊波导的半导体激光器芯片，其特征在于，所述脊波导(20)包括从上到下依次堆叠的掩膜层(10)、InGaAs接触层(11)和第一InP包覆层(12)。
4.根据权利要求3所述的具有倒台结构脊波导的半导体激光器芯片，其特征在于，所述掩膜层(10)和InGaAs接触层(11)的外侧面为原子级别光滑面。
5.根据权利要求3所述的具有倒台结构脊波导的半导体激光器芯片，其特征在于，所述掩膜层(10)为SiO2层或Si3N4层，掩膜层(10)的厚度为200nm。
6.根据权利要求1所述的具有倒台结构脊波导的半导体激光器芯片，其特征在于，所述脊波导(20)的顶面宽度为底面宽度的2倍。
7.根据权利要求1所述的具有倒台结构脊波导的半导体激光器芯片，其特征在于，所述InGaAsP刻蚀停止层(13)上均匀分布有若干脊波导(20)。
8.具有倒台结构脊波导的半导体激光器芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一，在脊型半导体激光器外延片的InGaAs接触层(11)上沉积200nm厚的SiO2层或Si3N4层作为掩模层(10)，并在掩模层(10)上旋涂光刻胶，通过具有脊图形的光掩模曝光产生图案，再使用反应离子刻蚀(RIE)把光刻胶的图案转移到下面的掩模层(10)上；
步骤二：采用湿法刻蚀InGaAs接触层(11)，刻蚀使用Br(溴素)和HBr(氢溴酸)的混和溶液，Br与HBr的体积比为1:(5～30)，刻蚀时间为5～20秒，将没有掩模层(10)覆盖的InGaAs接触层(11)腐蚀成沟道；
步骤三：采用湿法刻蚀第一InP包覆层(12)，刻蚀使用HBr(氢溴酸)和H3PO4(磷酸)的混合溶液，HBr与H3PO4的体积比为1:(1～3)，刻蚀时间为3～5分钟，将没有掩膜层10覆盖的第一InP包覆层(12)腐蚀，在InGaAsP刻蚀停止层(13)上停止刻蚀，即得本发明。
9.根据权利要求8所述的具有倒台结构脊波导的半导体激光器芯片，其特征在于，所述步骤一中，掩膜层(10)的镀膜方法为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。