技术总结
本发明公开了一种具有倒台结构脊波导的半导体激光器芯片及其制造方法，包括InP衬底以及从上到下依次设置在InP衬底上的InGaAsP刻蚀停止层、第二InP包覆层、InGaAsP衍射光栅层、第三InP包覆层和有源区，所述InGaAsP刻蚀停止层上设置有脊波导，脊波导的剖面形状为倒梯形，通过设置倒台结构的脊波导，在同样的发光宽度下，金属接触层面积远大于传统接触层面积，减少了能量损，采用湿法刻蚀，因不同组分半导体层有对应的选择性刻蚀溶液，刻蚀深度精准重现性高，提高器件的可靠度，采用该结构，可以降低半导体芯片在高频下的阻抗，因而可以广泛用于25G以及100G激光器芯片的设计和制造。
技术研发人员：李马惠;穆瑶
受保护的技术使用者：陜西源杰半导体技术有限公司
文档号码：201610717724
技术研发日：2016.08.24
技术公布日：2016.11.23