1.一种半导体单元，包含：
基板；
缓冲结构，位于该基板上方；
通道层，具有第一带隙，且位于该缓冲结构上方，包含第一部分及第一凸起部，其中该第一凸起部位于该第一部分之上，且具有第一顶面和第一倾斜侧面连接该第一顶面；
阻障层，具有第二带隙大于该第一带隙，且位于该通道层上方，包含第二部分及第二凸起部，其中该第二部分位于该第一部分之上，该第二凸起部覆盖该第一凸起部的第一顶面，且具有第二顶面和第二倾斜侧面连接该第二顶面，该第二倾斜侧面平行于该第一倾斜侧面；
第一电极，位于该第二凸起部上方；以及
第二电极，位于该阻障层的该第二部分上方，且与该第一电极相互分隔。
2.如权利要求1所述的半导体单元，还包含二维电子气形成于靠近该第一顶面的该通道层中以及/或者形成于靠近该第一部分与该第二部分的一接面处。
3.如权利要求1所述的半导体单元，其中该通道层的材料包含GaN，该阻障层的材料包含AlxGa1-xN，其中0.2<x<0.3。
4.如权利要求3所述的半导体单元，其中该第一倾斜侧面与该第二倾斜侧面的最短距离小于或等于该第一顶面与该第二顶面的最短距离。
5.如权利要求1所述的半导体单元，其中该第一倾斜侧面为一晶面，该第一倾斜侧面的一晶面方向包含{1101}或{1122}，或该第一倾斜侧面与该第一部分的一表面的内侧夹角为61.9°或58.9°。
6.如权利要求5所述的半导体单元，其中该第一凸起部还包括第三倾斜侧面，该第二凸起部还包括第四倾斜侧面，该第三倾斜侧面平行于该第四倾斜侧面，该第三倾斜侧面与该第四倾斜侧面的距离小于或等于该第一顶面与该第二顶面的距离。
7.如权利要求6所述的半导体单元，其中该第三倾斜侧面为一晶面，该第三倾斜侧面的一晶面方向与该第一倾斜侧面的该晶面方向相同。
8.如权利要求1所述的半导体单元，还包括第三电极，其中该第一电极为栅极，该第二电极为源极，该第三电极为漏极，该第一电极位于该第二电极和该第三电极之间。
9.如权利要求8所述的半导体单元，还包括p型半导体层位于该第三电极与该第二凸起部之间，其中该p型半导体层包含一带隙，该p型半导体层的该带隙小于该阻障层的该第二带隙。
10.如权利要求1所述的半导体单元，其中该第一电极为阳极，该第二电极为阴极。