技术总结
本发明公开一种半导体单元，包含基板；位于基板上方的缓冲结构；通道层，具有第一带隙，且位缓冲结构上方，包含第一部分及第一凸起部，其中第一凸出部位于第一部分之上，且具有第一顶面和连接第一顶面的第一倾斜侧面；阻障层，具有第二带隙大于第一带隙，且位于通道层上方，包含第二部分以及第二凸起部，其中第二部分位于第一部分之上，第二凸起部覆盖第一凸起部的第一顶面，且具有第二顶面和连接第二顶面的第二倾斜侧面，第二倾斜侧面平行于第一倾斜侧面；第一电极，位于第二凸起部上方；以及第二电极，位于阻障层的第二部分上方，且与第一电极相互分隔。
技术研发人员：冯天璟;张宗正
受保护的技术使用者：晶元光电股份有限公司
文档号码：201610741316
技术研发日：2016.08.26
技术公布日：2017.03.08