1.一种钕铁硼电镀Dy薄膜工艺，其特征是：包括以下步骤：
步骤1，配比含微量元素M金属元素，且稀土总量低于接近理论极限29wt%的原料，用速凝薄片工艺制成钕铁硼速凝薄片，M包含Al、Cu、Ga；
步骤2，将该钕铁硼铸片进行半饱和氢破，保证粗粉颗粒分布在40-100um，进行脱氢，并取出粉料；
步骤3，对粗粉进行过筛，将低于40um的筛出；
步骤4，将选出的粗粉使用硝酸进行酸洗，再进行超声波震荡去灰等前处理；采用氯化镝酸性镀镝工艺，对粗粉进行镀镝处理，获得表面镀有0.05-0.1um的薄镝层，并对电镀后的粗粉进行脱水干燥处理；
步骤5，然后对已镀镝的粗粉装桶并加入0.1-0.5%的YSH6高分子聚合物润滑剂；
步骤6，对粗粉进行搅拌混合，然后使用流化床气流磨对粗粉进行磨削，将细粉粒度粒度控制在2.7-3.0um；完成磨粉后，对细粉进行装桶，并加入0.1-0.5%的YSH1低分子聚合物防氧化剂；
步骤7，对细粉进行搅拌混匀，并在磁场取向压机中采用1.2-2.0T的磁场中径向取向成型，成型完成后对压制出来的生坯进行真空包装，并采用冷等静压机进行等静压，等静压压力180-220MPa；
步骤8，拨开生坯的外包装，装入烧结盆中，采用真空烧结炉，在1000-1100℃烧结2-5h，再经过800-1000℃回火1-2小时和450-650 ℃回火2-5h；
步骤9，制得主相晶粒3.2-3.6um，晶界相连续光滑分布的烧结磁体。
2.如权利要求1所述一种钕铁硼电镀Dy薄膜工艺，其特征在于：采用电镀工艺将Dy元素镀在烧结钕铁硼主相晶粒表面。
3.如权利要求1所述一种钕铁硼电镀Dy薄膜工艺，其特征在于：获得的磁体主相晶粒主要分布在3.2-3.6um。