1.一种发光器件，包括第一基板(10)、像素隔离结构(20)、电致发光结构(30)和第二基板(40)，所述第一基板(10)与所述第二基板(40)相对设置，且所述第二基板(40)设置于所述像素隔离结构(20)的远离所述第一基板(10)的一侧，所述像素隔离结构(20)设置于所述第一基板(10)一侧的表面上，所述像素隔离结构(20)在所述第一基板(10)的表面上形成多个相互隔离的子像素区域，各所述子像素区域对应的部分所述第一基板(10)上设置有所述电致发光结构(30)，其特征在于，所述子像素区域还包括：
量子点层(50)，设置于至少一个所述子像素区域中，且各所述子像素区域中的所述量子点层(50)位于所述电致发光结构(30)的远离所述第一基板(10)的一侧或位于所述电致发光结构与所述第一基板(10)之间，
所述发光器件还包括第一垫高部(60)，
各所述子像素区域中的所述量子点层(50)位于所述电致发光结构(30)的远离所述第一基板(10)的一侧，所述第一垫高部(60)与所述量子点层(50)设置于不同的子像素区域中，且位于所述第一基板(10)与所述电致发光结构(30)之间，或
各所述子像素区域中的所述量子点层(50)位于所述电致发光结构(30)与所述第一基板(10)之间，所述第一垫高部(60)设置于具有所述量子点层(50)的子像素区域中，且位于所述量子点层(50)与所述第一基板(10)之间。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，各所述子像素区域中所述量子点层(50)的宽度大于等于所述电致发光结构(30)的有效发光区域的宽度。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电致发光结构(30)包括发光层，
所述第一垫高部(60)与所述量子点层(50)设置于不同的子像素区域中，所述量子点层(50)的表面与所述第一基板(10)的表面之间的最短距离为第一距离，与所述第一垫高部(60)位于同一个子像素区域中的所述发光层的表面与所述第一基板(10)的表面之间的最短距离为第二距离，所述第一距离小于等于所述第二距离，或
所述第一垫高部(60)设置于具有所述量子点层(50)的子像素区域中，所述量子点层(50)的表面与所述第一基板(10)的表面之间的最短距离为第一距离，与所述第一垫高部(60)位于不同子像素区域中的所述发光层的表面与所述第一基板(10)的表面之间的最短距离为第二距离，所述第一距离大于等于所述第二距离。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一垫高部(60)为透明绝缘层。
5.根据权利要求1或3所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括第二垫高部(70)，
各所述子像素区域中的所述量子点层(50)位于所述电致发光结构(30)的远离所述第一基板(10)的一侧，所述第二垫高部(70)设置于所述第二基板(40)与所述量子点层(50)之间，或
所述量子点层(50)位于所述电致发光结构(30)与所述第一基板(10)之间，所述第二垫高部(70)设置于所述电致发光结构(30)与所述量子点层(50)之间。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述电致发光结构(30)包括发光层，所述量子点层(50)的表面与所述第一基板(10)的表面之间的最短距离为第一距离，与所述第二垫高部(70)位于不同子像素区域中的所述发光层的表面与所述第一基板(10)的表面之间的最短距离为第三距离，
所述第二垫高部(70)设置于所述第二基板(40)与所述量子点层(50)之间，所述第一距离小于所述第三距离，或
所述第二垫高部(70)设置于位于同一子像素区域中的所述电致发光结构(30)与所述量子点层(50)之间，所述第一距离大于所述第三距离。
7.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述第二垫高部(70)为透明绝缘层。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电致发光结构(30)的出射光为蓝光，所述量子点层(50)中具有红色量子点和/或绿色量子点。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电致发光结构(30)为QLED或OLED。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一垫高部(60)为SiO2层或聚酰亚胺层。
11.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述第二垫高部(70)为SiO2层或聚酰亚胺层。