技术总结
本发明公开了一种含有双谱段布拉格反射器的窄禁带多结太阳电池，其为基于InP衬底生长的晶格匹配窄禁带多结太阳电池，在该太阳电池结构的双谱段分别设置有布拉格反射器，该布拉格反射器由与InP衬底晶格匹配的窄禁带材料组成。本发明提供的太阳电池，通过在电池结构中引入双谱段布拉格反射器来增加窄禁带电池对未被吸收的光子的反射，实现光子再利用，增加电池光生电流，而且，布拉格反射器位于电池底部，处于外延生长的初始阶段，有效地抑制了来自衬底的缺陷，提高外延层晶格质量；从而提升太阳电池的整体性能，克服了窄禁带材料吸收系数小的缺点，显著提高了窄禁带子电池的晶格质量和光生电流，为下一代多结高效太阳电池的研制奠定了坚实的基础。
技术研发人员：陆宏波;李欣益;张玮;杨丞;张华辉;陈杰;张梦炎;张建琴;郑奕
受保护的技术使用者：上海空间电源研究所
文档号码：201610802857
技术研发日：2016.09.05
技术公布日：2016.12.07