1.一种射频同轴微带结构，包括同轴外导体、同轴内导体和PCB板，所述PCB板上设有微带线，其特征在于，所述PCB板上还设有过渡结构，所述过渡结构包括第一连接部和第二连接部，所述第一连接部连接同轴内导体，所述第二连接部连接微带线。
2.根据权利要求1所述的射频同轴微带结构，其特征在于，所述过渡结构为方形。
3.根据权利要求1所述的射频同轴微带结构，其特征在于，所述过渡结构为T形。
4.根据权利要求1至3任一项所述的射频同轴微带结构，其特征在于，所述同轴内导体焊接在所述第一连接部。
5.根据权利要求1至3任一项所述的射频同轴微带结构，其特征在于，所述同轴外导体焊接在所述PCB板上。
6.根据权利要求1至3任一项所述的射频同轴微带结构，其特征在于，所述PCB板为双层PCB板，表层和底层铜厚均为1Oz。