1.一种半导体器件，包括：
衬底；
至少一个半导体鳍，位于所述衬底上，所述半导体鳍上具有至少一个凹槽；以及
至少一个外延结构，位于所述半导体鳍的凹槽中，其中，所述外延结构包括沿着从所述半导体鳍至所述衬底的方向布置的最顶部部分、第一部分和第二部分，其中，所述第一部分具有比所述最顶部部分的锗原子百分比和所述第二部分的锗原子百分比高的锗原子百分比。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述外延结构还包括介于所述第一部分与所述第二部分之间的中间掩埋层，其中，所述中间掩埋层具有沿着从所述衬底至所述半导体鳍的方向增加的锗原子百分比。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述外延结构还包括介于所述中间掩埋层与所述最顶部部分之间的上部掩埋层，其中，所述上部掩埋层具有沿着从所述衬底至所述半导体鳍的方向减小的锗原子百分比。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述中间掩埋层具有比所述上部掩埋层的p型杂质浓度低的p型杂质浓度。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述上部掩埋层的p型杂质浓度沿着从所述衬底至所述半导体鳍的方向增加。
6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述中间掩埋层的p型杂质浓度沿着从所述衬底至所述半导体鳍的方向增加。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述外延结构还包括最顶部层，所述最顶部部分位于所述最顶部层上，所述最顶部层具有沿着从所述衬底至所述半导体鳍的方向至少部分地减小的锗原子百分比。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述外延结构还包括介于所述最顶部层与所述第一部分之间的上部掩埋层，其中，所述最顶部层的最大锗原子百分比在介于所述上部掩埋层的最小锗原子百分比和最大锗原子百分比之间的范围内。
9.一种半导体器件，包括：
衬底；
至少一个半导体鳍，位于所述衬底上，所述半导体鳍上具有至少一个凹槽；以及
至少一个外延结构，位于所述半导体鳍的凹槽中，其中，所述外延结构包括最顶部层和位于所述最顶部层下面的第一梯度含锗层，其中，所述第一梯度含锗层具有比所述最顶部层的锗原子百分比高的并且沿着从所述衬底至所述半导体鳍的方向增加的锗原子百分比。
10.一种形成半导体器件的方法，包括：
在衬底上形成至少一个半导体鳍；
去除所述半导体鳍的至少一部分，以形成至少一个凹槽；以及
在所述半导体鳍的凹槽中形成至少一个外延结构，其中，所述外延结构包括沿着从所述半导体鳍至所述衬底的方向布置的最顶部部分、第一部分和第二部分，其中，所述第一部分的锗浓度比所述最顶部部分的锗浓度和所述第二部分的锗浓度高。