技术总结
本发明公开了一种采用外延牺牲层工艺制作GaAs‑HEMT器件T型栅的方法，首先，在衬底上生长GaAs‑HEMT外延层，然后在外延层的上表面生长一层GaInP作为牺牲层，接着再分别制作源、漏电极，并在牺牲层的中间位置刻蚀一条形栅槽，栅柱制作于该条形栅槽内，光刻形成栅电极蒸镀窗口，通过金属蒸镀、撕金剥离并腐蚀掉外延层表面的牺牲层后得到所需的T型栅。采用本发明方法可以有效减少工艺制作步骤，缩短工时，降低器件的生产成本，并且腐蚀GaInP牺牲层溶液的选择比较高，不损伤器件表面，可靠性较好，提升产品生产良率，适用于HEMT器件T型栅制作。
技术研发人员：彭娜;郑贵忠;张杨;王青;陈升阳;张小宾;杨翠柏
受保护的技术使用者：中山德华芯片技术有限公司
文档号码：201610817289
技术研发日：2016.09.12
技术公布日：2016.12.14