显示设备的制作方法

此申请要求2015年9月25日提交的韩国专利申请第10-2015-0136923号的优先权和权益，其出于所有目的通过引用被合并于此，如同在本文中完全阐述一样。

技术领域

示例性实施例涉及显示设备，更特别地，涉及包括显示区域和透射区域的显示设备。

背景技术：

显示设备可以包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、有机发光二极管(OLED)设备等。在这些显示设备中，由于OLED设备与液晶显示器不同，其具有自发光特性并且不需要单独的光源，因此OLED设备的厚度和重量可以减小。此外，有机发光二极管设备具有高等级的特性，诸如低功耗、高亮度和高响应速度。

显示设备可以包括用于显示图像的显示区域和用于透射外部光的透射区域。已经进行了许多努力来提高透射区域中光的透射率。另外，当外部湿气或污染材料渗入显示设备时，显示设备的显示质量可能会劣化。

在此背景技术部分公开的上述信息仅用于增强对本发明构思的背景的理解，因此其可能包含不构成在该国家本领域普通技术人员已经知晓的现有技术的信息。

技术实现要素：

示例性实施例提供一种包括显示区域和透射区域、具有提高的透射率以及具有降低的由于外部湿气侵入而导致的缺陷的显示设备。

另外方面将在随后的详细描述中提出，部分地根据本公开而显而易见，或者可以通过对本发明构思的实践来获知。

根据一个示例性实施例，一种显示设备包括：包括用于显示图像的第一区域以及与第一区域相邻的第二区域的基板，第二区域被配置为透射外部光；设置在第一区域中并彼此重叠的第一电极和第二电极；设置在第一区域中的第一电极与第二电极之间的发射层；设置在第一区域中的第一半导体层；以及设置在第二区域中的第二半导体层。

根据一个示例性实施例，一种显示设备包括：包括被配置为显示图像的第一区域以及与第一区域相邻的第二区域的基板，第二区域被配置为透射外部光；设置在第一区域中并彼此重叠的第一电极和第二电极；设置在第一区域中的第一电极与第二电极之间的发射层；设置在第一区域中的半导体层；以及设置在半导体层上的绝缘层，其中：绝缘层包括设置在第二区域中的孔；孔包括第一孔部分以及与第一孔部分相邻的第二孔部分，第一孔部分与基板相邻；并且第一孔部分的宽度大于第二孔部分的宽度。

根据一个示例性实施例，一种显示设备包括：包括被配置为显示图像的第一区域以及与第一区域相邻的第二区域的基板；设置在基板上的缓冲层；设置在缓冲层上的半导体层；设置在第一区域中并彼此重叠的第一电极和第二电极；以及设置在第一区域中的第一电极与第二电极之间的发射层，其中半导体层直接设置在缓冲层上。

根据示例性实施例，包括显示区域和透射区域的显示设备的透射率可以得到提高，并可以防止由于外部湿气而导致的缺陷。

前述一般性描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在提供对要求保护的主题的进一步解释。

附图说明

被包括以提供对本发明构思的进一步理解并且被并入此说明书中并构成说明书一部分的附图示出了本发明构思的示例性实施例，并与描述一起用于解释本发明构思的原理。

图1是根据一个示例性实施例的显示设备的布局图。

图2是根据一个示例性实施例的显示设备的剖视图。

图3是根据一个示例性实施例的显示设备的一个像素的等效电路图。

图4是示出了根据一个示例性实施例的显示设备的像素区域的布局图。

图5是沿线V-V截取的图4的显示设备的剖视图。

图6是沿线VI-VI截取的图4的显示设备的剖视图。

图7是根据一个示例性实施例的显示设备的布局图。

图8是示出了根据一个示例性实施例的显示设备的像素区域的布局图。

图9是沿线IX-IX截取的图8的显示设备的剖视图。

图10A、图10B和图10C是示出了实验示例的结果的图表。

具体实施方式

在下面的描述中，出于解释的目的，为了提供对各种示例性实施例的彻底理解，阐述了许多具体的细节。然而，很明显，各种示例性实施例可以在没有这些具体细节或具有一个或多个等同布置的情况下实施。在其他情况下，为了避免不必要地使各种示例性实施例隐晦费解，公知的结构和设备以框图形式示出。

在附图中，为了清楚和说明的目的，层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸可能被夸大了。另外，相同的附图标记指代相同的元件。

当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接至”或“联接至”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上，直接连接至或联接至另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接至”或“直接联接至”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。出于公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个”可以被解释为只有X、只有Y、只有Z、或X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如，例如，XYZ、XYY、YZ和ZZ。相同的附图标记指代相同的元件。如本文所用，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任意和所有组合。

虽然术语第一、第二等可在本文中用来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语仅用来区分一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一个元件、组件、区域、层和/或部分。因此，下面讨论的第一元件、组件、区域、层和/或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层和/或部分，而不脱离本公开的教导。

出于描述的目的，在本文中使用了诸如“之下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征相对于另一个(些)元件或特征的关系。除了图中描述的方位之外，空间相对术语意在还包含装置在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果图中装置被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将被定向为在其它元件或特征的“上方”。因此，示例性术语“下方”可以包括上方和下方两种方位。此外，装置可被另外定向(例如旋转90度或者在其它方向)，并且照此，本文使用的空间相对描述符可以进行相应的解释。

本文使用的术语用于描述特定的实施例，并不旨在进行限制。如本文所用，单数形式的“一”和“该(所述)”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确说明。此外，当在说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”表明存在所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

在本文中参考作为理想化示例性实施例和/或中间结构的示意性图示的剖视图示来描述各个示例性实施例。这样，作为例如制造技术和/或公差的结果，可以预期图示形状的变化。因此，在本文中公开的示例性实施例不应该被解释为限于区域的特定例示形状，而是包括例如由于制造产生的形状偏差。例如，被示出为矩形的植入区域在其边缘处将通常具有圆形或曲面的特征和/或植入浓度的梯度，而不是从植入区域到非植入区域的二进制变化。同样，通过植入形成的掩埋区域可能导致在掩埋区域和植入发生的表面之间的区域中的一些植入。因而，图中所示的区域在本质上是示意性的，它们的形状并不旨在示出设备的区域的实际形状，并且不旨在进行限制。

除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本公开所属的技术领域的普通技术人员所通常理解的相同含义。例如那些在常用字典中定义的术语应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确地如此定义。

将参考图1和图2描述根据一个示例性实施例的显示设备。图1是根据一个示例性实施例的显示设备的布局图。图2是根据一个示例性实施例的显示设备的剖视图。

参考图1，根据本示例性实施例的显示设备包括用于显示图像的显示区域PA和用于透射光的透射区域TA。

显示区域PA包括像素PX1、PX2和PX3。像素PX1、PX2和PX3可以显示彼此不同的颜色，并且像素PX1、PX2和PX3可以形成一个点。像素PX1、PX2和PX3可以包括显示第一颜色的第一像素PX1、显示第二颜色的第二像素PX2以及显示第三颜色的第三像素PX3。虽然未示出，但根据一个示例性实施例的显示设备可以进一步包括其它像素以及第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3。

透射区域TA是用于透射光的区域。阻光层BL和透射窗TW形成在透射区域TA中。透射区域TA的面积相对于显示区域PA和透射区域TA的整个面积的比率可为约20％至约70％。

根据本示例性实施例，透射区域TA的阻光层BL和透射窗TW与像素PX1、PX2和PX3相对应。然而，应该注意的是，透射区域TA的阻光层BL和透射窗TW可以独立地形成在每个像素区域上。

参考图2，透射区域TA包括设置在基板110上的缓冲层120、设置在缓冲层120上的阻光层BL以及与阻光层BL重叠的透射窗TW。外部光可穿过透射窗TW，因此，该显示设备可以被认为是透明显示设备。

基板110可以是柔性的，并且可包括有机材料、无机材料、玻璃或诸如不锈钢的金属。基板110可以是柔性的，并且可以是可伸展的、可折叠的、可弯曲的或可卷曲的。由于基板110是柔性的、可伸展的、可折叠的、可弯曲的或可卷曲的，因此该显示设备可以是柔性的、可伸展的、可折叠的、可弯曲的或可卷曲的。

透射窗TW是开口，其形成在诸如设置在显示区域PA和透射区域TA中的第二绝缘层140、层间绝缘层160、平坦化层180和像素限定层350的绝缘层中。绝缘层140、160、180和350将在下面更详细地描述。透射窗TW的最接近基板110的边缘与阻光层BL重叠。在从垂直于基板110的表面的方向看的俯视图中，阻光层BL的边缘从透射窗TW的邻近基板110的边缘突出。因此，缓冲层120的与透射窗TW重叠的一部分被阻光层BL覆盖。也就是说，缓冲层120没有被透射窗TW暴露。阻光层BL可以包括氧化物半导体。

显示区域PA包括基板110、设置在基板110上的缓冲层120以及设置在缓冲层120上的半导体层135。半导体层135包括沟道区1355、源区1356和漏区1357。显示区域PA进一步包括设置在半导体层135上的第一绝缘层130、设置在第一绝缘层130上的第一控制电极1251、设置在第一控制电极1251上的第二绝缘层140、设置在第二绝缘层140上的第二控制电极1252、设置在第二控制电极1252上的层间绝缘层160。显示区域PA进一步包括通过形成在第二绝缘层140和层间绝缘层160中的第一接触孔61和第二接触孔62分别连接至源区1356和漏区1357的源电极71和漏电极72、设置在漏电极72上的平坦化层180、通过形成在平坦化层180中的第三接触孔81连接至漏电极72的像素电极710、形成在像素电极710上的像素限定层350、设置在形成于像素限定层350中的开口处的有机发射层720以及设置在有机发射层720上的公共电极730。

将参考图3至图6描述根据如图1和图2所示的示例性实施例的显示设备。图3是根据一个示例性实施例的显示设备的一个像素的等效电路图。图4是示出了根据一个示例性实施例的显示设备的像素区域的布局图。图5是沿线V-V截取的图4的显示设备的剖视图。图6是沿线VI-VI截取的图4的显示设备的剖视图。

将参考图3描述根据本示例性实施例的显示设备的像素PX的信号线的连接关系。

参考图3，根据本示例性实施例的显示设备包括信号线121、171和172以及连接至信号线的像素PX。像素PX可以是图1的第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的任意一个。

信号线包括用于传输扫描信号的栅极线121、用于传输数据信号的数据线171以及用于传输驱动电压的驱动电压线172等。栅极线121基本上在行方向上延伸并基本上彼此平行。数据线171基本上在列方向上延伸并且基本上彼此平行。驱动电压线172被示出为基本上在列方向上延伸，不过驱动电压线172可在行方向或列方向上延伸，或者具有包括在第一方向上延伸的部分以及在第二方向上延伸的部分的网状形状。

单个子像素包括包含开关晶体管T1和驱动晶体管T2的薄膜晶体管、存储电容器Cst和有机发光元件LD。虽然在图中未示出，但一个像素PX可进一步包括第二薄膜晶体管和第二电容器，以补偿被供给到有机发光元件LD的电流。

开关晶体管T1包括控制端N1、输入端N2和输出端N3。控制端N1连接至栅极线121，输入端N2连接至数据线171，并且输出端N3连接至驱动晶体管T2。开关晶体管T1响应于经由栅极线121传输的扫描信号，将经由数据线171传输的数据信号传输到驱动晶体管T2。

驱动晶体管T2包括控制端N3、输入端N4和输出端N5。控制端N3连接至开关晶体管T1，输入端N4连接至驱动电压线172，并且输出端N5连接至有机发光元件LD。驱动晶体管T2输出输出电流Id，输出电流Id的大小根据被施加在控制端N3与输出端N5之间的电压而改变。

电容器Cst连接至驱动晶体管T2的控制端N3。电容器Cst被充入被施加到驱动晶体管T2的控制端N3的数据信号，并且即使在开关晶体管T1被截止之后仍保持该数据信号。例如，作为有机发光二极管(OLED)，有机发光元件LD具有连接至驱动晶体管T2的输出端N5的阳极以及连接至公共电压ELVSS的阴极。有机发光元件LD通过根据驱动晶体管T2的输出电流Id发射不同强度的光来显示图像。

有机发光元件LD可以包括表示原色中的一种或多种的有机材料，原色包括可以是红色、绿色和蓝色的三种颜色。以这种方式，有机发光二极管显示器可以用这些颜色的空间总和显示期望的图像。

开关晶体管T1和驱动晶体管T2是n沟道场效应晶体管(FET)，不过它们中的至少一个可以是p沟道FET。然而，应该注意的是，晶体管T1和T2、电容器Cst和有机发光元件LD之间的连接关系可以改变。

在下文中，将参考图4至图6描述根据本示例性实施例的有机发光二极管显示器的透射区域TA和显示区域PA。

首先将描述透射区域TA。

透射区域TA包括设置在基板110上的缓冲层120、设置在缓冲层120上的阻光层BL以及与阻光层BL重叠的透射窗TW。

阻光层BL包括氧化物半导体。氧化物半导体可包括基于钛(Ti)、铪(Hf)、锆(Zr)、铝(Al)、钽(Ta)、锗(Ge)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)或铟(In)的氧化物以及作为其复合氧化物的氧化铟镓锌(In-Ga-Zn-O)、氧化铟锌(In-Zn-O)、氧化锌锡(Zn-Sn-O)、氧化铟镓(In-Ga-O)、氧化铟锡(In-Sn-O)、氧化铟锆(In-Zr-O)、氧化铟锆锌(In-Zr-Zn-O)、氧化铟锆锡(In-Zr-Sn-O)、氧化铟锆镓(In-Zr-Ga-O)、氧化铟铝(In-Al-O)、氧化铟锌铝(In-Zn-Al-O)、氧化铟锡铝(In-Sn-Al-O)、氧化铟铝镓(In-Al-Ga-O)、氧化铟钽(In-Ta-O)、氧化铟钽锌(In-Ta-Zn-O)、氧化铟钽锡(In-Ta-Sn-O)、氧化铟钽镓(In-Ta-Ga-O)、氧化铟锗(In-Ge-O)、氧化铟锗锌(In-Ge-Zn-O)、氧化铟锗锡(In-Ge-Sn-O)、氧化铟锗镓(In-Ge-Ga-O)、氧化钛铟锌(Ti-In-Zn-O)和氧化铪铟锌(Hf-In-Zn-O)中的任意一种。

透射窗TW是开口，其形成在诸如设置在显示区域PA和透射区域TA中的第二绝缘层140、层间绝缘层160、平坦化层180和像素限定层350的绝缘层中。透射窗TW形成为贯穿第二绝缘层140、层间绝缘层160、平坦化层180和像素限定层350。形成有透射窗TW的绝缘层将在后面详细描述。

入射到透射窗TW上的外部光穿过透射窗TW，因此，根据该实施例的有机发光二极管显示器可以被识别为透明显示设备。

透射窗TW的边缘与阻光层BL重叠。在从垂直于基板110的表面的方向看的俯视图中，阻光层BL的第一边缘EG1从透射窗TW的邻近基板110的第二边缘EG2突出。以这种方式，与透射窗TW重叠的缓冲层120被阻光层BL覆盖。也就是说，缓冲层120没有通过透射窗TW被暴露。

由于根据本示例性实施例的透射窗TW形成在设置于透射区域TA中的绝缘层中，因此入射到透射窗TW上的外部光可以不穿过绝缘层，而是穿过透射窗TW，从而提高了透射区域TA的透光率。此外，当形成透射窗TW(其形成在设置于透射区域TA中的绝缘层中)时，缓冲层120可能被蚀刻和损坏，这可能导致诸如杂质或湿气的不必要成分的渗透，而这可能劣化显示设备的质量。

在根据本示例性实施例的显示设备中，透射窗TW形成为与阻光层BL重叠，使得透射窗TW的第二边缘EG2之间的第二宽度W2小于阻光层BL的第一边缘EG1之间的第一宽度W1。以这种方式，与透射窗TW重叠的缓冲层120与阻光层BL重叠。因此，当在设置于透射区域TA中的绝缘层中形成透射窗TW时，由于缓冲层120由阻光层BL覆盖，因此可以防止缓冲层120被损坏。这样，显示设备的透射率可以提高，同时防止对缓冲层120的损坏，这可以防止由于损坏缓冲层120而导致显示设备的质量劣化。

接下来将描述显示区域PA。

缓冲层120设置在基板110上。缓冲层120可以由包括氮化硅(SiNx)的单层或包括氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的双层结构形成。缓冲层120可以平坦化基板110的表面，并防止杂质或湿气的渗透。

彼此隔开的开关半导体层135a和驱动半导体层135b形成在缓冲层120上。半导体层135a和135b可以包括与设置在透射区域TA中的阻光层BL相同的材料。

半导体层135a和135b包括未掺杂杂质的沟道区以及位于沟道区的相应侧并掺杂有杂质的源区和漏区。杂质可以取决于晶体管的类型而改变，并且可以包括n型杂质或p型杂质。

开关半导体层135a包括第一沟道区1355a以及形成在第一沟道区1355a的相应侧上的第一源区1356a和第一漏区1357a。驱动半导体层135b包括第二沟道区1355b以及形成在第二沟道区1355b的相应侧的第二源区1356b和第二漏区1357b。开关半导体层135a的第一沟道区1355a和驱动半导体层135b的第二沟道区1355b没有掺杂杂质。开关半导体层135a和驱动半导体层135b的源区1356a、1356b和漏区1357a、1357b可以包括被掺杂有导电杂质的杂质半导体。

第一绝缘层130设置为与开关半导体层135a的第一沟道区1355a和驱动半导体层135b的第二沟道区1355b重叠。第一绝缘层130可包括氮化硅或氧化硅。

第一开关控制电极125a1以及下面的第一绝缘层130和开关半导体层135a的第一沟道区1355a是自对准的。第一驱动控制电极125b1以及下面的第一绝缘层130和驱动半导体层135b的第二沟道区1355b是自对准的。

第一开关控制电极125a1设置在与开关半导体层135a的第一沟道区1355a重叠的第一绝缘层130上。第一驱动控制电极125b1设置在与驱动半导体层135b的第二沟道区1355b重叠的第一绝缘层130上。包括与第一开关控制电极125a1和第一驱动控制电极125b1相同材料的第一电容器电极128a设置在第一绝缘层130上。第一开关控制电极125a1、第一驱动控制电极125b1以及第一电容器电极128a可以浮置或连接至信号线，以接收预定电压。

第二绝缘层140形成在开关半导体层135a、驱动半导体层135b、第一开关控制电极125a1、第一驱动控制电极125b1以及第一电容器电极128a上。第二绝缘层140可包括氮化硅或氧化硅。

栅极线121、第二开关控制电极125a2、第二驱动控制电极125b2和第二电容器电极128b设置在第二绝缘层140上。第一开关控制电极125a1和第二开关控制电极125a2形成开关控制电极125a，并且第一驱动控制电极125b1和第二驱动控制电极125b2形成驱动控制电极125b。

栅极线121在水平方向上延伸，并将扫描信号传输到开关晶体管T1。在这种情况下，栅极线121朝开关半导体层135a突出，以连接至第二开关控制电极125a2。第二驱动控制电极125b2连接至第二电容器电极128b，由此第二电容器电极128b朝驱动半导体层135b突出。

层间绝缘层160形成在栅极线121、第二开关控制电极125a2、第二驱动控制电极125b2和第二电容器电极128b上。像第一绝缘层130或第二绝缘层140，层间绝缘层160可以包括氮化硅或氧化硅。

层间绝缘层160和第二绝缘层140具有分别暴露第一源区1356a和第一漏区1357a的第一源极接触孔61a和第一漏极接触孔62a、分别暴露第二源区1356b和第二漏区1357b的第二源极接触孔61b和第二漏极接触孔62b以及暴露第二电容器电极128b的一部分的存储接触孔63。

包括开关源电极176a的数据线171、包括驱动源电极176b的驱动电压线172、连接至第二电容器电极128b的开关漏电极177a以及驱动漏电极177b形成在层间绝缘层160上。数据线171传输数据信号，并在与栅极线121相交的方向上延伸。驱动电压线172传输驱动电压。驱动电压线172和数据线171在相同方向上延伸，并且彼此隔开。

开关源电极176a从数据线171朝开关半导体层135a突出，驱动源电极176b从驱动电压线172朝驱动半导体层135b突出。开关源电极176a通过第一源极接触孔61a连接至第一源区1356a，并且驱动源电极176b通过第二源极接触孔61b连接至第二源区1356b。开关漏电极177a面对开关源电极176a，并且驱动漏电极177b面对驱动源电极176b。

开关漏电极177a通过第一漏极接触孔62a连接至第一漏区1357a，并且驱动漏电极177b通过第二漏极接触孔62b连接至第二漏区1357b。开关漏电极177a延伸，以通过形成在层间绝缘层160中的存储接触孔63电连接至第二电容器电极128b和第二驱动控制电极125b2。第一电容器电极128a和第二电容器电极128b彼此重叠，从而使用第二绝缘层140作为电介质材料形成存储电容器Cst。

开关半导体层135a、开关控制电极125a、开关源电极176a和开关漏电极177a形成开关薄膜晶体管T1。驱动半导体层135b、驱动控制电极125b、驱动源电极176b以及驱动漏电极177b形成驱动薄膜晶体管T2。开关薄膜晶体管T1和驱动薄膜晶体管T2与开关元件相对应。开关薄膜晶体管T1和驱动薄膜晶体管T2形成在显示区域PA中。

平坦化层180形成在开关源电极176a、驱动源电极176b、开关漏电极177a和驱动漏电极177b上。平坦化层180用于去除并平面化台阶，以提高将形成在其上的有机发光元件的发射效率。平坦化层180可以包括聚丙烯酸基树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺基树脂、聚酰亚胺基树脂、不饱和聚酯基树脂、聚苯基树脂、聚苯硫醚基树脂、硅氧烷基树脂或二氧化硅基无机物。

像素电极710设置在平坦化层180上。像素电极710可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In₂O₃)的透明导电材料或诸如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或金(Au)的反射金属。像素电极710通过形成在平坦化层180中的接触孔181电连接至驱动薄膜晶体管T2的驱动漏电极177b，由此作为有机发光元件70的阳极。

像素限定层350形成在平坦化层180上以及像素电极710的边缘上。像素限定层350具有暴露像素电极710的开口。像素限定层350可以包括聚丙烯酸基树脂、聚酰亚胺基树脂、硅氧烷基树脂或二氧化硅基无机材料。

有机发射层720形成在像素限定层350的开口中。有机发射层720由包括发射层以及空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的一个或多个的多层形成。

当有机发射层720包括所有层时，空穴注入层设置在作为阳极的像素电极710上，并且空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层可顺序地设置(或层叠)在其上。

有机发射层720可包括发射红光的红色有机发射层、发射绿光的绿色有机发射层以及发射蓝光的蓝色有机发射层。红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层分别形成在红色像素、绿色像素和蓝色像素中，从而实现彩色图像。

此外，有机发射层720可以通过在红色像素、绿色像素和蓝色像素中将红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层层叠在一起、并对于每个像素形成红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片来实现彩色图像。

作为另一示例，发射白光的白色有机发射层形成在红色像素、绿色像素和蓝色像素的全部中，并对于各个像素形成红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片，由此实现彩色图像。在通过使用白色有机发射层和滤光片实现彩色图像的情况下，可以不使用用于在各个像素(也就是红色像素、绿色像素和蓝色像素)上沉积红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层的沉积掩模。

白色有机发射层可以包括一个有机发射层，并且具有通过层叠有机发射层发射白光的结构。例如，白色有机发射层可具有通过组合至少一个黄色有机发射层和至少一个蓝色有机发射层、至少一个青色有机发射层和至少一个红色有机发射层或至少一个品红色有机发射层和至少一个绿色有机发光层等发射白光的结构。

公共电极730形成在像素限定层350和有机发射层720上。公共电极730可以包括诸如ITO、IZO、ZnO或In₂O₃的透明导电材料或诸如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或金(Au)的反射金属。公共电极730可以是有机发光元件70的阴极。如上面所描述的，像素电极710、有机发射层720和公共电极730形成有机发光元件70。

在根据本示例性实施例的显示设备中，公共电极730设置在显示区域PA中，而没有设置在透射区域TA中。如上面所描述的，如果公共电极730仅形成在显示区域PA中，则防止光被公共电极730反射，从而提高了透明显示设备的透射率。

保护有机发光元件70的外涂层(未示出)可以形成在公共电极730上。外涂层可以设置在显示区域PA和透射区域TA中。

如上所述，在根据本示例性实施例的显示设备中，透射窗TW形成为与阻光层BL重叠，并且透射窗TW的边缘之间的宽度形成为小于阻光层BL的边缘之间的宽度。因此，与透射窗TW重叠的缓冲层120与阻光层BL重叠。当形成透射窗TW(其形成在设置于透射区域TA中的绝缘层中)时，缓冲层120由阻光层BL覆盖，由此防止缓冲层120被损坏。因此，显示设备的透射率可以提高，同时可以防止对缓冲层120的损坏，由此防止由于缓冲层120的损坏而导致的显示设备的质量劣化。

在下文中将参考图7至图9描述根据一个示例性实施例的显示设备。图7是根据一个示例性实施例的显示设备的布局图。图8是示出了根据一个示例性实施例的显示设备的像素区域的布局图。图9是沿线IX-IX截取的图8的显示设备的剖视图。

参考图7，根据本示例性实施例的显示设备的结构和组成元件可以与参考图1所示的显示设备基本上类似。因此，其重复描述将被省略。

根据本示例性实施例的显示设备包括显示图像的显示区域PA和透射光的透射区域TA。显示区域PA包括像素PX1、PX2和PX3。像素PX1、PX2和PX3可以显示彼此不同的颜色，并且像素PX1、PX2和PX3可以形成一个点。像素PX1、PX2和PX3可以包括显示第一颜色的第一像素PX1、显示第二颜色的第二像素PX2以及显示第三颜色的第三像素PX3。

透射区域TA是透射光的区域，并且透射窗TW形成在透射区域TA中。透射窗TW包括第一透射孔TH1和第二透射孔TH2。第一透射孔TH1是靠近基板110的透射孔，并且第二透射孔TH2是连接至第一透射孔TH1的透射孔。

如参考图7所示，第一透射孔TH1的边缘和第二透射孔TH2的边缘是在第一透射孔TH1和第二透射孔TH2的相邻部分测量的边缘。在第一透射孔TH1和第二透射孔TH2的相邻部分中，第一透射孔TH1的边缘比第二透射孔TH2的边缘进一步突出。透射区域TA的面积相对于显示区域PA和透射区域TA的整个面积的比率可在约20％至约70％的范围内。

在根据本示例性实施例的显示设备中，透射区域TA的一个透射窗TW形成在像素PX1、PX2和PX3中。然而，应该注意的是，透射区域TA的透射窗TW可以单独地形成在每个像素区域中。

在下文中将参考图8和图9详细描述图7的显示设备的一个示例。

首先将描述透射区域TA。

透射区域TA包括设置在基板110上的缓冲层120以及与缓冲层120重叠的透射窗TW。基板110可以是柔性的，并且可包括有机材料、无机材料、玻璃或诸如不锈钢的金属。基板110可以是柔性的，但不限于此，其可以是可伸展的、可折叠的、可弯曲的或可卷曲的。由于基板110是柔性的、可伸展的、可折叠的、可弯曲的或可卷曲的，因此显示设备可以是柔性的、可伸展的、可折叠的、可弯曲的或可卷曲的。

透射窗TW是开口，其形成在诸如设置于显示区域PA和透射区域TA中的第二绝缘层140、层间绝缘层160、平坦化层180和像素限定层350的绝缘层中。透射窗TW形成为穿过第二绝缘层140、层间绝缘层160、平坦化层180和像素限定层350。

透射窗TW包括与基板110相邻的第一透射孔TH1以及连接至第一透射孔TH1的第二透射孔TH2。第一透射孔TH1的第三边缘EG3的第三宽度W3大于作为第二透射孔TH2的与第一透射孔TH1相邻的边缘的第四边缘EG4的第四宽度W4。也就是说，第一透射孔TH1的第三边缘EG3相比第二透射孔TH2的与第一透射孔TH1相邻的第四边缘EG4突出得更远。随着到基板110的距离增加，第二透射孔TH2的第四边缘EG4的宽度可以被加宽。以这种方式，透射窗TW在与基板110相邻的部分中沿着远离基板110的方向具有倒锥形结构，然后在距离基板110更远的一部分中具有正锥形结构。

根据本示例性实施例的显示设备可包括形成在设置于透射区域TA中的绝缘层中的透射窗TW，这可以提高外部光的透射率。当在设置于透射区域TA中的绝缘层中形成透射窗TW时，缓冲层120可能被蚀刻，这可能损坏缓冲层120。这样，诸如杂质或湿气的不必要成分渗透，这可劣化显示设备的质量。

根据本示例性实施例，在形成透射窗TW时，在与透射窗TW重叠的区域上形成半导体层(未示出)之后，绝缘层被蚀刻以形成透射窗TW。半导体层形成为比其中将形成透射窗TW的区域宽。在绝缘层中形成透射窗TW之后，设置在与透射窗TW重叠的区域中的半导体层被去除。

以这种方式，当在设置于透射区域TA中的绝缘层中形成透射窗TW时，由于缓冲层120由半导体层覆盖，因此可以防止缓冲层120被损坏。在形成透射窗TW之后，覆盖缓冲层120的半导体层被去除，这可以提高显示设备的透射区域TA的透射率。

另外，在形成透射窗TW之前，半导体层形成为比其中将在缓冲层120上形成透射窗TW的区域更宽。绝缘层沉积在半导体层上，透射窗TW形成在绝缘层中，然后半导体层被去除。以这种方式，在已经形成了去除的半导体层的部分处形成第一透射孔TH1。

以这种方式，由于在形成透射窗TW之前形成的半导体层的面积大于透射窗TW的面积，因此第一透射孔TH1的、形成在已经形成了半导体层的区域中的第三边缘EG3比相邻的第二透射孔TH2的第四边缘EG4突出得更远。因此，透射窗TW在与基板110相邻的部分中沿着远离基板110的方向具有倒锥形结构，然后在距离基板110更远的一部分中具有正锥形结构。

以这种方式，显示设备的透射率可通过去除形成在透射区域TA中的半导体层而提高。此外，由于在形成透射窗TW时防止了对缓冲层120的损坏，因此可以防止由于缓冲层120的损坏而导致的显示设备的质量劣化。

如图7至图9所示，根据本示例性实施例的显示设备的显示区域PA的结构和组成元件可以与参考图1至图6所示的显示设备的显示区域PA的结构和组成元件基本上类似。因此，其重复描述将被省略，以避免模糊在本文中描述的示例性实施例。

如上所述，根据本示例性实施例的显示设备，半导体层设置在缓冲层120上，并且绝缘层设置在缓冲层120上。透射窗TW形成在绝缘层中，然后半导体层被去除。以这种方式，可以在提高显示设备的透光率的同时防止对缓冲层120的损坏，从而防止由于缓冲层120的损坏而导致的显示设备的质量劣化。

接下来将参考图10A至图10C描述根据一个示例性实施例的实验示例。图10A至图10C是示出了实验示例的结果的图表。

在本实验示例中，第一种情况包括透射窗TW未形成在透射区域TA中。第二种情况与参考图1至图6示出的显示设备类似，包括透射窗TW以及与透射窗TW重叠的半导体层。第三种情况与参考图7至图9示出的显示设备类似，包括在形成透射窗TW之前在缓冲层120上形成半导体层以及在形成透射窗TW之后去除半导体层。

测量根据入射到显示设备的光的波长的光的反射率以及透射率，其结果被示出于图10A至图10C中。图10A示出了第一种情况的结果，图10B示出了第二种情况的结果，图10C示出了第三种情况的结果。在图10A至图10C中，根据入射到显示设备的光的波长的光的反射率由R表示，并且透射率由T表示。参考图10A至图10C，第二种情况和第三种情况与第一种情况相比具有小的外部光反射率和高的透射率。

根据示例性实施例，可以防止对缓冲层120的损坏，由此防止显示设备由于对缓冲层120的损坏而导致的质量劣化，并且同时提高了显示设备的透射率。

尽管已经在本文中描述了某些示例性实施例和实施方式，不过其它实施例和修改将根据该描述而显而易见。因此，本发明构思不限于这样的示例性实施例，而是所呈现的权利要求以及各种明显修改和等同布置的更宽范围。