1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
形成在所述基板上的多条扫描线和多条数据线，所述多条扫描线和所述多条数据线绝缘交叉限定多个像素单元；
所述像素单元包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线电连接，源极与所述数据线电连接，漏极与所述像素单元的像素电极电连接；所述薄膜晶体管的沟道区的有效长度大于或者等于所述像素单元沿所述扫描线延伸方向长度的三分之一。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，与所述薄膜晶体管的源极电连接的数据线和所述薄膜晶体管的漏极之间至少间隔一条所述数据线。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，与所述薄膜晶体管的漏极相邻的两条数据线中，到与所述薄膜晶体管的源极电连接的所述数据线距离较近的为第一数据线，另一条为第二数据线，所述薄膜晶体管的漏极到所述第一数据线的距离大于到所述第二数据线的距离。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的源极和与所述薄膜晶体管的漏极相邻的所述数据线之一电连接。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的漏极到与所述薄膜晶体管的源极电连接的所述数据线的距离大于到另一条与所述薄膜晶体管的漏极相邻的所述数据线的距离。
6.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的沟道区的有效长度大于所述薄膜晶体管的源极与漏极沿所述扫描线延伸方向的距离。
7.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的沟道区在所述基板上的投影具有多个弯折部。
8.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的源极与漏极之间在沿所述数据线延伸的方向上至少间隔一条所述扫描线。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。
10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅结构，所述薄膜晶体管的沟道区位于所述栅极朝向所述基板的一侧。
11.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元还包括遮光层，所述遮光层位于所述薄膜晶体管的沟道区朝向所述基板的一侧，所述遮光层在所述基板上的垂直投影覆盖所述薄膜晶体管的沟道区在所述基板上的垂直投影。
12.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-11任一项所述的阵列基板。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，还包括：
与所述阵列基板相对设置的彩膜基板；
所述彩膜基板上设置有黑矩阵，所述薄膜晶体管在所述彩膜基板的垂直投影位于所述黑矩阵内。
14.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板的画面刷新频率范围为0.5Hz-45Hz。
15.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求12-14任一项所述的显示面板。