用于制造半导体器件的方法和系统与流程

本发明的实施例涉及用于制造半导体器件的方法和系统。

背景技术：

半导体集成电路(ic)产业经历了指数级增长。在ic材料和设计中的技术进步已经产生了多代集成电路，其中每一代比上一代具有更小和更复杂的电路。在ic演化的过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)已普遍增加，而几何尺寸(即，可使用制造工艺创建的最小组件(或线))减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种按比例减小也已经增加了处理和制造ic的复杂度，并且为了实现这些进步，需要ic处理和制造中的类似发展，例如，光刻工艺通常实施曝光和显影工艺以在ic晶圆制造和掩模制造期间图案化小部件。

技术实现要素：

本发明的实施例提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括：在具有第一化学品的显影液中形成多个气泡；将所述显影液施加至设置在衬底上的光刻胶层上，其中，所述光刻胶层具有曝光区域，并且所述第一化学品配置为通过化学反应来溶解所述光刻胶层的曝光区域。

本发明的另一实施例提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括：将气体引入显影液；和通过使用部分溶解所述气体的所述显影液显影设置在衬底上的光刻胶层的曝光区域，其中，所述显影液配置为通过化学反应来溶解所述光刻胶层的所述曝光区域。

本发明的又一实施例提供了一种用于制造半导体器件的系统，包括：第一供应器，配置为供应具有第一化学品的显影液；第二供应器，配置为供应第二化学品；混合器，配置为混合所述显影液与第二化学品，其中，所述第二化学品配置为在所述显影液中形成多个气泡；施加器，配置为将混合有所述气泡的所述显影液施加至形成在衬底上的光刻胶层上，其中，所述光刻胶层具有曝光区域，并且所述第一化学品配置为通过化学反应溶解所述光刻胶层的所述曝光区域。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1a至图1c是根据本发明的一些实施例的按顺序示出半导体器件的制造步骤的截面图；

图2是根据本发明的一些实施例的示出半导体器件的截面图；

图3是根据本发明的一些实施例的用于制造半导体器件的方法的流程图；

图4是根据本发明的一些其他实施例的用于制造半导体器件的方法的流程图；

图5是根据本发明的一些实施例的示出用于制造半导体器件的系统的示意图；和

图6是根据本发明的一些其它实施例的示出图5的混合器的示意图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。

参照图1a至图1c。图1a至图1c是根据本发明的一些实施例按顺序示出半导体器件100的制造步骤的截面图。半导体器件100(见图1c)包括衬底102和光刻胶层104。光刻胶层104由诸如旋涂的适当的技术涂布在衬底102上。在光刻胶层104涂布在衬底102上之后，可以实施软烘烤工艺以部分驱除光刻胶层104中的溶剂。衬底102可包括晶圆以及形成在晶圆上的多个导电和非导电薄膜。晶圆可以是包含硅的半导体衬底(换句话说，硅晶圆)。或者或另外，该晶圆包括另一元素半导体，例如锗；化合物半导体，包括碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟、和/或锑化铟；合金半导体，包括硅-锗(sige)、磷砷化镓(gaasp)、砷化铝铟(alinas)、砷化铝镓(algaas)、砷化镓铟(gainas)、磷化镓铟(gainp)和/或磷砷化镓铟(gainasp)。在又一些可选实施例中，晶圆具有绝缘体上半导体(soi)结构。多个导电和非导电薄膜可包括导电或绝缘材料。例如，导电材料包括金属，诸如铝(al)、铜(cu)、钨(w)，镍(ni)、钛(ti)、金(au)、铂(pt)、或金属的合金。绝缘材料可以包括氧化硅、氮化硅、或它们的组合。衬底102可以可选地为非半导体材料，诸如用于薄膜晶体管液晶显示器(tft-lcd)器件的玻璃衬底，或用于光掩模(掩模或中间掩模)的熔融石英或氟化钙。衬底102可以包括将被图案化的一个或多个其他材料层，诸如多晶硅层、导电层、介电层、或各种材料的多个层。

如图1a所示，光刻胶层104沉积在衬底102上方。光刻胶层104可以包括正性光刻胶或负性光刻胶。光刻胶层104还可以包括单个光刻胶膜或多层光刻胶膜。如图1a所示，沉积在衬底102上的光刻胶层104在曝光工艺期间通过光学曝光工具(例如光刻装置)曝光。由光学工具产生的光l(即，辐射的一种形式)投射在掩模106上。光l可以包括i线光、深紫外线(duv)、远紫外(euv)光、x射线光、或它们的组合。掩模106阻挡一些光l以将集成电路(ic)设计布局的图案转移至光刻胶层104。掩模106包括二元掩模或相移掩模(psm)。相移掩模可以是交替相移掩模(alt.psm)或衰减相移掩模(att.psm)。在一些实施例中，掩模也称为光掩模或中间掩模。

如图1a所示，一些光l被掩模106阻挡，并且一些光l穿过掩模106并被投射在光刻胶层104上，其中光与光刻胶层104中的光敏化学物反应，以形成潜像。例如，光敏化学物是深紫外线(duv)光刻胶中的光产酸剂(peg)。光刻胶中的pag在光l的照射下释放酸，且该酸促进化学扩增反应(car)，例如，在曝光后烘烤工艺(peb)期间从曝光区域的光刻胶中释放保护基团。由于从光刻胶释放保护基团，曝光区域的光刻胶的极性从疏水极性改变为亲水极性，并且也在曝光的光刻胶层中形成潜图案。

如图1b所示，显影液108施加到沉积在衬底102上的光刻胶层104的曝光区域105(即，亲水部分)以显影成图案化结构(见图1c)。在所描述的实施例中，最终的图案化结构取决于显影剂性质。例如，如果诸如四甲基氢氧化铵(tmah)的显影液108施加到光刻胶层104的曝光区域105，则光刻胶层104的曝光区域105在显影工艺期间被显影液108溶解，以及光刻胶层104的未曝光(疏水)部分保留，以形成图案化的光刻胶层104a，提供图1c所示的最终的图案化结构。

如图1c所示，多个沟槽104b分隔图案化的光刻胶层104a的节段。通过去除光刻胶层104的曝光区域105形成这些沟槽104b。沟槽104b的高宽比可以定义为沟槽104b的深度d与沟槽104b的横向宽度w的比率。沟槽104b的深度d也可以被认为光刻胶层104的厚度或垂直尺寸，并且沟槽104b的宽度w也可以被认为暴露于辐射的光刻胶层104的区域的水平尺寸。

参考图2。图2是根据本发明的一些实施例示出半导体器件100'的截面图。图案化的光刻胶层104a形成在设置在衬底102上方的可图案化层103上方。可图案化层103在随后的工艺(诸如蚀刻或离子注入)可以用作硬掩模层。由于半导体制造技术的不断进步(例如，移动到先进的节点，诸如14nm或以上)，制造工艺的复杂性将增加。在很多情况下可能利用更多的制造步骤。其结果是，位于光刻胶层104a下面的可图案化层103可能需要更厚(即，具有比前几代制造工艺更大的垂直尺寸)。例如，对于28nm工艺，硬掩模层和多晶硅层的组合厚度可能仅需要厚度为1000埃，但这种组合厚度对于14nm工艺可能需要至少2000埃。因此，可以说，先进的制造工艺可以涉及使用具有高或高大形貌的可图案化层。

由于下面的可图案化层103的高大形貌，所以光刻胶层104的垂直尺寸(即，深度d)也可能需要增加。这是因为层可能需要较厚的光刻胶以图案化相应较厚的下面的材料层。同时，由于制造技术的不断先进，半导体部件尺寸保持不变或继续缩小。因此，沟槽104b的宽度w(横向尺寸)可以保持不变或将实际上缩小，即使它的垂直尺寸d继续增加。这导致了越来越高的(垂直尺寸d)与(水平尺寸w)的高宽比。

根据上述的结构配置，光刻胶层104在沟槽140b底部可能具有光刻胶浮渣(也被称为光刻胶基脚)。即，图案化的光刻胶层104a包括直线上升的部分，并且可以包括衬底102附近的底部基脚部分104a1(在图2中由虚线所示)。如图2所示，图案化的光刻胶层104a的底部基脚部分104a1横向向外突出，而图案化的光刻胶层104a的直线上升部分可以保持相对直的截面轮廓。图案化的光刻胶层104a的横向突出的底部基脚部分104a1是不需要的，因为它不利地影响光刻性能。

图案化的光刻胶层104a的底部基脚部分104a1的存在是沟槽104b的高高宽比的结果。可能有几个起作用的因素。一个因素是，沟槽104b的高高宽比使得显影液108难以进出沟槽104b。因为沟槽104b深，一些显影液108可能会被截留在沟槽104b的底部附近。截留的显影液108可以防止光刻胶层104的底部与新鲜显影液108产生化学反应。沟槽104b的底部附近的截留的显影液108也意味着已经经过化学反应的部分光刻胶材料不会轻易从沟槽104b冲洗出，因为它们被截留的显影液108有效“阻挡”。换言之，当沟槽104b的高宽比变大时，显影液108和沟槽104b的底部处的光刻胶材料之间的化学反应变得低效和无效。这可能会导致不完全反应，从而在沟槽104b的底部附近留下图案化的光刻胶层104a的底部基脚部分104a1。

对底部基脚部分104a1的其他起作用的因素可以包括曝光工艺期间的光刻胶层104的非均匀曝光。例如，在曝光工艺期间，由于光散射或光反射，光刻胶层104的底部区域可以由散射光或反射光部分地曝光。因此，部分曝光的底部区域在显影工艺期间可以不被溶解。并且由于光刻胶层104的底部处的光散射和/或反射，光刻胶层104在不同的部分接收不同的能量剂量，并且因此光刻胶层104在光刻胶层104的上部和下部处形成具有不同极性的潜在的光刻胶轮廓。不同的极性对相同的显影液可以具有不同的溶解度，从而也促成底部基脚部分104a1。

为了防止底部基脚部分104a1在去除曝光区域105之后形成在图案化的光刻胶层104a的底部处，根据本发明的一些实施例提供了一种制造半导体器件的方法。

参照图3，图3是根据本发明的一些实施例的制造半导体器件的方法的流程图。该方法开始于框s101，其中具有第一化学品的显影液与第二化学品混合，并且第二化学品配置为在显影液中形成多个气泡。在一些实施例中，气泡是微小气泡。方法继续进行至框s102，其中显影液与第三化学品混合。方法继续进行至框s103，其中显影液施加在设置在衬底上的光刻胶层上，其中，光刻胶层具有曝光区域，第一化学品配置为通过化学反应溶解光刻胶层的曝光区域，曝光区域的去除在光刻胶层中形成图案化结构，气泡配置为避免在图案化结构的底部处形成基脚部分，并且第三化学品配置为避免在图案化结构的顶部处形成圆形部分。

如图2和图3所示，应该指出的是，尽管沟槽104b的高高宽比使得显影液108难以进出沟槽104b(因为沟槽104b深，且一些显影液108可能被截留在沟槽104b的底部附近)，在显影液108中形成的多个气泡可以防止显影液108被截留在沟槽104b的底部附近。其结果是，在显影液108中形成的气泡可以帮助光刻胶层104的底部与新鲜显影液108发生化学反应。沟槽104b的底部附近的显影液108中的气泡也意味着已经经过化学反应的部分光刻胶材料将不断地被冲洗出沟槽104b，因为气泡能有效地防止显影液108被截留在沟槽104b的底部附近。换言之，由于气泡形成在显影液108中，显影液108和沟槽104b的底部附近的光刻胶材料之间的化学反应变得高效和有效。这可以归功于完全的反应，从而解决了在图案化的光刻胶层104a的沟槽104b的底部附近形成底部基脚部分104a1的难题。

在一些实施例中，第二化学品配置为产生含有二氧化碳的气泡。例如，第二化学品可以包括碳酸盐(例如，碳酸钙)和酸(例如，盐酸)，但是本发明并不限于此。

另外，通过混合显影液108与第三化学品，显影液108可以平滑地显影光刻胶层104的曝光区域105，从而有效地防止圆形部分104a2(由图2中虚线所示)形成在图案化结构的顶部(即，图案化的光刻胶层104a的顶部附近的不良轮廓)。在一些实施例中，第三化学品包括水，但本发明并不限于此。在一些实施例中，第三化学品可以包括具有低活性并且不与第一化学品产生化学反应的溶剂。

在一些实施例中，为了平滑地显影光刻胶层104的曝光区域105，显影液108中的第一化学品的浓度控制在从约0.5wt％至约2.38wt％的范围内，但是本发明不局限于此。在一些实施例中，显影液108中的第一化学品的浓度可以通过使用电阻计来检测，但是本发明并不限于此。在一些实施例中，显影液108中的第一化学品包括四甲基氢氧化铵(tmah)，但是本发明并不限于此。

在一些实施例中，显影液、第二化学品和第三化学品可以通过使用螺旋桨均匀地混合，但本发明并不限于此。

参考图4。图4是根据本发明的一些其它实施例的用于制造半导体器件的方法的流程图。该方法开始于框s201，其中将气体引入显影液。方法继续进行至框s202，其中稀释显影液。方法继续进行至框s203，其中设置在衬底上的光刻胶层的曝光区域通过使用部分溶解气体的显影液显影，其中，显影液配置为通过化学反应溶解光刻胶层的曝光区域。

如图2和图4所示，应该指出的是，尽管沟槽104b的高高宽比使得显影液108难以进出沟槽104b，引入显影液108中的气体可以防止显影液108被截留在沟槽104b的底部附近(因为气体可以增加显影液108的流动性)。其结果是，引入显影液108中的气体可以帮助光刻胶层104的底部与新鲜显影液108产生化学反应。沟槽104b的底部附近的引入显影液108中的气泡也意味着已经经过化学反应的部分光刻胶材料将不断地被冲洗出沟槽104b，因为气泡能有效地防止显影液108被截留在沟槽104b的底部附近。换言之，由于气体引入显影液108中，显影液108和沟槽104b的底部处的光刻胶材料之间的化学反应变得高效和有效。这可以归功于完全的反应，从而解决了在图案化的光刻胶层104a的沟槽104b的底部附近形成底部基脚部分104a1(由图2中的虚线示出)的难题。

另外，通过稀释显影液108，显影液108可以平滑地显影光刻胶层104的曝光区域105，从而有效地防止圆形部分104a2(由图2中的虚线示出)形成在图案化结构的顶部(即，图案化的光刻胶层104a的顶部附近的不良轮廓)。

在一些实施例中，气体包括二氧化碳，但是本发明不局限于此。

在一些实施例中，通过使用水稀释显影液，但本发明并不限于此。

参照图5，图5根据本发明的一些实施例示出了制造半导体器件的系统200的示意图。如图5所示，用于制造半导体器件的系统200包括第一供应器210、第二供应器220、混合器230、缓冲罐240、施加器250和卡盘290。第一供应器210配置为供应具有第一化学品的显影液108(见图1b)。第二供应器220配置为将第二化学品供应至混合器230。混合器230配置为将显影液108与第二化学品混合，其中，第二化学品配置为在显影液108中形成多个气泡。施加器250配置为将混合有气泡的显影液108施加至形成在衬底102上的光刻胶层104上，其中，光刻胶层104具有曝光区域105(参照图1b)，并且第一化学品配置为通过化学反应溶解光刻胶层104的曝光区域105。在一些实施例中，施加器250是喷嘴，但本发明并不限于此。卡盘290配置为在显影工艺期间固定沉积有光刻胶层104的衬底102。

在一些实施例中，系统200还包括连接在混合器230和第二供应器220之间的第一阀271。第一阀271配置为控制从第二供应器220供应至混合器230的第二化学品的流量。

在一些实施例中，系统200还包括第三供应器260。第三供应器260配置为供应第三化学品至混合器230，其中第三化学品配置为稀释显影液108。在一些实施例中，系统200还包括连接在混合器230和第三供应器260之间的第二阀272。第二阀272配置为控制从第三供应器260供应至混合器230的第三化学品的流量。

在一些实施例中，缓冲罐240连接至第一供应器210、混合器230和施加器250，其中缓冲罐240配置为容纳直接来自第一供应器210的显影液108以及容纳来自混合器230的混合有气泡和水的显影液108。在一些实施例中，系统200还包括第三阀273和第四阀274。第三阀273连接在混合器230和缓冲罐240之间。第三阀273配置为控制从混合器230供应至缓冲罐240的混合有气泡的显影液108的流量。第四阀274连接在第一供应器210和缓冲罐240之间。第四阀274配置为控制从第一供应器210供应至缓冲罐240的显影液108的流量。

在一些实施例中，系统200还包括电阻计280。电阻计280配置为检测混合器230中的显影液108的第一化学品的浓度。为了控制混合器230中的显影液108的第一化学品的浓度，用户能够控制第一阀271来调整从第二供应器220流至混合器230中的第二化学品的量，和/或控制第二阀272以调整从第三供应器260流至混合器230中的第三化学品的量。

在本发明的一些其它实施例中，电阻计280可以连接到缓冲罐240并配置为检测缓冲罐240中的显影液108的第一化学品的浓度。为了控制缓冲罐240中的显影液108的第一化学品的浓度，用户能够控制第三阀273来调整从混合器230流至缓冲罐240中的具有气泡的稀释的显影液108的量，和/或控制第四阀274以调整从第一供应器210流至混合器230中的显影液108的量。

参考图6。图6是根据本发明的一些其它实施例示出图5的混合器230的示意图。

如图6所示，可以看出，混合器230包括外壳231和螺旋桨232。混合器230的外壳231配置为容纳从第一供应器210供应的显影液108，从第二供应器220供应的第二化学品和从第三供应器260供应的第三化学品。详细地，混合器230的外壳231具有第一入口231a、第二入口231b和第三入口231c。第一入口231a、第二入口231b和第三入口231c分别连接到第一供应器210、第二供应器220和第三供应器260。螺旋桨232可旋转地设置在外壳231中并且配置为搅拌显影液108与第二化学品以形成气泡和/或搅拌显影液108与第三化学品以稀释显影液108。

根据本发明的实施例的前述叙述，可以看出，通过混合第二化学品与显影液以在显影液中形成多个气泡，具有气泡的显影液可以防止显影液被截留在图案化的光刻胶层的沟槽底部附近，由于气泡形成在显影液中，从而使得显影液和沟槽的底部处的光刻胶材料之间的化学反应变得高效和有效，从而解决在图案化的光刻胶层的沟槽的底部附近形成底部基脚部分的问题。另外，通过混合显影液与第三化学品，显影液可平滑地显影光刻胶层的曝光区域，从而有效地防止在图案化的结构的顶部处形成圆形部分，从而在图案化的光刻胶层的顶部附近获得理想的轮廓。

根据一些实施例，提供了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括：在具有第一化学品的显影液中形成多个气泡；和将显影液施加至设置在衬底上的光刻胶层上，其中光刻胶层具有曝光区域，并且第一化学配置为通过化学反应来溶解光刻胶层的曝光区域。

在上述方法中，其中，所述形成包括：混合所述显影液与第二化学品，所述第二化学品配置为在所述显影液中形成所述多个气泡。

在上述方法中，其中，所述形成包括：混合所述显影液与第二化学品，所述第二化学品配置为在所述显影液中形成所述多个气泡，其中，所述混合包括：通过使用螺旋桨混合所述显影液与所述第二化学品。

在上述方法中，其中，所述形成包括：混合所述显影液与第二化学品，所述第二化学品配置为在所述显影液中形成所述多个气泡，其中，所述第二化学品配置为产生含有二氧化碳的气泡。

在上述方法中，其中，所述曝光区域的去除在所述光刻胶层中形成图案化结构，并且所述气泡配置为防止在所述图案化结构的底部处形成基脚部分。

在上述方法中，其中，所述曝光区域的去除在所述光刻胶层中形成图案化结构，并且所述气泡配置为防止在所述图案化结构的底部处形成基脚部分，其中，所述形成包括：混合所述显影液与第三化学品，所述第三化学品配置为避免在所述图案化结构的顶部处形成圆形部分。

在上述方法中，其中，所述曝光区域的去除在所述光刻胶层中形成图案化结构，并且所述气泡配置为防止在所述图案化结构的底部处形成基脚部分，其中，所述形成包括：混合所述显影液与第三化学品，所述第三化学品配置为避免在所述图案化结构的顶部处形成圆形部分，其中，所述第三化学品包括水。

在上述方法中，还包括：将所述显影液中的所述第一化学品的浓度控制在从0.5wt％至2.38wt％的范围内。

在上述方法中，还包括：通过使用电阻计检测所述显影液中的所述第一化学品的浓度。

在上述方法中，其中，所述第一化学品包括四甲基氢氧化铵(tmah)。

根据一些实施例，提供了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括：将气体引入显影液；和通过使用部分溶解气体的显影液显影设置在衬底上的光刻胶层的曝光区域，其中，第一化学品配置为通过化学反应来溶解光刻胶层的曝光区域。

在上述方法中，其中，所述气体包括二氧化碳。

在上述方法中，还包括：通过使用水稀释所述显影液。

根据一些实施例，提供了一种用于制造半导体器件的系统。该系统包括：第一供应器、第二供应器、混合器和施加器。第一供应器配置为供应具有第一化学品的显影液。第二供应器配置为将第二化学品供应至混合器。混合器配置为混合显影液与第二化学品，其中，第二化学品配置为在显影液中形成多个气泡。施加器配置为将混合有气泡的显影液施加至形成在衬底上的光刻胶层，其中，光刻胶层具有曝光区域，并且第一化学品配置为通过化学反应来溶解光刻胶层的曝光区域。

在上述系统中，还包括：第一阀，连接在所述混合器和所述第二供应器之间并且配置为控制供应至所述混合器的所述第二化学品的流量。

在上述系统中，还包括：第一阀，连接在所述混合器和所述第二供应器之间并且配置为控制供应至所述混合器的所述第二化学品的流量；第三供应器，配置为将第三化学品供应至所述混合器，其中，所述第三化学品配置为稀释所述显影液。

在上述系统中，还包括：第一阀，连接在所述混合器和所述第二供应器之间并且配置为控制供应至所述混合器的所述第二化学品的流量；第三供应器，配置为将第三化学品供应至所述混合器，其中，所述第三化学品配置为稀释所述显影液；第二阀，连接在所述混合器和所述第三供应器之间并且配置为控制供应至所述混合器的所述第三化学品的流量。

在上述系统中，其中，所述混合器包括：外壳，配置为容纳所述显影液和所述第二化学品；和螺旋桨，可旋转地设置在所述外壳中并且配置为搅拌具有所述第二化学品的所述显影液。

在上述系统中，还包括：电阻计，配置为检测所述混合器中的所述显影液的所述第一化学品的浓度。

在上述系统中，还包括：缓冲罐，连接至所述第一供应器、所述混合器和所述施加器，其中，所述缓冲罐配置为容纳来自所述第一供应器的所述显影液和容纳来自所述混合器的混合有所述气泡的所述显影液；和第三阀，连接在所述混合器和所述缓冲罐之间并且配置为控制供应至所述缓冲罐的混合有所述气泡的所述显影液的流量；和第四阀，连接在所述第一供应器和所述缓冲罐之间并且配置为控制供应至所述缓冲罐的所述显影液的流量。

尽管本发明已参照特定实施例进行了相当详细地描述，但是其他实施例是可能的。因此，所附权利要求的精神和范围不应限于本文包含的实施例的描述。

对本领域技术人员将显而易见的，在不背离本发明的范围或精神的情况下，可以对本发明的结构做出各种修改和变化。鉴于上述内容，本发明旨在包括提供的本发明的修改和变化，它们落在权利要求的范围内。

上面概述了若干实施例的特征，使得本领域技术人员可以更好地理解本发明的方面。本领域技术人员应该理解，他们可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改用于实施与本文所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优势的其他工艺和结构。本领域技术人员也应该意识到，这种等同构造并不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，本文中他们可以做出多种变化、替换以及改变。