层叠共模滤波器的制作方法

本发明涉及层叠共模滤波器。

背景技术：

日本专利申请公开2012-109326号公报所公开的层叠共模滤波器具备具有包含非磁性材料的非磁性体部和包含磁性材料并且夹着非磁性体部而相对的一对磁性体部的素体、被配置于非磁性体部并且在一对磁性体部相对的第一方向上进行相对的第一以及第二线圈、被配置于素体并且被连接于地线的第一以及第二导体。第一以及第二线圈在第一方向上位于第一导体与第二导体之间。在上述层叠共模滤波器中，在第一线圈与第二导体之间以及在第二线圈与第二导体之间产生寄生电容。因此，相对于共模噪声的衰减量的频率特性中的衰减峰(衰减极)向高频侧偏移(shift)并且其深度大。

日本专利申请公开2012-109326号公报所记载的层叠共模滤波器中，因为第一以及第二导体从第一方向看是连片实体(solid)状或者环状，所以会有产生以下那样的问题的担忧。

第一以及第二导体为连片实体状，并且在从第一方向看的时候第一以及第二线圈的内侧区域被第一以及第二导体覆盖。在此情况下，因为由第一以及第二线圈产生的磁通被第一以及第二导体阻碍，所以层叠共模滤波器中，电感降低并且共模阻抗降低。

在第一以及第二导体为环状的情况下，如果由第一以及第二线圈产生的磁通通过第一以及第二导体的话，则在第一以及第二导体产生反电动势。因此，在第一以及第二导体，在抵消由第一以及第二线圈产生的磁通的方向上产生磁通。因此，即使在此情况下，层叠共模滤波器中，电感也降低并且共模阻抗也降低。

如果共模阻抗降低的话，则得到所希望的衰减特性的频带变窄。

技术实现要素：

本发明的一个方式的目的在于，提供一种相对于共模噪声的衰减量的频率特性中的衰减峰向高频侧偏移并且该衰减峰的深度大且共模阻抗的降低被抑制的层叠共模滤波器。

本发明的一个方式所涉及的层叠共模滤波器，具备：素体，具有包含非磁性材料的非磁性体部和包含磁性材料并且夹着非磁性体部而相对的一对磁性体部；第一端子电极、第二端子电极、第三端子电极、第四端子电极、第一接地用端子电极以及第二接地用端子电极，被配置于素体；第一线圈，被配置于非磁性体部并且被电连接于第一端子电极和第三端子电极；第二线圈，被配置于非磁性体部并且被电连接于第二端子电极和第四端子电极；第一以及第二导体，被配置于非磁性体部并且被电连接于第一接地用端子电极和第二接地用端子电极。第二线圈在一对磁性体部相对的第一方向上与第一线圈相对。第一以及第二导体呈现以线状延伸的形状。第一以及第二线圈在第一方向上位于第一导体与第二导体之间。第一导体在第一方向上与第一线圈相邻并且在从第一方向看的时候与第一线圈的一部分相重叠。第二导体在第一方向上与第二线圈相邻并且在从第一方向看的时候与第二线圈的一部分相重叠。第一以及第二线圈的内侧区域包含在从第一方向看的时候与第一以及第二导体不重叠的区域。

在上述一个方式所涉及的层叠共模滤波器中，在第一方向上与第一线圈相邻的第一导体在从第一方向看的时候与第一线圈的一部分相重叠。因此，在第一导体与第一线圈之间产生寄生电容。在第一方向上与第二线圈相邻的第二导体在从第一方向看的时候与第二线圈的一部分相重叠。因此，在第二导体与第二线圈之间产生寄生电容。因此，上述一个方式所涉及的层叠共模滤波器中，相对于共模噪声的衰减量的频率特性中的衰减峰(衰减极)向高频侧偏移并且其深度大。

第一导体和第二导体呈现以线状延伸的形状。因此，即使是在由第一以及第二线圈产生的磁通通过第一以及第二导体的情况下，也难以在第一以及第二导体上产生反电动势。第一以及第二线圈的内侧区域因为在从相对方向看的时候包含与第一以及第二导体不重叠的区域，所以由第一以及第二线圈产生的磁通难以被第一以及第二导体阻碍。由此，上述一个方式所涉及的层叠共模滤波器中，能够抑制共模阻抗的降低。

在上述一个方式所涉及的层叠共模滤波器中，第一以及第二导体也可以呈以直线状进行延伸的形状。在本方式的层叠共模滤波器中，与第一以及第二导体为以直线状延伸的形状以外的形状(例如，以蜿蜒状进行延伸的形状或者曲柄(crank)形状等)的层叠共模滤波器相比，第一以及第二导体的寄生电感小。其结果，衰减峰的深度进一步变大。

在上述一个方式所涉及的层叠共模滤波器中，第一以及第二导体的宽度也可以小于第一以及第二线圈的内侧区域的宽度。在本方式的层叠共模滤波器中，即使是在第一以及第二导体在从第一方向看的时候与第一以及第二线圈的内侧区域相重叠的情况下，第一以及第二线圈的内侧区域也可靠地包含在从第一方向看的时候与第一以及第二导体不重叠的区域。

在上述一个方式所涉及的层叠共模滤波器中，第一以及第二导体也可以分别具有被连接于第一接地用端子电极的第一导体部分、被连接于第二接地用端子电极的第二导体部分、连接第一导体部分以及第二导体部分的第三导体部分。在此情况下，第三导体部分的宽度大于第一以及第二导体部分的宽度。第一导体部分与第三导体部分的边界、第二导体部分与第三导体部分的边界在从第一方向看的时候与第一以及第二线圈相重叠。

第一导体部分的露出于非磁性体部的表面的端全体因为有必要被第一接地用端子电极覆盖，所以第一导体部分的宽度有必要被设定成小于第一接地用端子电极的宽度。第二导体部分的露出于非磁性体部的表面的端全体因为有必要被第二接地用端子电极覆盖，所以第二导体部分的宽度有必要被设定成小于第二接地用端子电极的宽度。

第一导体的宽度越大，则在第一导体与第一线圈之间产生的寄生电容中的残留电感越是变小。第二导体的宽度越大，则在第二导体与第二线圈之间产生的寄生电容中的残留电感越是变小。残留电感越小，则上述衰减峰的深度变得越大。在第一导体部分与第三导体部分的边界、第二导体部分与第三导体部分的边界在从第一方向看的时候与第一以及第二线圈相重叠的情况下，第三导体部分在从第一方向看的时候可靠地与第一以及第二线圈相重叠。

由此，第三导体部分的宽度大于第一以及第二导体部分的宽度，即，第一以及第二导体部分的宽度小于第三导体部分的宽度的情况下，第一导体部分与第一接地用端子电极的连接性以及第二导体部分与第二接地用端子电极的连接性被确保并且衰减峰的深度大。

在第一导体部分与第三导体部分的边界、第二导体部分与第三导体部分的边界在从第一方向看的时候与第一以及第二线圈相重叠的情况下，即使是在第一线圈和第一导体产生位置偏移的情况下，在第一导体与第一线圈之间产生的寄生电容也难以发生偏差。同样，即使是在第二线圈和第二导体产生位置偏移的情况下，在第二导体与第二线圈之间产生的寄生电容也难以发生偏差。因此，层叠共模滤波器的特性的偏差被抑制。

第一线圈也可以具有被互相电连接的旋涡状的第一以及第二线圈导体，第二线圈也可以具有被互相电连接的旋涡状的第三以及第四线圈导体。在此情况下，第一线圈导体和第三线圈导体在第一方向上互相相邻，第二线圈导体和第四线圈导体在第一方向上互相相邻。第三线圈导体在第一方向上位于第一线圈导体与第二线圈导体之间。在本方式的层叠共模滤波器中，第一线圈和第二线圈的磁耦合强。

上述一个方式所涉及的层叠共模滤波器也可以进一步具备被配置于素体内并且彼此分开的第一以及第二放电电极。在此情况下，第一以及第二放电电极中的任意一方被电连接于第一接地用端子电极和第二接地用端子电极。本方式的层叠共模滤波器具有吸收ESD(Electro-Static Discharge(静电放电))的ESD吸收功能。

本发明通过以下给出的详细说明和参照附图将会变得更加清楚，但是，这些说明和附图仅仅是为了说明本发明而举出的例子，不能被认为是对本发明的限定。

以下给出的详细说明将会更加清楚地表述本发明的应用范围。但是，这些详细说明和特殊实例、以及优选实施方案，只是为了举例说明而举出的，本领域的技术人员显然能够理解本发明的各种变化和修改都在本发明的宗旨和范围内。

附图说明

图1是表示一个实施方式所涉及的层叠共模滤波器的立体图。

图2是表示素体的结构的分解立体图。

图3是用于说明素体的包含第一接地用端子电极以及第二接地用端子电极的截面结构的图。

图4是用于说明素体的包含第一间隙部以及第三间隙部的截面结构的图。

图5是用于说明素体的包含第二间隙部以及第四间隙部的截面结构的图。

图6A是表示第一线圈导体的平面图，图6B是表示第二线圈导体的平面图。

图7A是表示第三线圈导体的平面图，图7B是表示第四线圈导体的平面图。

图8是表示第一导体的平面图。

图9是表示第二导体的平面图。

图10是表示包含第一间隙部、第二间隙部、第三间隙部以及第四间隙部的部分的结构的分解立体图。

图11是表示共模阻抗的频率特性的图表。

图12是表示相对于共模噪声的衰减量的频率特性的图表。

图13是用于说明第一导体的变形例的图。

图14是用于说明第二导体的变形例的图。

具体实施方式

以下，参照附图，对本发明的实施方式进行详细的说明。还有，在说明中，在相同要素或者具有相同功能的要素上使用相同符号，省略重复的说明。

参照图1～图5来说明本实施方式所涉及的层叠共模滤波器CF的结构。图1是表示本实施方式所涉及的层叠共模滤波器的立体图。图2是表示素体的结构的分解立体图。图3是用于说明素体的包含第一以及第二接地用端子电极的截面结构的示意图。图4是用于说明素体的包含第一以及第三间隙部的截面结构的示意图。图5是用于说明素体的包含第二以及第四间隙部的截面结构的示意图。

层叠共模滤波器CF如图1～图5所示具备素体1、第一端子电极11、第二端子电极12、第三端子电极13、第四端子电极14、第一接地用端子电极15、以及第二接地用端子电极16。第一端子电极11、第二端子电极12、第三端子电极13、第四端子电极14、第一接地用端子电极15、以及第二接地用端子电极16被配置于素体1的外表面。层叠共模滤波器CF被安装于电子设备(例如电路基板或者电子部件等)。第一端子电极11、第二端子电极12、第三端子电极13、第四端子电极14分别被连接于信号线。第一接地用端子电极15以及第二接地用端子电极16分别被连接于地线(ground)。

素体1呈现长方体形状。素体1具有作为其外表面的互相相对的长方形状的第一主面1a以及第二主面1b、互相相对的第一侧面1c以及第二侧面1d、互相相对的第三侧面1e以及第四侧面1f。素体1的长边方向为第三侧面1e与第四侧面1f相对的方向。素体1的宽度方向为第一侧面1c与第二侧面1d相对的方向。素体1的高度方向为第一主面1a与第二主面1b相对的方向。长方体形状包括角部以及棱线部被倒角的长方体的形状、以及角部以及棱线部被弄圆的长方体的形状。

第一侧面1c以及第二侧面1d以连结第一主面1a和第二主面1b的形式在素体1的高度方向上进行延伸。第一侧面1c以及第二侧面1d也在素体1的高度方向(第一主面1a以及第二主面1b的长边方向)上进行延伸。第三侧面1e以及第四侧面1f以连结第一主面1a和第二主面1b的形式在素体1的高度方向上进行延伸。第三侧面1e以及第四侧面1f也在素体1的宽度方向(第一主面1a以及第二主面1b的短边方向)上进行延伸。

素体1具有三个非磁性体部3A,3B,3C、以在素体1的高度方向上夹着各个非磁性体部3A,3B,3C的形式进行配置的四个磁性体部5A,5B,5C,5D。三个非磁性体部3A,3B,3C和四个磁性体部5A,5B,5C,5D在素体1的高度方向上按磁性体部5C、非磁性体部3B、磁性体部5A、非磁性体部3A、磁性体部5B、非磁性体部3C、磁性体部5D的顺序进行配置。一对磁性体部5A,5B夹着非磁性体部3A而相对。一对磁性体部5A,5C夹着非磁性体部3B而相对。一对磁性体部5B,5D夹着非磁性体部3C而相对。素体1由被层叠的多层绝缘体层构成。

在各个非磁性体部3A,3B,3C中，层叠作为绝缘体层的多层非磁性体层4。各个非磁性体部3A,3B,3C由被层叠的多层非磁性体层4构成。在各个磁性体部5A,5B,5C,5D中，层叠作为绝缘体层的多层磁性体层6。各个磁性体部5A,5B,5C,5D由被层叠的多层磁性体层6构成。多层绝缘体层包括多层非磁性体层4以及多层磁性体层6。在图2中，为了结构的明确化，省略了多层非磁性体层4中的几个非磁性体层4的图示，并且省略了多层磁性体层6中的几个磁性体层6的图示。

各个非磁性体层4由例如含有非磁性材料(Cu-Zn类铁氧体材料、电介质材料、或者玻璃陶瓷材料等)的陶瓷生片的烧结体所构成。各个磁性体层6由例如含有磁性材料(Ni-Cu-Zn类铁氧体材料、Ni-Cu-Zn-Mg类铁氧体材料、或者Ni-Cu类铁氧体材料等)的陶瓷生片的烧结体所构成。

在实际的素体1中，各个非磁性体层4以及各个磁性体层6被一体化为不能够目视确认层间的边界的程度。素体1的高度方向、即第一主面1a与第二主面1b进行相对的方向与多层绝缘体层、即多层非磁性体层4以及磁性体层6分别被层叠的方向(以下，单单称之为“层叠方向”)相一致。一对磁性体部5A,5B相对的方向也与层叠方向相一致。

第一端子电极11以及第三端子电极13被配置于素体1的第一侧面1c。第一端子电极11以及第三端子电极13以第一侧面1c的一部分沿着素体1的高度方向被覆盖的形式被形成并且被形成于第一主面1a的一部分和第二主面1b的一部分。第一端子电极11位于靠近第三侧面1e的位置，第三端子电极12位于靠近第四侧面1f的位置。

第二端子电极12以及第四端子电极14被配置于素体1的第二侧面1d。第二端子电极12以及第四端子电极14以第二侧面1d的一部分沿着素体1的高度方向被覆盖的形式被形成并且被形成于第一主面1a的一部分和第二主面1b的一部分。第二端子电极12位于靠近第三侧面1e的位置，第四端子电极14位于靠近第四侧面1f的位置。

第一接地用端子电极15被配置于素体1的第三侧面1e。第一接地用端子电极15以第三侧面1e的一部分沿着素体1的高度方向被覆盖的形式被形成并且被形成于第一主面1a的一部分和第二主面1b的一部分。第二接地用端子电极16被配置于素体1的第四侧面1f。第二接地用端子电极16以第四侧面1f的一部分沿着素体1的高度方向被覆盖的形式被形成并且被形成于第一主面1a的一部分和第二主面1b的一部分。

各个端子电极11～16包含导电材料(例如Ag或者Pd等)。各个端子电极11～16作为包含导电性材料(例如Ag粉末或者Pd粉末等)的导电性膏体的烧结体来构成。在各个端子电极11～16的表面上形成镀层。镀层例如由电镀形成。镀层具有由镀Cu层、镀Ni层以及镀Sn层构成的层结构或者由镀Ni层以及镀Sn层构成的层结构等。

层叠共模滤波器CF如图2～图5所示在非磁性体部3A具备第一线圈导体21、第二线圈导体22、第三线圈导体23、第四线圈导体24、第一连接导体31、第二连接导体32、第三连接导体33、第四连接导体34、第一导体25、第二导体28。各个导体21～24,31～34以及各个导体25,28包含导电材料(例如Ag或者Pd等)。各个导体21～24,31～34以及各个导体25,28作为包含导电性材料(例如Ag粉末或者Pd粉末等)的导电性膏体的烧结体来构成。

第一线圈导体21也如图6(A)所示是旋涡状，且被配置于在层叠方向上相邻的一对非磁性体层4之间。第一线圈导体21的一端部(外侧端部)21a被连接于位于与第一线圈导体21相同层的第一连接导体31。第一连接导体31其端部露出于第一侧面1c。第一连接导体31在露出于第一侧面1c的端部被连接于第一端子电极11。第一线圈导体21的另一端部(内侧端部)21b被连接于位于与第一线圈导体21相同层的垫片(pad)导体41。在本实施方式中，第一线圈导体21、第一连接导体31以及垫片导体41被一体地形成。

第二线圈导体22也如图6(B)所示是旋涡状，且被配置于在层叠方向上相邻的一对非磁性体层4之间。第二线圈导体22的一端部(外侧端部)22a被连接于位于与第二线圈导体22相同层的第二连接导体32。第二连接导体32其端部露出于第二侧面1d。第二连接导体32在露出于第二侧面1d的端部被连接于第二端子电极12。第二线圈导体22的另一端部(内侧端部)22b被连接于位于与第二线圈导体22相同层的垫片导体42。在本实施方式中，第二线圈导体22、第二连接导体32以及垫片导体42被一体地形成。

第三线圈导体23也如图7(A)所示是旋涡状，且被配置于在层叠方向上相邻的一对非磁性体层4之间。第三线圈导体23的一端部(外侧端部)23a被连接于位于与第三线圈导体23相同层的第三连接导体33。第三连接导体33其端部露出于第一侧面1c。第三连接导体33在露出于第一侧面1c的端部被连接于第三端子电极13。第三线圈导体23的另一端部(内侧端部)23b被连接于位于与第三线圈导体23相同层的垫片导体43。在本实施方式中，第三线圈导体23、第三连接导体33以及垫片导体43被一体地形成。

第四线圈导体24也如图7(B)所示是旋涡状，且被配置于在层叠方向上相邻的一对非磁性体层4之间。第四线圈导体24的一端部(外侧端部)24a被连接于位于与第四线圈导体24相同层的第四连接导体34。第四连接导体34其端部露出于第二侧面1d。第四连接导体34在露出于第二侧面1d的端部被连接于第四端子电极14。第四线圈导体24的另一端部(内侧端部)24b被连接于位于与第四线圈导体24相同层的垫片导体44。在本实施方式中，第四线圈导体24、第四连接导体34以及垫片导体44被一体地形成。

第一线圈导体21和第三线圈导体23在层叠方向上经由非磁性体层4而互相相邻，第二线圈导体22和第四线圈导体24经由非磁性体层4在层叠方向上互相相邻。在层叠方向上第三线圈导体23位于第一线圈导体21与第二线圈导体22之间。即，第一、第二、第三以及第四线圈导体21,22,23,24在层叠方向上按第一线圈导体21、第三线圈导体23、第二线圈导体22、第四线圈导体24的顺序进行配置。第一、第二、第三以及第四线圈导体21,22,23,24从层叠方向看在相同方向上被卷绕并且互相重叠。

垫片导体41和垫片导体42从层叠方向看互相重叠。位于与第三线圈导体23相同层的垫片导体45被配置于垫片导体41与垫片导体42之间。垫片导体45从层叠方向看与垫片导体41,42互相重叠。垫片导体41和垫片导体45在层叠方向上经由非磁性层4而互相相邻，垫片导体45和垫片导体42在层叠方向上经由非磁性体层4而互相相邻。

垫片导体41、垫片导体45以及垫片导体42分别通过通孔导体51而被连接。通孔导体51贯通位于垫片导体41与垫片导体45之间的非磁性体层4、位于垫片导体45与垫片导体42之间的非磁性体层4。

垫片导体43和垫片导体44从层叠方向看互相重叠。在垫片导体43与垫片导体44之间配置位于与第二线圈导体22相同层的垫片导体46。垫片导体46从层叠方向看与垫片导体43,44互相重叠。垫片导体43和垫片导体46在层叠方向上经由非磁性体层4而互相相邻，垫片导体46和垫片导体44在层叠方向上经由非磁性体层4而互相相邻。

垫片导体43、垫片导体46以及垫片导体44分别通过通孔导体52而被连接。通孔导体52贯通位于垫片导体43与垫片导体46之间的非磁性体层4、位于垫片导体46与垫片导体44之间的非磁性体层4。

第一线圈导体21和第二线圈导体22通过垫片导体41、垫片导体45、垫片导体42以及通孔导体51而被电连接。第一线圈导体21和第二线圈导体22构成第一线圈C1。第三线圈导体23和第四线圈导体24通过垫片导体43、垫片导体46、垫片导体44以及通孔导体52而被电连接。第三线圈导体23和第四线圈导体24构成第二线圈C2。层叠共模滤波器CF在素体1内具备第一线圈C1和第二线圈C2。第一线圈C1和第二线圈C2以第一线圈导体21和第三线圈导体23在层叠方向上互相相邻并且第二线圈导体22和第四线圈导体24在层叠方向上互相相邻而且在层叠方向上第三线圈导体23位于第一线圈导体21与第二线圈导体22之间的形式被配置于非磁性体部3A。

垫片导体41,42,43,44,45,46以及通孔导体51,52含有导电材料(例如Ag或者Pd等)。垫片导体41,42,43,44,45,46以及通孔导体51,52作为含有导电性材料(例如Ag粉末或者Pd粉末等)的导电性膏体的烧结体来构成。通孔导体51,52通过烧结被填充于在用于形成对应的非磁性体层4的陶瓷生片上形成的贯通孔的导电性膏体来形成。

第一导体25和第二导体28被配置于非磁性体部3A。第一线圈C1以及第二线圈C2在层叠方向上位于第一导体25与第二导体28之间。第一导体25在层叠方向上与第一线圈C1(第一线圈导体21)相邻。第一导体25在层叠方向上位于第一线圈C1(第一线圈导体21)与磁性体部5A之间。第二导体28在层叠方向上与第二线圈C2(第四线圈导体24)相邻。第二导体28在层叠方向上位于第二线圈C2(第四线圈导体24)与磁性体部5B之间。

第一导体25也如图8所示具有第一导体部分25a、第二导体部分25b、第三导体部分25c。第一导体25呈以线状进行延伸的形状。在本实施方式中，第一导体25呈以直线状进行延伸的形状。第一导体部分25a、第二导体部分25b以及第三导体部分25c被一体地形成。

第一导体部分25a具有露出于第三侧面1e的一端。第一导体部分25a的一端被连接于第一接地用端子电极15。第二导体部分25b具有露出于第四侧面1f的一端。第二导体部分25b的一端被连接于第二接地用端子电极16。第三导体部分25c连接第一导体部分25a和第二导体部分25b。第三导体部分25c具有被连接于第一导体部分25a的另一端的一端、被连接于第二导体部分25b的另一端的另一端。

第一导体25被连接于第一接地用端子电极15和第二接地用端子电极16。第一接地用端子电极15和第二接地用端子电极16通过第一导体部分25a、第三导体部分25c以及第二导体部分25b而被电连接。

第三导体部分25c的宽度W_25c大于第一导体部分25a的宽度W_25a以及第二导体部分25b的宽度W_25b。在本实施方式中，宽度W_25a与宽度W_25b是同等的。

在本说明书中，所谓宽度，是指在第一侧面1c与第二侧面1d相对的方向(素体1的宽度方向)上的长度。在本说明书中，所为同等，并不一定只意味着数值相一致。即使是在预先设定的范围内的微差或者制造误差等被包含于该值的情况下，也可以作为值是同等的。例如，在多个值包含于该多个值的平均值的±5％的范围内的情况下，该多个值也可以被规定为是同等的。

第一导体25在从层叠方向看的时候与第一线圈C1的一部分、即第一线圈导体21的一部分相重叠。在本实施方式中，第一导体部分25a的另一端侧的区域、第二导体部分25b的另一端侧的区域、第三导体部分25c的一端侧的区域、以及第三导体部分25c的另一端侧的区域在从层叠方向看的时候分别与第一线圈导体21相重叠。

第一导体部分25a与第三导体部分25c的边界、第二导体部分25b与第三导体部分25c的边界在从层叠方向看的时候与第一线圈C1相重叠。详细来说，第一导体部分25a与第三导体部分25c的边界、第二导体部分25b与第三导体部分25c的边界在从层叠方向看的时候位于第一线圈导体21中的旋涡状的导体部分整体性地进行定位的环状的区域内。

第二导体28也如图9所示具有第一导体部分28a、第二导体部分28b、第三导体部分28c。第二导体28呈以线状进行延伸的形状。在本实施方式中，第二导体28呈以直线状进行延伸的形状。第一导体部分28a、第二导体部分28b以及第三导体部分28c被一体地形成。

第一导体部分28a具有露出于第三侧面1e的一端。第一导体部分28a的一端被连接于第一接地用端子电极15。第二导体部分28b具有露出于第四侧面1f的一端。第二导体部分28b的一端被连接于第二接地用端子电极16。第三导体部分28c连接第一导体部分28a和第二导体部分28b。第三导体部分28c具有被连接于第一导体部分28a的另一端的一端、被连接于第二导体部分28b的另一端的另一端。

第二导体28被连接于第一接地用端子电极15和第二接地用端子电极16。第一接地用端子电极15和第二接地用端子电极16通过第一导体部分28a、第三导体部分28c以及第二导体部分28b而被电连接。

第三导体部分28c的宽度W_28c大于第一导体部分28a的宽度W_28a以及第二导体部分28b的宽度W_28b。在本实施方式中，宽度W_28a与宽度W_28b是同等的。宽度W_28a以及宽度W_28b与宽度W_25a以及宽度W_25b是同等的。

第二导体28在从层叠方向看的时候与第二线圈C2的一部分、即第四线圈导体24的一部分相重叠。在本实施方式中，第一导体部分28a的另一端侧的区域、第二导体部分28b的另一端侧的区域、第三导体部分28c的一端侧的区域、以及第三导体部分28c的另一端侧的区域在从层叠方向看的时候分别与第四线圈导体24相重叠。

第一导体部分28a与第三导体部分28c的边界、第二导体部分28b与第三导体部分28c的边界在从层叠方向看的时候与第二线圈C2相重叠。详细来说，第一导体部分28a与第三导体部分28c的边界、第二导体部分28b与第三导体部分28c的边界在从层叠方向看的时候位于第四线圈导体24中的旋涡状的导体部分整体性地进行定位的环状的区域内。

第一线圈C1的内侧区域R1以及第二线圈C2的内侧区域R2在从层叠方向看的时候包含与第一导体25以及第二导体28不重叠的区域。第一导体25的第三导体部分25c和第二导体28的第三导体部分28c从层叠方向看与各个内侧区域R1,R2相重叠。第三导体部分25c的宽度W_25c以及第三导体部分28c的宽度W_28c小于各个内侧区域R1,R2的宽度W_R1,W_R2。各个内侧区域R1,R2在从层叠方向看的时候在第一侧面1c与第二侧面1d相对的方向上的各个第三导体部分25c,28c的两侧包含与第一导体25(第三导体部分25c)以及第二导体28(第三导体部分28c)不重叠的区域。

内侧区域R1也如图6所示从层叠方向看是位于第一线圈导体21以及第二线圈导体22中的旋涡状的各个导体部分的内侧的区域。内侧区域R2也如图7所示从层叠方向看是位于第三线圈导体23以及第四线圈导体24中的旋涡状的各个导体部分的内侧的区域。

第一导体25和第一线圈C1(第一线圈导体21)重叠的面积与第二导体28和第二线圈C2(第四线圈导体24)重叠的面积是同等的。

第一导体25以及第二导体28的各个厚度TH1小于第一线圈导体21、第二线圈导体22、第三线圈导体23以及第四线圈导体24的各厚度TH2。第一线圈导体21、第二线圈导体22、第三线圈导体23以及第四线圈导体24的各厚度TH2例如是9～11μm。各个导体25,28的厚度TH1例如是4～6μm。

层叠共模滤波器CF也如图4、图5以及图10所示具备放电电极60,62,64,66,68以及放电诱发部70～73。一对放电电极60,68和放电诱发部70作为具有ESD吸收性能的ESD抑制器(suppressor)来发挥功能。一对放电电极62,68和放电诱发部71作为具有ESD吸收性能的ESD抑制器来发挥功能。一对放电电极64,68和放电诱发部72作为具有ESD吸收性能的ESD抑制器来发挥功能。一对放电电极66,68和放电诱发部73作为具有ESD吸收性能的ESD抑制器来发挥功能。各个ESD抑制器被配置于非磁性体部3B。

放电电极60被配置于素体1的长边方向上的比第四侧面1f更接近于第三侧面1e并且素体1的宽度方向上的比第二侧面1d更接近于第一侧面1c的位置。放电电极60具有第一连接部60a以及第一相对部60b。第一连接部60a和第一相对部60b被配置于互相不同的非磁性体层4。

第一连接部60a沿着素体1的宽度方向进行延伸。第一连接部60a的一端60c露出于素体1的第一侧面1c，并且被连接于第一端子电极11。第一相对部60b沿着素体1的长边方向进行延伸。第一相对部60b的一端60d通过通孔导体61而被电连接于第一连接部60a的另一端60e。第一相对部60b通过通孔导体61以及第一连接部60a而被电连接于第一端子电极11。

放电电极62被配置于素体1的长边方向上的比第三侧面1e更接近于第四侧面1f并且素体1的宽度方向上的比第二侧面1d更接近于第一侧面1c的位置。放电电极62具有第一连接部62a以及第一相对部62b。第一连接部62a被配置于配置有第一连接部60a的非磁性体层4。第一相对部62b被配置于配置有第一相对部60b的非磁性体层4。第一连接部62a和第一相对部62b被配置于互相不同的非磁性体层4。

第一连接部62a沿着素体1的宽度方向进行延伸。第一连接部62a的一端62c露出于素体1的第一侧面1c，并且被连接于第三端子电极13。第一相对部62b沿着素体1的长边方向进行延伸。第一相对部62b的一端62d通过通孔导体63而被电连接于第一连接部62a的另一端62e。第一相对部62b通过通孔导体63以及第一连接部62a而被电连接于第三端子电极13。

放电电极64被配置于素体1的长边方向上的比第四侧面1f更接近于第三侧面1e并且素体1的宽度方向上的比第一侧面1c更接近于第二侧面1d的位置。放电电极64具有第一连接部64a以及第一相对部64b。第一连接部64a被配置于配置有第一连接部60a,62a的非磁性体层4。第一相对部64b被配置于配置有第一相对部60b,62b的非磁性体层4。第一连接部64a和第一相对部64b被配置于互相不同的非磁性体层4。

第一连接部64a沿着素体1的宽度方向进行延伸。第一连接部64a的一端64c露出于素体1的第二侧面1d，并且被连接于第二端子电极12。第一相对部64b沿着素体1的长边方向进行延伸。第一相对部64b的一端64d通过通孔导体65而被电连接于第一连接部64a的另一端64e。第一相对部64b通过通孔导体65以及第一连接部64a而被电连接于第二端子电极12。

放电电极66被配置于素体1的长边方向上的比第三侧面1e更接近于第四侧面1f并且素体1的宽度方向上的比第一侧面1c更接近于第二侧面1d的位置。放电电极66具有第一连接部66a以及第一相对部66b。第一连接部66a被配置于配置有第一连接部60a,62a,64a的非磁性体层4。第一相对部66b被配置于配置有第一相对部60b,62b,64b的非磁性体层4。第一连接部66a和第一相对部66b被配置于互相不同的非磁性体层4。

第一连接部66a沿着素体1的宽度方向进行延伸。第一连接部66a的一端66c露出于素体1的第二侧面1d，并且被连接于第四端子电极14。第一相对部66b沿着素体1的长边方向进行延伸。第一相对部66b的一端66d通过通孔导体67而被电连接于第一连接部66a的另一端66e。第一相对部66b通过通孔导体67以及第一连接部66a而被电连接于第四端子电极14。

放电电极68具有第二连接部68a、第二相对部68b以及第二相对部68c。第二连接部68a被配置于配置有第一连接部60a,62a,64a,66a的非磁性体层4。第二相对部68b,68c被配置于配置有第一相对部60b,62b,64b,66b的非磁性体层4。第二连接部68a和第一相对部68b,68c被配置于互相不同的非磁性体层4。

第二连接部68a被配置于素体1的宽度方向上的大致中央的位置。第二连接部68a在素体1的长度方向上进行延伸。第二连接部68a的一端68e露出于素体1的第三侧面1e，并且被连接于第一接地用端子电极15。第二连接部68a的另一端68f露出于素体1的第四侧面1f，并且被连接于第二接地用端子电极16。

第二相对部68b和第二相对部68c从层叠方向看在素体1的宽度方向上分开。第二相对部68b,68c在素体1的长边方向上进行延伸。第二相对部68b和第二相对部68c通过连接部68d而被电连接。连接部68d的一端被连接于第二相对部68b上的在素体1的长边方向上的大致中央。连接部68d的另一端被连接于第二相对部68c上的在素体1的长边方向上的大致中央。第二相对部68b,68c和连接部68d被一体地形成。连接部68d在素体1的宽度方向上进行延伸。

连接部68d通过通孔导体69而被电连接于第二连接部68a。第二相对部68b,68c通过连接部68d、通孔导体69以及第二连接部68a而被电连接于第一接地用端子电极15以及第二接地用端子电极16。第二连接部68a作为电连接第一接地用端子电极15和第二接地用端子电极16的导体层来发挥功能。

第二相对部68b在素体1的宽度方向上与第一相对部60b,62b相对。第二相对部68b和第一相对部60b,62b在素体1的宽度方向上分开。第一相对部60b,62b和第二相对部68b具有厚度。因此，第一相对部60b,62b的侧面与第二相对部68b的侧面相对。

第一间隙部GP1被形成于第一相对部60b与第二相对部68b之间(参照图4)。第二间隙部GP2被形成于第一相对部62b与第二相对部68b之间(参照图5)。如果将规定以上的电压施加于第一接地用端子电极15以及第二接地用端子电极16与第一端子电极11之间的话，则在第一间隙部GP1上发生放电。如果将规定以上的电压施加于第三端子电极13与第一接地用端子电极15以及第二接地用端子电极16之间的话，则在第二间隙部GP2上发生放电。各个间隙部GP1,GP2的宽度以获得所希望的放电特性的形式被设定为规定的值。

第二相对部68c在素体1的宽度方向上与第一相对部64b,66b相对。第二相对部68c和第一相对部64b,66b在素体1的宽度方向上分开。第一相对部64b,66b和第二相对部68c具有厚度。因此，第一相对部64b,66b的侧面与第二相对部68c的侧面相对。

第三间隙部GP3被形成于第一相对部64b与第二相对部68c之间(参照图4)。第四间隙部GP4被形成于第一相对部66b与第二相对部68c之间(参照图5)。如果将规定以上的电压施加于第一接地用端子电极15以及第二接地用端子电极16与第二端子电极12之间的话，则在第三间隙部GP3上发生放电。如果将规定以上的电压施加于第四端子电极14与第一接地用端子电极15以及第二接地用端子电极16之间的话，则在第四间隙部GP4上发生放电。各个间隙部GP3,GP4的宽度以获得所希望的放电特性的形式被设定为规定的值。

放电电极60,62,64,66,68、以及通孔导体61,63,65,67,69包含导电材料(例如Ag、Pd、Au、Pt、Cu、Ni、Al、Mo、或者W等)。各个放电电极60,62,64,66,68以及各个通孔导体61,63,65,67,69作为包含导电性材料(例如Ag粉末、Pd粉末、Au粉末、Pt粉末、Cu粉末、Ni粉末、Al粉末、Mo粉末、或者W粉末等)的导电性膏体的烧结体来构成。通孔导体61,63,65,67,69通过烧结被填充于在用于形成对应的非磁性体层4的陶瓷生片上形成的贯通孔的导电性膏体来形成。

放电诱发部70以第一相对部60b和第二相对部68b被连接的形式与第一相对部60b和第二相对部68b相接。放电诱发部70具有容易发生在第一间隙部GP1上的放电的功能。放电诱发部71以第一相对部62b和第二相对部68b被连接的形式与第一相对部62b和第二相对部68b相接。放电诱发部71具有容易发生在第二间隙部GP2上的放电的功能。

放电诱发部72以第一相对部64b和第二相对部68c被连接的形式与第一相对部64b和第二相对部68c相接。放电诱发部72具有容易发生在第三间隙部GP3上的放电的功能。放电诱发部73以第一相对部66b和第二相对部68c被连接的形式与第一相对部66b和第二相对部68c相接。放电诱发部73具有容易发生在第四间隙部GP4上的放电的功能。

放电诱发部70～73包含选自Fe₂O₃、NiO、CuO、ZnO、MgO、SiO₂、TiO₂、Mn₂O₃、SrO、CaO、BaO、SnO₂、K₂O、Al₂O₃、ZrO₂以及B₂O₃中的至少一种材料来构成。放电诱发部70～73也可以包含选自上述组的2种以上的材料来构成。在放电诱发部70～73中含有Ag、Pd、Au、Pt、Ag/Pd合金、Ag/Cu合金、Ag/Au合金、或者Ag/Pt合金等金属粒子。在放电诱发部70～73中也可以含有RuO₂等半导体粒子。在放电诱发部70～73中也可以含有玻璃或者氧化锡(SnO或者SnO₂)。

素体1具有空洞部74～77(参照图4以及图5)。

划分空洞部74的面包括第一相对部60b和第二相对部68b以及放电诱发部70(从第一相对部60b以及第二相对部68b露出的部分)的各个表面、与该各个表面相对的面。空洞部74与第一相对部60b以及第二相对部68b、放电诱发部70(从第一相对部60b以及第二相对部68b露出的部分)相接。空洞部74具有吸收在放电时的第一相对部60b、第二相对部68b、非磁性体层4以及放电诱发部70的热膨胀的功能。

划分空洞部75的面包括第一相对部62b和第二相对部68b以及放电诱发部71(从第一相对部62b以及第二相对部68b露出的部分)的各个表面、与该各个表面相对的面。空洞部75与第一相对部62b以及第二相对部68b、放电诱发部71(从第一相对部62b以及第二相对部68b露出的部分)相接。空洞部75具有吸收在放电时的第一相对部62b、第二相对部68b、非磁性体层4以及放电诱发部71的热膨胀的功能。

划分空洞部76的面包括第一相对部64b和第二相对部68c以及放电诱发部72(从第一相对部64b以及第二相对部68c露出的部分)的各个表面、与该各个表面相对的面。空洞部76与第一相对部64b以及第二相对部68c、放电诱发部72(从第一相对部64b以及第二相对部68c露出的部分)相接。空洞部76具有吸收在放电时的第一相对部64b、第二相对部68c、非磁性体层4以及放电诱发部72的热膨胀的功能。

划分空洞部77的面包括第一相对部66b和第二相对部68c以及放电诱发部73(从第一相对部66b以及第二相对部68c露出的部分)的各个表面、与该各个表面相对的面。空洞部77与第一相对部66b以及第二相对部68c、放电诱发部77(从第一相对部66b以及第二相对部68c露出的部分)相接。空洞部77具有吸收在放电时的第一相对部66b、第二相对部68c、非磁性体层4以及放电诱发部73的热膨胀的功能。

在非磁性体部3C，与配置有第一线圈C1和第二线圈C2的非磁性体部3A以及配置有ESD抑制器的非磁性体部3B不同，不配置导体等。非磁性体部3C在3个非磁性体部3A,3B,3C的关系中夹着非磁性体部3A而位于与非磁性体部3B相反侧。非磁性体部3C缓和在烧成的时候发生于素体1的内部应力。

如以上所述，在本实施方式中，第一导体25和第二导体28被连接于第一接地用端子电极15和第二接地用端子电极16。第一导体25以及第二导体28通过第一接地用端子电极15以及第二接地用端子电极16而被连接于地线。

在层叠方向(一对磁性体部5A,5B相对的方向)上与第一线圈C1(第一线圈导体21)相邻的第一导体25在从层叠方向看的时候与第一线圈C1(第一线圈导体21)的一部分相重叠。因此，在第一导体25与第一线圈C1之间产生寄生电容。在层叠方向上与第二线圈C2(第四线圈导体24)相邻的第二导体28在从层叠方向看的时候与第二线圈C2(第四线圈导体24)的一部分相重叠。因此，在第二导体28与第二线圈C2之间产生寄生电容。因此，在层叠共模滤波器CF中，相对于共模噪声的衰减量的频率特性中的衰减峰(衰减极)向高频侧偏移并且其深度大。

第一导体25和第二导体28呈以线状进行延伸的形状。因此，即使是在由第一线圈C1以及第二线圈C2产生的磁通通过第一导体25以及第二导体28的情况下，也难以在第一导体25以及第二导体28上产生反电动势。第一线圈C1以及第二线圈C2的各个内侧区域R1,R2因为在从层叠方向看的时候包含与第一导体25和第二导体28不重叠的区域，所以由第一线圈C1以及第二线圈C2产生的磁通难以被第一导体25和第二导体28阻碍。由此，层叠共模滤波器CF能够抑制共模阻抗的降低。

在本实施方式中，第一导体25和第二导体28呈以直线状进行延伸的形状。由此，与第一导体25以及第二导体28为以直线状进行延伸的形状以外的形状(例如，以蜿蜒状延伸的形状或者曲柄形状等)的层叠共模滤波器相比，在层叠共模滤波器CF中，第一导体25以及第二导体28的寄生电感小。其结果，衰减峰的深度更进一步变大。

在本实施方式中，第一导体25以及第二导体28的各个宽度W_25a,W_25b,W_25c,W_28a,W_28b,W_28c小于第一线圈C1以及第二线圈C2的各个内侧区域R1,R2的宽度W_R1,W_R2。由此，在从层叠方向看的时候第一导体25以及第二导体28与第一线圈C1以及第二线圈C2的各个内侧区域R1,R2相重叠，即使是在该情况下，第一线圈C1以及第二线圈C2的各个内侧区域R1,R2也可靠地包含在从层叠方向看的时候与第一导体25以及第二导体28不重叠的区域。

在本实施方式中，第一导体25具有第一导体部分25a、第二导体部分25b、第三导体部分25c，第二导体28具有第一导体部分28a、第二导体部分28b、第三导体部分28c。第三导体部分25c,28c的宽度W_25c,W_28c大于第一导体部分25a,28a的宽度W_25a,W_28a以及第二导体部分25b,28b的宽度W_25b,W_28b。第一导体部分25a与第三导体部分25c的边界以及第二导体部分25b与第三导体部分25c的边界在从层叠方向看的时候与第一线圈C1以及第二线圈C2相重叠。第一导体部分28a与第三导体部分28c的边界以及第二导体部分25b,28b与第三导体部分25c,28c的边界在从层叠方向看的时候也与第一线圈C1以及第二线圈C2相重叠。

第一导体部分25a,28a的一端露出于非磁性体部3A的表面(第一侧面1c)，并且被连接于第一接地用端子电极15。因此，第一导体部分25a,28a的一端有必要被第一接地用端子电极15覆盖，宽度W_25a,W_28a有必要被设定成小于第一接地用端子电极15的宽度。

第二导体部分25b,28b的一端露出于非磁性体部3A的表面(第二侧面1d)，并且被连接于第二接地用端子电极16。因此，第二导体部分25b,28b的一端有必要被第二接地用端子电极16覆盖，宽度W_25b,W_28b有必要被设定成小于第二接地用端子电极16的宽度。

第一导体25的宽度越大，则在第一导体25与第一线圈C1之间产生的寄生电容中的残留电感越是变小。第二导体28的宽度越大，则在第二导体28与第二线圈C2之间产生的寄生电容中的残留电感越是变小。如果残留电感变小的话，则上述衰减峰的深度变大。

在第一导体部分25a与第三导体部分25c的边界、第二导体部分25b与第三导体部分25c的边界在从层叠方向看的时候与第一线圈C1相重叠的情况下，宽度大于第一导体部分25a以及第二导体25b的第三导体部分25c在从层叠方向看的时候可靠地与第一线圈C1相重叠。第一导体部分28a与第三导体部分28c的边界、第二导体部分28b与第三导体部分28c的边界在从层叠方向看的时候与第二线圈C2相重叠，在此情况下，宽度大于第一导体部分28a以及第二导体28b的第三导体部分28c在从层叠方向看的时候可靠地与第二线圈C2相重叠。

宽度W_25c,W_28c大于宽度W_25a,W_25b,W_28a,W_28b，即，宽度W_25a,W_25b,W_28a,W_28b小于宽度W_25c,W_28c的情况下，第一导体部分25a,28a与第一接地用端子电极15的连接性以及第二导体部分25b,28b与第二接地用端子电极16的连接性被确保并且衰减峰的深度大。

在第一导体部分25a与第三导体部分25c的边界、第二导体部分25b与第三导体部分25c的边界在从层叠方向看的时候与第一线圈C1相重叠的情况下，即使是在位置偏移发生于第一线圈C1和第一导体25的情况下，产生于第一导体25与第一线圈C1之间的寄生电容也难以发生偏差。在上述位置偏移为第三侧面1e和第四侧面1f相对的方向上的位置偏移的情况下，在第一导体25与第一线圈C1之间产生的寄生电容的偏差极其难以发生。

在第一导体部分28a与第三导体部分28c的边界、第二导体部分28b与第三导体部分28c的边界在从层叠方向看的时候与第二线圈C2相重叠的情况下，即使是在位置偏移发生于第二线圈C2和第二导体28的情况下，产生于第二导体28与第二线圈C2之间的寄生电容也难以发生偏差。在上述位置偏移为第三侧面1e和第四侧面1f相对的方向上的位置偏移的情况下，在第二导体28与第二线圈C2之间产生的寄生电容的偏差极其难以发生。

根据以上所述，能够抑制层叠共模滤波器CF的特性的偏差。

第一导体25和第一线圈C1(第一线圈导体21)重叠的面积与第二导体28和第二线圈C2(第四线圈导体24)重叠的面积是同等的。因此，在信号从第一线圈C1的一端、即第一端子电极11输入的情况下和在信号从第一线圈C1的另一端、即第二端子电极12输入的情况下，特性阻抗的变化小。同样，在信号从第二线圈C2的一端、即第四端子电极14输入的情况下和在信号从第二线圈C2的另一端、即第三端子电极13输入的情况下，特性阻抗的变化小。其结果，能够消除在安装层叠共模滤波器CF的时候的方向性。

在本实施方式中，第一线圈C1具有旋涡状的第一线圈导体21以及第二线圈导体22，并且第一线圈导体21和第二线圈导体22被电连接。第二线圈C2具有旋涡状的第三线圈导体23以及第四线圈导体24，并且第三线圈导体23和第四线圈导体24被电连接。第一线圈导体21和第三线圈导体23在层叠方向上互相相邻，第二线圈导体22和第四线圈导体24在层叠方向上互相相邻，第三线圈导体23在层叠方向上位于第一线圈导体21与第二线圈导体22之间。因此，在层叠共模滤波器CF中，第一线圈C1与第二线圈C2的磁耦合强。

在本实施方式中，第一导体25以及第二导体28在层叠方向上不位于第一线圈C1与第二线圈C2之间。因此，第一导体25以及第二导体28不会阻碍第一线圈C1与第二线圈C2的磁耦合。

第一导体25以及第二导体28电连接第一接地用端子电极15和第二接地用端子电极16。在此情况下，第一接地用端子电极15和第二接地用端子电极16因为通过第一导体25以及第二导体28而被电连接，所以在形成第一接地用端子电极15以及第二接地用端子电极16的时候能够实施电镀。

在层叠共模滤波器CF中，放电电极60,62,64,66(第一相对部60b,62b,64b,66b)和放电电极68(第二相对部68b)彼此分开。放电电极68被连接于第一接地用端子电极15以及第二接地用端子电极16。即，放电电极68通过第一接地用端子电极15以及第二接地用端子电极16而被连接于地线。因此，层叠共模滤波器CF具有ESD吸收功能。在层叠共模滤波器CF中，因为谋求到放掉静电的地线与第一导体25以及第二导体28被连接的地线的共通化，所以能够抑制结构的复杂化。

在层叠共模滤波器CF中，因为第一导体25以及第二导体28的各个厚度TH1小于第一线圈导体21、第二线圈导体22、第三线圈导体23以及第四线圈导体24的各个厚度TH2，所以与厚度TH1为厚度TH2以上的层叠共模滤波器相比，在层叠方向上的一对磁性体部5A,5B的间隔小。因此，层叠共模滤波器CF中，能够抑制电感的降低。

进行了对本实施方式的层叠共模滤波器CF和比较例的层叠共模滤波器的共模阻抗的频率特性以及相对于共模噪声的衰减量的频率特性进行比较的试验。对共模阻抗的频率特性进行比较的实验结果被表示于图11中，对衰减量的频率特性进行比较的实验结果被表示于图12。

比较例1的层叠共模滤波器在不具备第一导体25以及第二导体28的方面与层叠共模滤波器CF不同。比较例2的层叠共模滤波器在第一导体25以及第二导体28的形状如专利文献1的图1所公开的那样呈环状的方面与层叠共模滤波器CF不同。比较例3的层叠共模滤波器在第一导体25以及第二导体28的形状如专利文献1的图6所公开的那样为连片实体状的方面与层叠共模滤波器CF不同。比较例1～3的各个层叠共模滤波器和层叠共模滤波器CF关于上述不同点以外的结构是相同的。所谓第一导体25以及第二导体28为连片实体状，是指第一导体25以及第二导体28是不仅覆盖第一线圈C1以及第二线圈C2而且也覆盖第一线圈C1以及第二线圈C2的各个内侧区域R1,R2的形状。

如根据图11所表示的实验结果而能够明了的那样，层叠共模滤波器CF与比较例2以及3的层叠共模滤波器相比，共模阻抗的降低极小。即，在比较例2以及3的层叠共模滤波器中，由于在第一以及第二导体层上产生的反电动势(涡电流)的影响而大幅降低了共模阻抗。在图11中，特性I1表示层叠共模滤波器CF的共膜阻抗的频率特性。特性I2～I4分别表示比较例1～3的共模阻抗的频率特性。

如根据图12所表示的实验结果而能够明了的那样，层叠共模滤波器CF与比较例1的层叠共模滤波器相比，相对于共模噪声的衰减量的频率特性中的衰减峰的深度大，并且衰减峰的位置向高频侧偏移。比较例2以及3的层叠共模滤波器相对于层叠共模滤波器CF具有急剧的衰减特性。即，层叠共模滤波器CF获得所希望的衰减特性的频带比比较例2以及3的层叠共模滤波器宽。在图12中，特性L1表示层叠共模滤波器CF的衰减特性。特性L2～L4分别表示比较例1～3的衰减特性。

以上，对本发明的实施方式进行了说明，但是，本发明并不一定限定于上述实施方式，只要是在不脱离本发明的宗旨的范围内能够进行各种变更。

第一导体25以及第二导体28的形状并不限定于图8以及图9所表示的形状。第一导体25以及第二导体28如图13以及图14所示也可以以在从层叠方向看的时候与第一线圈C1以及第二线圈C2的各个内侧区域R1,R2相重叠的形式呈现沿着第一线圈C1以及第二线圈C2的形状进行弯曲的形状。在此情况下，第一导体25以及第二导体28难以遮蔽由第一线圈C1以及第二线圈C2产生的磁通。因此，能够更进一步抑制层叠共模滤波器CF的阻抗的降低。

宽度W_25c,W_28c如图13以及图14所示也可以与宽度W_25a,W_28a以及宽度W_25b,W_28b同等。

各个内侧区域R1,R2在从层叠方向看的时候在第一侧面1c与第二侧面1d相对的方向上的各个第三导体部分25c,28c的两侧包含与第一导体25以及第二导体28不重叠的区域，但是，并不限定于此。各个内侧区域R1,R2也可以在从层叠方向看的时候仅在第一侧面1c与第二侧面1d相对的方向上的各个第三导体部分25c,28c的一方侧包含与第一导体25以及第二导体28不重叠的区域。

在本实施方式中，第一线圈C1具有旋涡状的第一线圈导体21以及第二线圈导体22，第一线圈导体21和第二线圈导体22被电连接。第二线圈C2具有旋涡状的第三线圈导体23以及第四线圈导体24，第三线圈导体23和第四线圈24被电连接。

第一线圈导体21和第二线圈导体22也可以在层叠方向上互相相邻，第三线圈导体23和第四线圈导体24也可以在层叠方向上互相相邻，第二线圈导体22和第三线圈导体23也可以在层叠方向上互相相邻。第一线圈C1也可以由一个旋涡状的线圈导体构成，第二线圈C2也可以由一个旋涡状的线圈导体构成。

层叠共模滤波器CF也可以不具备放电电极60,62,64,66,68、以及放电诱发部70～73。即，层叠共模滤波器CF也可以不具有ESD吸收性能。