技术总结
本申请涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括能够在独立于单元性能的情况下实现栅极电容的精细调节的沟槽栅极IGBT。在栅极布线引出区域中，多个沟槽在与Y方向正交的X方向上相互隔开地布置。在平面图中每个沟槽具有被矩形外轮廓和矩形内轮廓包围的形状。沟槽栅极电极设置在每个沟槽中，以便电耦合到引出电极。为了在集电极和发射极之间获得足够的击穿电压，将沟槽形成在p型浮置区域中。在平面图中n‑型漂移区域形成在位于沟槽内轮廓的内部的区域中，由此在n‑型漂移区域和沟槽栅极电极之间形成的电容可以被用作反向传输电容。
技术研发人员：松浦仁
受保护的技术使用者：瑞萨电子株式会社
文档号码：201610911950
技术研发日：2016.10.19
技术公布日：2017.05.03