1.一种检测多晶硅栅极刻蚀能力的方法，其特征在于包括：
第一步骤：在晶圆的衬底上生长一层产品上使用的栅极多晶硅层；
第二步骤：将整个晶圆等面积划分为多个区域，其中第一区域中的多晶硅栅极间距为产品上最小的多晶硅栅极间距，其他每个区域中的多晶硅栅极之间的距离分别依次递减预定比例；
第三步骤：将晶圆按照多晶硅栅极的刻蚀工艺完成刻蚀，然后在对刻蚀完的晶圆进行高剂量的离子注入；
第四步骤：对离子注入之后晶圆进行电子束的快速检测以确定有残留的位置。
2.根据权利要求1所述的检测多晶硅栅极刻蚀能力的方法，其特征在于，所述预定比例介于10％至2％之间。
3.根据权利要求1或2所述的检测多晶硅栅极刻蚀能力的方法，其特征在于，所述预定比例是5％。
4.根据权利要求1或2所述的检测多晶硅栅极刻蚀能力的方法，其特征在于，在第二步骤：将整个晶圆等面积划分为自上而下的第一区域、第二区域、第三区域和第四区域。
5.根据权利要求4所述的检测多晶硅栅极刻蚀能力的方法，其特征在于，第一区域中的多晶硅栅极间距为产品上最小的多晶硅栅极间距，第二区域中的多晶硅栅极之间的距离相对于第一区域递减预定比例，第三区域中的多晶硅栅极之间的距离相对于第二区域递减预定比例，第四区域中的多晶硅栅极之间的距离相对于第三区域递减预定比例。
6.根据权利要求1或2所述的检测多晶硅栅极刻蚀能力的方法，其特征在于，在第三步骤中，通过离子注入的能量控制离子注入的预定深度。
7.根据权利要求6所述的检测多晶硅栅极刻蚀能力的方法，其特征在于，离子在多晶硅栅极上的深度为衬底整体高度介于二分之一至四分之一之间。
8.根据权利要求6所述的检测多晶硅栅极刻蚀能力的方法，其特征在于，离子在多晶硅栅极上的深度为衬底整体高度的三分之一。