技术总结
本发明提供了一种检测多晶硅栅极刻蚀能力的方法，包括：第一步骤：在晶圆的衬底上生长一层产品上使用的栅极多晶硅层；第二步骤：将整个晶圆等面积划分为多个区域，其中第一区域中的多晶硅栅极间距为产品上最小的多晶硅栅极间距，其他每个区域中的多晶硅栅极之间的距离分别依次递减预定比例；第三步骤：将晶圆按照多晶硅栅极的刻蚀工艺完成刻蚀，然后在对刻蚀完的晶圆进行高剂量的离子注入；第四步骤：对离子注入之后晶圆进行电子束的快速检测以确定有残留的位置。
技术研发人员：倪棋梁;陈宏璘;龙吟
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
文档号码：201610924433
技术研发日：2016.10.24
技术公布日：2017.02.22