1.一种改善多孔硅纵向物理结构和光学特性均匀性的方法，其特征在于，在制备多孔硅过程中，通过逐渐均匀升高腐蚀液的腐蚀温度，实现以下目的：一方面，在正常的恒电流密度的腐蚀条件下，随腐蚀深度的增加，多孔度变大或折射率变小；另一方面，随着腐蚀液温度的逐渐增加，氢氟酸分子纵向腐蚀硅的能力越大，导致多孔硅纵向多孔度随腐蚀液温度的升高而减少，两种趋势达到动态平衡，从而导致多孔硅多孔度在纵向方向上保持一致。
2.根据权利要求1所述的改善多孔硅纵向物理结构和光学特性均匀性的方法，其特征在于，在腐蚀时间内，腐蚀液的温度增加量为在腐蚀液初始温度基础上增加2-30℃，并匀速升高腐蚀液的温度。