技术总结
本发明公开了一种改善多孔硅纵向物理结构和光学特性均匀性的方法。该方法是在制备多孔硅过程中，一方面，逐渐升高腐蚀液的腐蚀温度，氢氟酸分子纵向腐蚀硅的能力越来越大，从而引起在纵向方向上多孔硅的多孔度随腐蚀深度增加而减少；另一方面，在正常的恒电流密度的腐蚀条件下，随腐蚀深度的增加，多孔度变大或折射率变小。在一定条件下，二者达到动态平衡，使多孔硅薄膜沿纵向方向其多孔度保持一致，增强了多孔硅薄膜内表面的纵向物理结构的均匀性，保证多孔硅薄膜纵向物理结构和光学特性的均匀性。
技术研发人员：龙永福
受保护的技术使用者：湖南文理学院
文档号码：201610946637
技术研发日：2016.10.26
技术公布日：2017.01.04