技术总结
本申请公开一种提高外延晶体质量的LED生长方法，依次包括：处理衬底、生长N型GaN层、周期性生长有缘层、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层，降温冷却。处理衬底进一步为：在蓝宝石衬底表面上溅射A1N薄膜；将溅射好A1N薄膜的蓝宝石衬底放入反应腔，在A1N层上面持续生长SixAl(1‑x)N层。本发明利用SiAlN材料和AlN材料来减少晶格失配产生的位错，降低外延层位错密度，有效提高了外延层晶体质量，从而使得LED产品质量得到提升。
技术研发人员：徐平
受保护的技术使用者：湘能华磊光电股份有限公司
文档号码：201610954965
技术研发日：2016.10.27
技术公布日：2017.02.22