技术总结
一种电路结构，包含多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管结构包括衬底和位于衬底上的由金属氧化物构成、且与栅极叠层相毗邻的有源层；所述有源层部分区域上覆盖有第一调节层；其中第一调节层覆盖下的区域分别形成源区、漏区，非第一调节层覆盖下的区域形成沟道区；所述源区、漏区与沟道区相互连接且分别位于沟道区的两端，沟道区与栅极叠层相毗邻；部分薄膜晶体管整个沟道区上方设有第二调节层，在第二调节层覆盖下的形成耗尽型沟道区，构成耗尽型薄膜晶体管，在非第二调节层覆盖下的形成增强型沟道区，构成增强型薄膜晶体管；电连接耗尽型薄膜晶体管和增强型薄膜晶体管即构成电路。本发明还涉及上述电路结构的制造方法和具有该电路结构的显示器面板。
技术研发人员：陆磊;王文;郭海成
受保护的技术使用者：陆磊;王文;郭海成
文档号码：201610967204
技术研发日：2016.10.28
技术公布日：2017.03.08