一种扩展波长近红外探测器缓冲层的生长方法与流程

技术特征：

1.一种扩展波长近红外探测器缓冲层的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：在第一温度下采用金属有机化学气相沉积工艺或分子束外延工艺在所述InP衬底上生长In_xGa_1-xAs低温层、InAs_yP_1-y低温层或In_zAl_1-zAs低温层中的一种；

S2：将所述InP衬底的温度升高到第二温度，并对所述In_xGa_1-xAs低温层、InAs_yP_1-y低温层或In_zAl_1-zAs低温层进行退火处理，其中，所述第二温度高于所述第一温度；

S3：在第三温度下在所述In_xGa_1-xAs低温层、InAs_yP_1-y低温层或In_zAl_1-zAs低温层上生长In_wGa_1-wAs组分渐变层、InAs_wP_1-w组分渐变层或In_wAl_1-wAs组分渐变层中的一种，其中，所述第三温度高于所述第二温度。

2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，在所述步骤S1之前，所述生长方法还包括：

在第四温度和预定压力下清除所述InP衬底表面的杂质。

3.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，所述InP衬底的晶向为[001]。

4.根据权利要求2或3所述的生长方法，其特征在于，所述第四温度为800～1000℃，所述预定压力为0～100mbar。

5.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述In_xGa_1-xAs低温层的组分x的取值范围为0.53～1，所述InAs_yP_1-y低温层的组分y的取值范围为0.53～1，所述In_zAl_1-zAs低温层的组分z的取值范围为0～1。

6.根据权利要求1或5所述的生长方法，其特征在于，所述第一温度为400～600℃，所述In_xGa_1-xAs低温层、In_xAl_1-xAs低温层或InAs_yP_1-y低温层的厚度为0～200nm。

7.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述第二温度为550～650℃，所述退火处理的持续时间为30s～300s。

8.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述In_wGa_1-wAs组分渐变层、InAs_wP_1-w组分渐变层或In_wAl_1-wAs组分渐变层的组分w的取值范围为初始值～扩展波长匹配值。

9.根据权利要求1或8所述的生长方法，其特征在于，所述第三温度为600～700℃，所述In_wGa_1-wAs组分渐变层、InAs_wP_1-w组分渐变层或In_wAl_1-wAs组分渐变层的厚度小于3μm。