技术总结
本发明公开了一种扩展波长近红外探测器缓冲层的生长方法，其包括：在第一温度下采用金属有机化学气相沉积工艺或分子束外延工艺在InP衬底上生长InxGa1‑xAs低温层、InAsyP1‑y低温层或InzAl1‑zAs低温层中的一种；将InP衬底的温度升高到第二温度，并对InxGa1‑xAs低温层、InAsyP1‑y低温层或InzAl1‑zAs低温层进行退火处理；在第三温度下生长InwGa1‑wAs组分渐变层、InAswP1‑w组分渐变层或InwAl1‑wAs组分渐变层中的一种，其中，第二温度高于第一温度，第三温度高于第二温度。本发明能够减小缓冲层厚度、降低位错密度，以获得高速性能更加优良的探测器件。
技术研发人员：赵红
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第四十四研究所
文档号码：201610978708
技术研发日：2016.11.08
技术公布日：2017.01.25