技术总结
本申请公开了一种LED外延超晶格生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长InAlN/Mg2N3超晶格层、生长发光层、生长P型AlGaN层、生长掺杂Mg的P型GaN层、降温冷却。在所述生长掺杂Si的N型GaN层之后、所述生长发光层之前，引入InAlN/Mg2N3超晶格层，能够扩展LED电流，提升LED的发光效率，同时使得LED的各项电性参数变好。
技术研发人员：徐平
受保护的技术使用者：湘能华磊光电股份有限公司
文档号码：201611004577
技术研发日：2016.11.15
技术公布日：2017.02.15