1.一种基于多模干涉结构的锁模半导体激光器，其特征在于，该锁模半导体激光器采用条形波导结构、脊波导结构或楔形波导结构，在所述波导结构上形成增益区、电隔离区和饱和吸收区，所述电隔离区位于增益区和饱和吸收区之间，其中，所述吸收区的一部分、所述电隔离区以及所述增益区的一部分构成多模干涉结构，或者所述增益区的一部分构成多模干涉结构。
2.根据权利要求1所述的锁模半导体激光器，其特征在于，所述增益区的总长度大于饱和吸收区的总长度。
3.根据权利要求1所述的锁模半导体激光器，其特征在于，所述多模干涉区的长度为多模波导输出截面得到单一成像的最短耦合长度。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的锁模半导体激光器，其特征在于，所述增益区包括第一长条形以及从第一长条形的长度方向的第一端面沿其长度方向的轴线延伸出的位于该轴线上的第二长条形，第二长条形相对于该轴线对称，第二长条形的宽度小于第一长条形的宽度；
所述饱和吸收区包括第三长条形以及从第三长条形的长度方向的第一端面沿其长度方向的轴线延伸出的位于该轴线上的第四长条形，第四长条形相对于该轴线对称；
所述电隔离区一侧的表面与增益区的第一长条形的远离第一端面的第二端面接触，相对的另一侧的表面与饱和吸收区的第三长条形的远离第一端面的第二端面接触；
所述增益区的第一长条形、所述电隔离区和所述饱和吸收区的第三长条形一起构成所述多模干涉区。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的锁模半导体激光器，其特征在于，所述增益区包括第一长条形、从第一长条形的长度方向的第一端面沿其长度方向的轴线延伸出的位于该轴线上的第二长条形以及从第一长条形的长度方向的第二端面沿其长度方向的轴线延伸出的位于该轴线上的第三长条形，第二长条形和第三长条形均相对于该轴线对称，第二端面与第一端面相对；第二长条形和第三长条形的宽度相等；
饱和吸收区包括第四长条形，第四长条形位于第一长条形长度方向的轴线的延长线上，第四长条形相对于该轴线的延长线对称，第四长条形的宽度等于第三长条形的宽度；
电隔离区一侧的表面与增益区的第三长条形的延伸端面接触，相对的另一侧的表面与饱和吸收区的第四长条形的一端的端面接触；
所述增益区的第一长条形构成多模干涉区。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的锁模半导体激光器，其特征在于，所述增益区包括第一长条形、从第一长条形的长度方向的第一端面沿其长度方向的轴线延伸出的位于该轴线上的第二长条形，第二长条形相对于该轴线对称；
饱和吸收区包括第四长条形，第四长条形位于第一长条形长度方向的轴线的延长线上，并相对于该轴线对称，或者位于第一长条形长度方向的轴线的延长线的上方或者下方，但不超出增益区的第一长条形的远离第一端面的第二端面的范围；第四长条形的宽度等于第二长条形的宽度；
电隔离区一侧的表面与增益区的第一长条形的远离第一端面的第二端面接触，相对的另一侧的表面与饱和吸收区的第四长条形的一端的端面接触；
所述增益区的第一长条形构成多模干涉区。
7.根据权利要求4-6中任一项所述的锁模半导体激光器，其特征在于，电隔离区沿增益区的长度方向的尺寸为5um～10um。
8.根据权利要求1所述的锁模半导体激光器，其特征在于，增益区的出光端面镀有增透膜；饱和吸收区远离增益区的端面镀有高反膜。
9.根据权利要求1所述的锁模半导体激光器，其特征在于，所述锁模半导体激光器依次包括下电极、衬底、下分离限制层、波导层、上分离限制层、盖层、Si02电流隔离层和上电极。